
Thème 3 (Matériaux), Exercices.                                          Tle S (Spécialité) 
 
 
 MATERIAUX (EXERCICES) 
 
 
EXERCICE I : ETUDE D’UNE DIODE AU SILICIUM. 
Nous avons vu au cours de la séquence 4 que la résistance de la CTN utilisée dans le TP diminuait lorsque la température augmentait. 
Cette particularité avait été justifiée par le fait que la CTN est constituée de semi-conducteurs. A cette occasion nous avons évoqué la 
théorie des bandes. 
On  retrouve  des  semi-conducteurs  dans  un  grand  nombre  de  composés  électroniques  comme  les  diodes  ou  encore  les  cellules 
photovoltaïques… 
On se propose dans ce qui suit à travers l’étude d’une diode au silicium d’en apprendre un peu plus sur les semi-conducteurs… 
 
1. Caractéristique courant-tension. 
Q1) On désire tracer la caractéristique d’une diode. Dessiner le montage qu’il faut réaliser. Attention !!!  Une diode est un composant 
fragile, elle ne doit pas être traversée par un courant d’intensité trop importante. 
 
Vous trouverez ci-après la caractéristique d’une diode :  
Q2) Que vaut I lorsque U < 0V ? 
Q3) Quelle est d’après le graphique la valeur de la tension de seuil ? 
Cette valeur est généralement notée US, elle correspond à la tension 
minimum à appliquer à la diode pour qu’elle devienne passante. 
Q4)  La  tension  varie-t-elle  beaucoup  lorsque  la  diode  devient 
passante ?  Que se passerait-il pour la  diode si  elle était  alimentée 
sans résistance de protection ? 
 
 
2. Interprétation. 
-  Dopage :  un  réseau  monocristallin  d’atomes  de  silicium,  Si,  est  un  semi-
conducteur.  L’atome  de  silicium  a  4  électrons  de  valence,  il  établit  4  liaisons 
covalentes  avec  4  atomes  voisins.  Un  semi-conducteur  au  silicium  a  une 
conductivité  quasi  nulle.  Afin  d’augmenter  sa  conductivité,  on  insère  dans  la 
structure cristalline des atomes d’autres éléments, appelés dopants. 
Pour un semi-conducteur au silicium dopé au phosphore, un atome de phosphore P, 
remplace  un  atome  de  silicium  dans  le  réseau.  L’atome  P  ayant  5  électrons  de 
valence, il forme quatre liaisons covalentes avec des atomes de silicium voisins ; il 
reste  un électron libre qui peut participer  à  la conduction électrique.  L’atome  de 
phosphore étant donneur d’électron, on parle de dopage de type n (n pour négatif). 
Par un raisonnement analogue, un atome dopant possédant trois électrons de valence 
comme le bore, B, conduit à un déficit d’électron de valence dans le réseau, appelé 
trou.  Ce  trou peut  être  comblé  par  un  électron  de  valence  d’un  atome  de  silicium 
voisin, déplaçant ainsi le trou. L’atome de bore étant accepteur d’électron, on parle 
de dopage de type p (p pour positif). 
 
- Jonction PN : quand on associe  un  matériau dopé P à  un matériau dopé N, on 
forme ce qu’on appelle une jonction PN. Le matériau dopé N est « excédentaire » en 
électrons et le matériau dopé P en est « déficitaire ». Lorsque les deux matériaux 
sont mis en contact, les électrons en excès du matériau dopé N diffusent dans le 
matériau  dopé  P,  ainsi  le  matériau  dopé  N  se  charge  positivement  et  le  dopé  P, 
négativement. Un équilibre se crée et un champ électrique interne apparaît. 
 
Q5) Complétez les pointillés ci-après par les lettres ou mots N, P, trou et électron. 
 
    ………………… 
 
    ………………… 
 
 
       matériau dopé …..      matériau dopé ….. 
 
- Une diode comporte une "jonction PN". Le champ électrique interne évoqué dans le paragraphe précédent est généralement noté Eint. 
Q6) Représentez ce champ sur un schéma en zoom. 
 
Q7) Imaginez un électron dans ce champ et représentez la force électrique qui s'exercerait sur lui. 
 
Dans une diode, en l’absence de tension appliquée, le déplacement des électrons et 
des  trous  à  l’origine  du  champ  électrique  interne  crée  une  barrière infranchissable 
pour les autres électrons et trous. 
Q8) A la lumière de votre réponse à la question « Q7 » justifiez le terme « infranchissable ». 
 
Quand la jonction est insérée dans un circuit, le générateur est à l'origine d'un champ électrique externe Eext dont le sens dépend du 
sens de la polarisation.