Modélisation à l`échelle atomique et transport quantique dans les
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Karim NEHARI Modélisation à l'échelle atomique et transport quantique dans les nanotransistors MOS Co-directeurs de thèse : Michel LANNOO et Jean-Luc AUTRAN Dispositifs Ultimes sur Silicium UMR CNRS 6137 L2MP Marseille, 14 janvier 2005 Thèse financée dans le cadre du « Network of excellence SINANO » Objectif : Modéliser et simuler le plus précisément le transport quantique dans les nanostructures et les dispositifs multi-grilles sur Silicium Composants = Nanostructures Architectures multi-grilles Transport quantique Effets de confinement Structure de bandes de la nanostructure Aspects numériques Premiers résultats y 3ième Energie potentielle (eV) 0.8 0.6 0.4 0.2 0.0 -0.2 -0.4 0 EFS 2nd C. Rivas et al., Proceedings of NanoTech 2003 LG=9 nm VDS=0.4 V VG=0 V 5 EFD Structure atomique d’un fil carré de Silicium 10 X (nm) 15 20 1er 2.0 Premiers niveaux d’énergie et états associés 1.9 Energie (eV) 1E-3 1E-5 1E-7 ID (A) 1E-9 1E-11 1.8 1.7 1.6 1E-13 1E-15 1.5 1E-17 Quantique Classique 1E-19 1E-21 -0.4 -0.2 0.0 0.2 0.4 0.6 VG (V) Caractéristique ID(VG) pour un GAA 1.4 1.63 nm x 1.63 nm -0.3 -0.2 -0.1 0.0 0.1 0.2 0.3 Vecteur d'onde k (π/a) Structure de bandes (de conduction) pour un fil de Silicium de section carré
