Transistor

École Mohammadia d’Ingénieurs
Département Génie Électrique-EEP-
Année Universitaire : 2019\2020
Rapport de TP:
Transistor Bipolaire de puissance
en régime de commutation.
Réalisé par :
Jalouaja Aicha
Lamkharbach Youssef
Nati Youssef
Encadré par :
Mr.x

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Sommaire :
Objectif de TP
2. Partie théorique :
2.1. Transistor Bipolaire :
2.1.1. Principe de fonctionnement :
2.1.2. Transistor Bipolaire en mode de commutation :
2.1.2.1. Le phénomène de commutation :
2.1.2.2. Caractéristiques de la commutation :
3. Manipulation :
3.1. Charge résistive
3.2. Charge inductive
Conclusion

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1. Objectif de la manipulation :
Analyser les principaux phénomènes et contraintes qui apparaissent lors du
fonctionnement en commutation d’un transistor bipolaire de puissance et de
proposer des solutions permettant de réduire ces contraintes afin que ce transistor
puisse fonctionner à des fréquences élevés.
2. Partie théorique : Transistor Bipolaire en régime de commutation :
2.1. Transistor Bipolaire :
2.1.1. Principe de fonctionnement :
Cas du transistor NPN
 L’émetteur (E) est fortement dopé. Son rôle est d’injecter des électrons dans la
base.
 La base (B) est faiblement dopée et très mince. Elle transmet au collecteur la
plupart des électrons venant de l’émetteur.
 Le collecteur (C) recueille les électrons qui lui viennent de la base d’où son
nom.
Figure 1: Principe physique du transistor NPN

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Figure 2: les jonctions pour le transistor
 Jonction émetteur polarisée en directe pour créer un champ externe opposé au
champ interne .
 Si , les électrons majoritaires au niveau de l’émetteur
peuvent passer dans la base. La base est faiblement dopée et très mince
donc très peu d’électrons se recombinent avec des trous. Le courant de
base est très faible.
 Jonction collecteur polarisée en inverse - Le champ externe est dans le même sens
que le champ interne .
 Les électrons qui n’ont pas été recombinés avec les trous au niveau de la
base peuvent passer dans le collecteur

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Figure 3: Caractéristiques idéalisées d'un transistor bipolaire
 zone de saturation : pour des tensions Vce < 1 V ; dans cette zone, Ic dépend à la fois
de Vce et de Ib (La tension Vcesat se situe en général autour des 0,2 V jusqu'à Uj (Uj =
0,7 V)) ;
 zone linéaire : le courant collecteur est quasi indépendant de Vce, il ne dépend que de
Ib.
Figure 4: Caractéristique Ic/Vbe d'un transistor bipolaire