Modulateur et détecteur optiques à hautes performances sur silicium Contact : Laurent VIVIEN Département : Composants pour la Microélectronique et l’Optoélectronique [email protected] Depuis plusieurs années, la nanophotonique silicium a suscité un intérêt grandissant, que ce soit sur le plan national ou sur le plan international. Les applications prometteuses sont d’une part les interconnexions optiques dans les circuits intégrés CMOS et d’autre part les télécommunications optiques, où le silicium peut apporter des solutions bas coût. Par ailleurs, de forts potentiels existent pour le développement de nanostructures silicium pour la biophotonique. Les études menées depuis de nombreuses années dans ce domaine à l’Institut d’Electronique Fondamentale (IEF) en collaboration avec le CEA/LETI portent sur les briques de base nécessaires pour la distribution optique d'un signal haute fréquence sur circuit silicium sur isolant (SOI) (cf. figure). L’IEF intervient principalement au niveau de la conception, la réalisation de dispositifs de tests et des mesures. Les micro-guides d’ondes SOI utilisés sont des guides en arête faiblement gravés qui permettent d’obtenir à la fois des pertes de propagation extrêmement faibles (0,1 dB/cm) et une forte densité d’intégration. Le couplage de la lumière dans ces micro-guides d’ondes est obtenu en utilisant un réseau de diffraction dont une efficacité de couplage de plus de 60 % a été mesurée aux longueurs d’ondes des télécommunications optiques. Nos efforts récents se sont centrés sur les dispositifs optoélectroniques d’extrémité : modulateur optique et photodétecteur. Le modulateur développé à l’IEF utilise la désertion de porteurs introduits dans une fine région dopée au bore (dopage p) située au milieu de la région intrinsèque d’une diode p-i-n. Sous une tension de polarisation inverse, les porteurs sont évacués créant une variation locale de l’indice de réfraction centrée sur le mode optique du guide d'onde, ce qui conduit à une variation de la phase de l'onde guidée. Un interféromètre Mach-Zehnder est utilisé pour transformer cette variation de phase en une variation d’intensité optique. A l’aide de ce type de structure, une profondeur de modulation de 14 dB a été obtenue expérimentalement. Le modulateur présente une bande passante à -3 dB de 10 GHz, avec de faibles pertes d’insertion (<5 dB), ce qui constitue un résultat au premier plan international. Le signal modulé est distribué sur le circuit silicium et doit ensuite être détecté. Composants de base de la photonique silicium Parmi les matériaux compatibles avec la filière CMOS, seul le germanium pur (Ge) présente une forte absorption aux longueurs d’ondes considérées. Les couches de Ge sur Si, réalisées dans ce but, présentent une contrainte en tension menant à une forte absorption de la lumière jusqu'à 1,6 µm. Un photodétecteur germanium métal-semiconducteurmétal intégré en bout de guide d’onde SOI a été réalisé. Une bande passante de 25 GHz avec une sensibilité de 1A/W ont été mesurées expérimentalement à 1,55µm. Ce résultat est au meilleur niveau de l’état de l’art actuel. Les principales briques de base pour la réalisation d’un lien optique haute fréquence (>10 GHz) intégré sur SOI sont maintenant disponibles. Les avantages d’une technologie bas coût, sur des substrats de grande dimension, compatible avec la microélectronique, prennent alors toute leur importance, et ces résultats peuvent ouvrir des perspectives sérieuses pour l’intégration de la photonique et de la microélectronique sur une même puce. L. VIVIEN, M. ROUVIERE, J-M. FÉDÉLI, D. MARRIS-MORINI, J-F. DAMLENCOURT, J. MANGENEY, P. CROZAT, L. EL MELHAOUI, E. CASSAN, X. LE ROUX, D. PASCAL, S. LAVAL, High-speed and high responsivity germanium photodetector integrated in a Silicon-On-Insulator microwaveguide, Optics Express, 15, 9843-9848 (2007). D. MARRIS-MORINI, L. VIVIEN, J-M. FÉDÉLI, E. CASSAN, P. LYAN, S. LAVAL, Low loss and high speed silicon optical modulator based on a horizontal carrier depletion structure, Optics Express, in press.