Thème 3 (Matériaux), Exercices. Tle S (Spécialité)
MATERIAUX (EXERCICES)
EXERCICE I : ETUDE D’UNE DIODE AU SILICIUM.
Nous avons vu au cours de la séquence 4 que la résistance de la CTN utilisée dans le TP diminuait lorsque la température augmentait.
Cette particularité avait été justifiée par le fait que la CTN est constituée de semi-conducteurs. A cette occasion nous avons évoqué la
théorie des bandes.
On retrouve des semi-conducteurs dans un grand nombre de composés électroniques comme les diodes ou encore les cellules
photovoltaïques…
On se propose dans ce qui suit à travers l’étude d’une diode au silicium d’en apprendre un peu plus sur les semi-conducteurs…
1. Caractéristique courant-tension.
Q1) On désire tracer la caractéristique d’une diode. Dessiner le montage qu’il faut réaliser. Attention !!! Une diode est un composant
fragile, elle ne doit pas être traversée par un courant d’intensité trop importante.
Vous trouverez ci-après la caractéristique d’une diode :
Q2) Que vaut I lorsque U < 0V ?
Q3) Quelle est d’après le graphique la valeur de la tension de seuil ?
Cette valeur est généralement notée US, elle correspond à la tension
minimum à appliquer à la diode pour qu’elle devienne passante.
Q4) La tension varie-t-elle beaucoup lorsque la diode devient
passante ? Que se passerait-il pour la diode si elle était alimentée
sans résistance de protection ?
2. Interprétation.
- Dopage : un réseau monocristallin d’atomes de silicium, Si, est un semi-
conducteur. L’atome de silicium a 4 électrons de valence, il établit 4 liaisons
covalentes avec 4 atomes voisins. Un semi-conducteur au silicium a une
conductivité quasi nulle. Afin d’augmenter sa conductivité, on insère dans la
structure cristalline des atomes d’autres éléments, appelés dopants.
Pour un semi-conducteur au silicium dopé au phosphore, un atome de phosphore P,
remplace un atome de silicium dans le réseau. L’atome P ayant 5 électrons de
valence, il forme quatre liaisons covalentes avec des atomes de silicium voisins ; il
reste un électron libre qui peut participer à la conduction électrique. L’atome de
phosphore étant donneur d’électron, on parle de dopage de type n (n pour négatif).
Par un raisonnement analogue, un atome dopant possédant trois électrons de valence
comme le bore, B, conduit à un déficit d’électron de valence dans le réseau, appelé
trou. Ce trou peut être comblé par un électron de valence d’un atome de silicium
voisin, déplaçant ainsi le trou. L’atome de bore étant accepteur d’électron, on parle
de dopage de type p (p pour positif).
- Jonction PN : quand on associe un matériau dopé P à un matériau dopé N, on
forme ce qu’on appelle une jonction PN. Le matériau dopé N est « excédentaire » en
électrons et le matériau dopé P en est « déficitaire ». Lorsque les deux matériaux
sont mis en contact, les électrons en excès du matériau dopé N diffusent dans le
matériau dopé P, ainsi le matériau dopé N se charge positivement et le dopé P,
négativement. Un équilibre se crée et un champ électrique interne apparaît.
Q5) Complétez les pointillés ci-après par les lettres ou mots N, P, trou et électron.
…………………
…………………
matériau dopé ….. matériau dopé …..
- Une diode comporte une "jonction PN". Le champ électrique interne évoqué dans le paragraphe précédent est généralement noté Eint.
Q6) Représentez ce champ sur un schéma en zoom.
Q7) Imaginez un électron dans ce champ et représentez la force électrique qui s'exercerait sur lui.
Dans une diode, en l’absence de tension appliquée, le déplacement des électrons et
des trous à l’origine du champ électrique interne crée une barrière infranchissable
pour les autres électrons et trous.
Q8) A la lumière de votre réponse à la question « Q7 » justifiez le terme « infranchissable ».
Quand la jonction est insérée dans un circuit, le générateur est à l'origine d'un champ électrique externe Eext dont le sens dépend du
sens de la polarisation.