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Prof. H. Cisse Théodore, Année scolaire 2012-2013
En
exponentielle puis tend à devenir linéaire. Le courant reste négligeable tant que la
tension VAK
On démontre que la caractéristique est de la forme I= Is.[exp(v/[kT/q])-1]
e: charge électrique 1,6 10-19C; k : constante de Boltzmann 1,38 10-23 J/K, T :
température en Kelvin (T=t°c+273)
En posant UT = =26 mV à 27 °c (tension thermodynamique); I=Is [exp(v/UT)-1]
3) Polarisation inverse : courant inverse
Le courant augmente très lentement avec la tension inverse. Cet effet est dû à un
mauvais isolement de la jonction donnant naissance à des courants de fuite. Au-delà
claquage de la jonction.
En polarisation
petit courant ci
continûment un libres et de
trous des deux côtés de la jonction. Les porteurs minoritaires créent un petit courant
dans le circuit. Le courant inverse causé par les porteurs minoritaires
de saturation, son symbole est
de la température peut augmenter
.
Pour les diodes au Silicium
double tous les 10°C et pour le Germanium tous les 6°C.
En plus du courant inverse dans le cristal, il existe un petit courant à la surface du cristal.
pureté superficielle.
(Surface leakage = pureté superficielle). Les puretés superficielles créent des chemins
ohmiques pour le courant et causent ISL
On regroupe
et
en un seul courant appelé courant inverse
(Reverse)