Lasers InP sur circuits silicium pour applications en
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Institut d’électronique Fondamentale Université Paris-Sud XI Soutenance de thèse Marco Lamponi Lasers InP sur circuits silicium pour applications en télécommunications La photonique du silicium a connu un développent massif pendant les dix derniers années. Pratiquement toutes les briques technologiques de base ont été réalisées et démontrent des performances remarquables. Cependant, le manque d’une source laser intégrée sur silicium a conduit les chercheurs à développer des composants basés sur l’intégration entre le silicium et les matériaux III-V. Dans cette thèse je décris la conception, la fabrication et la caractérisation des lasers hybrides III-V sur silicium basés sur cette intégration. Je propose un coupleur adiabatique qui permet de transférer intégralement le mode optique du guide silicium au guide III-V. Le guide actif III-V au centre du composant fourni le gain optique, de chaque coté du guide le coupleur assure le transfert de la lumière dans les guides silicium. Je décris également les différentes solutions permettant d’obtenir un laser mono-longueur d’onde hybride III-V sur silicium. Des lasers mono longueur d’onde ont été fabriqués et caractérisés. Une conception innovante basée sur des anneaux résonateurs démontre des performances remarquables. Ces composants représentent la première démonstration d’un laser accordable hybride III-V sur silicium. Jeudi 15 Mars à 14h Auditorium de THALES Research and Technology 1, avenue Augustin Fresnel 91767 Palaiseau Présentée devant le jury composé de : Mme Mr Mr Mr Mr Mr Mr Beatrice Dagens Daniel Dolfi Guang-Hua Duan Lorenzo Pavesi Jean-Marc Fedeli Pierre Viktorovitch Laurent Vivien Examinateur Examinateur Encadrant Rapporteur Examinateur Rapporteur Directeur
