Modélisation de la croissance en phase liquide de cristaux

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Modélisation de la croissance en phase
liquide de cristaux de SiC
Jean-Marc DEDULLE
Professeur PAST(1) / Gérant IRIS Technologies(2)
Grenoble- INP / Phelma – LMGP
(2) IRIS Technologies 155 cours Berriat, Grenoble
(1)
Projet ANR 2005-2008 - CARNICUB
Projet ANR 2009-2012 – MINTEX
Multiscale INteraction between EXtended defects and growth front
Porteur du projet : Didier CHAUSSENDE
Journées CRISTECH 2010 - Autrans
Equipe multidisciplinaire : Tryptique
Transfert thermique
Microscopie optique
Thermodynamique
Biréfringence
50 mm
Modélisation
Modélisation
X-ray topography
Caractérisation
PVT
CPL
Elaboration
Microscopie électronique
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La nécessité du numérique
Non linéarité des équations aux dérivées partielles
Non linéarités des propriétés physiques
Complexité des conditions aux limites
Complexité des domaines d'étude
Couplages entre phénomènes
Electromagnétisme
4-T4 C )(T)
Equation de Navier-Stokes
:
σ(T),
Rayonnement
µ(H,T),
η(T),
σε(Tk(T),
ambp Thermique
Procédé de
croissance par
PVT
Capteur de vitesse
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Echange radiatif
Transfert de matière
Mécanique
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Le SiC pourquoi ?
High Temperature
Devices and Sensors
Température max d’utilisation (°C)
GaN on SiC :
Blue LEDs / UV
Laser
Power
devices
Champ de claquage
(MV/cm)
Vitesse de saturation électronique
(cm/s)
Power and High
Frequency Devices
Semi-conducteur à grand gap pour des applications :
  Haute température (Automobile – Spatial)
  Haute puissance (Electronique de puissance)
  Haute fréquence (Technologies de l’information)
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Croissance de SiC en phase liquide
Liquid Silicon
Graphite crucible
Graphite foam
Induction coils
RF Frequency
Small graphite
crucible as carbon
source
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Power generator
Capacitors
Induction coils
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1ère étape : modèle Magnéto-Thermique
Gradient thermique entre :
–  Le haut et le bas du creuset
–  Le creuset (isotherme) et un germe
amené à la surface du liquide
Cristallisation SiC
(« zone froide »)
Dissolution du C
(zone chaude)
Contrôle de la géométrie + contrôle de la puissance délivrée
= contrôle du gradient thermique
Modélisation magnétothermique du réacteur de
croissance en phase liquide
Dimensionnement de l’inducteur / Générateur
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Modèle Magnéto-Thermique
Modèle géométrique : Hypothèses
•  Géométrie 2D cylindrique
Plan de calcul
Modèle physique : chauffage par induction
•  Magnétodynamique
•  Approximation des Régimes Quasi-Permanents (jc<<jd, σ>>εω)
•  Thermique avec rayonnement en cavité et sur l’ambiant
Modèle numérique : couplage fort
•  Formulation en potentiel vecteur – inconnue complexe
•  Formulation en T – problème non linéaire (T4 ,σ(T))
•  Eléments finis – Logiciel COMSOL 3.5 puis 4.0
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Le couple générateur-réacteur
R-L
Générateur
C
Coffret
Réacteur
~
R
C
Q
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Ptotale
L
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Le circuit RLC
Ztotale=f(fréquence)
0°
Igénérateur=f(fréquence)
Module
Module
Phase
Phase
0°
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Le générateur  L’inducteur
Pmax=54,7kW
Zgénérérateur=10,56Ω
60kHz<f<120kHz
Vmax
Zmax
P=26 kW
Imax
Zmin
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Dimensionnement de l’inducteur
Modèle mathématique : Equations aux dérivées partielles
Equations de Maxwell-Ampère et Maxwell-Faraday
+ conservation du flux de B
feutre
inducteur
z
graphite
θ
r
En géométrie cylindrique (axisymétrique)
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Dimensionnement de l’inducteur
Pour le dimensionnement on a besoin des pertes dans le cuivre
Alimentation en tension et calcul des courants induits
Les spires sont en séries donc :
I1=I2 …
I5
ΔV5
I4
ΔV4
On impose une ddp / spire ΔVi
Contrainte sur une grandeur intégrale :
I3
ΔV3
I2
ΔV2
I1
ΔV1
Ajustement de ΔVi, pour respecter la contrainte
Paramètres du
circuit équivalent :
Adaptation d’impédance de l’inducteur / Générateur
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Le problème thermique
Equation de la chaleur avec densité de pertes Joule
Transfert radiatif aux frontières
Rayonnement en cavité
Soit à résoudre le système :
avec :
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Caractéristiques électriques / Résultats globaux
Power generator
Capacitors
22,4 A
~
79 kHz
155V
Induction coils
206 A
C
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R
L
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Modèle Magnéto-Thermique - Résultats locaux
∆T calculé
200°C
Gradient thermique dans le creuset avec dissolution du
carbone en zone chaude et dépôt en zone froide
 croissance de plaquettes monocristallines dans le bain
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Modèle Magnéto-Thermique - Résultats locaux
∆T calculé
40°C
Creuset quasi isotherme  pas de cristaux dans le bain, uniquement à
l’interface triple
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Amélioration du modèle : Couplage MTH
Prise en compte du Silicium liquide dans la cavité
et du substrat en rotation
ΔT surface libre
ΔT dans le liquide
• 
• 
• 
• 
Prise en compte de la convection forcée (rotation)
Prise en compte de la convection naturelle (ΔT dans le liquide)
Prise en compte de l’effet Marangoni (ΔT à la surface libre du liquide)
Prise en compte des forces électromagnétiques dans le liquide
(σSi=1,2.106S/m)
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Convection naturelle : masse volumique(Τ)
Sans convection naturelle
Avec convection naturelle
F=ρ(Τ)g
1746°C
1758°C
Effet de la convection forcée
Dans la configuration faible gradient de température dans le liquide
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Forces électromagnétiques : JinduitxB
Densité de forces électromagnétiques
F=JxB
Sans forces EM
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Avec forces EM
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Effet Marangoni : Tension superficielle(T)
Effet Marangoni  contrainte tangentielle appliquée au liquide :
Tension superficielle :
: tenseur des contraintes visqueuses
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Optimisation géométrique *
* Thèse Frédéric MERCIER – Grenoble INP - LMGP
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Amélioration du modèle : Couplage MTH
Contrôler le fluide autour du cristal = croissance stable = qualité cristalline augmentée
4 types de convection (dominant) :
- convection forcée (rotation)
- convection naturelle
- convection électromagnétique
- convection Marangoni
- convection solutale et Marangoni
solutal (ANR MINTEX)
Optimisation géométrique
Contrôle du front de croissance  piloté uniquement par la convection forcée
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