approximation tient compte de la barrière de potentiel dans
le modèle du composant. Pour les diodes ou les transistors
au silicium, cela entraîne la prise en compte d'une tension
égale à 0,7 V dans l'analyse.
Diac (diac) Composant silicium bilatéral utilisé dans le cir-
cuit grille d'autres composants tels que les triacs.
Diagramme de Bode (Bode plot) Graphique illustrant l'é-
volution de l'amplification et de la phase d'un circuit en
fonction de la fréquence.
Différentiateur RC (RC differentiator) Circuit RC utilisé
pour transformer une impulsion rectangulaire d'entrée en
deux pics : l'un positif, l'autre négatif.
Diode (diode) Cristal pn. C'est un composant qui conduit
bien quand il est polarisé en direct et qui conduit très peu
quand il est polarisé en inverse.
Diode collecteur (collector diode) Diode créée par la base
et le collecteur d'un transistor.
Diode électroluminescente (light-emitting diode) Diode
qui émet une radiation lumineuse colorée rouge, verte,
jaune, etc., ou une radiation lumineuse invisible infrarouge.
Diode émetteur (emitter diode) La diode constituée par l'é-
metteur et la base du transistor.
Diode idéale (ideal diode) Première approximation de la
diode. Elle est considérée comme un interrupteur intelligent
qui se ferme en polarisation directe et s'ouvre en polarisation
inverse.
Diode PIN Diode disposant d’une couche semi-conducteur
intrinsèque insérée entre les semi-conducteurs de type net
de type p. Lorsqu’elle est polarisée en inverse, la diode
PIN se comporte comme un condensateur fixe, et quand
elle est polarisée en direct, elle se comporte comme une
résistance variable commandée en courant.
Diode redresseuse (rectifier diode) Diode optimisée pour
la transformation AC/DC.
Diode Schockley Diode à quatre couches de semi-conduc-
teurs, de type pnpn, inventée par William Schockley.
Diode Schottky (Schottky diode) Diode particulière sans
zone de désertion, ayant un temps de recouvrement inverse
extrêmement court et pouvant redresser les signaux hautes
fréquences.
Diode Zener (Zener diode) Diode conçue pour fonctionner
dans la zone de claquage inverse en donnant une chute de
tension très stable.
Diodes de compensation (compensating diodes) Diodes
utilisées dans le montage émetteur suiveur classe B. Ces
diodes ont une courbe courant-tension qui est la même que
celle de la diode émetteur. Par conséquent, ces diodes com-
pensent les variations provoquées par la température.
Dissipation de puissance (power dissipation) Produit de
la tension par le courant dans une résistance ou tout compo-
sant non réactif. Quantité de chaleur produite à l'intérieur du
composant.
Distorsion Changement indésirable de la forme ou de la
phase d’un signal ou d’une onde. Lorsque la distorsion sur-
vient dans un amplificateur, le signal de sortie n’est plus
une réplique exacte du signal d’entrée.
Diviseur de tension constant (stiff voltage divider) Diviseur
de tension dont la tension en charge diffère de moins de 1%
de la tension sans charge.
D-MOSFET : voir MOSFET à appauvrissement.
Donneur (donor) Atome pentavalent, un de ceux qui possè-
dent cinq électrons de valence. Chaque atome pentavalent
donne un électron libre dans le cristal de silicium.
Dopage (doping) Addition d'une impureté dans un semicon-
ducteur pour modifier sa conductivité. Les atomes pentava-
lents ou donneurs augmentent le nombre des électrons lib-
res, les atomes trivalents ou accepteurs augmentent le
nombre des trous.
Drain L’une des extrémités d’un transistor FET, qui cor-
respond au collecteur d’un transistor bipolaire à jonction.
Droite de charge (load line) Utilisée pour trouver la valeur
exacte de la tension et du courant de la diode.
Droite de charge AC (ac load line) Position de tous les
points de fonctionnement instantanés quand le transistor est
commandé par un signal AC. Cette droite de charge AC est
différente de la droite de charge DC quand la résistance de
charge AC est différente de la résistance de charge DC.
Durée de vie (lifetime) Valeur moyenne de la durée entre la
création et la recombinaison d'un électron libre et d'un trou.
Duty cycle : voir coefficient de remplissage.
Dynamique maximale (MPP) : voir valeur crête à crête
maximale.
EC : voir émetteur commun.
Écrêteur (clipper) Circuit qui enlève une partie d'un signal.
L'écrêtage est indésirable dans un amplificateur linéaire
mais souhaitable dans un limiteur.
Effet d'avalanche (avalanche effect) Phénomène qui sur-
vient dans la jonction pn pour les fortes tensions inverses.
Les électrons libres fortement accélérés atteignent de telles
vitesses qu'ils peuvent arracher des électrons de valence.
Quand cela intervient, l'électron de valence devenu électron
libre arrache lui aussi d'autres électrons de valence.
Effet de champ Effet produit par un champ électrique sur
l’épaisseur de la zone d’appauvrissement ou de déplétion
située entre grille et canal d’un transistor à effet de champ
(TEC ou FET). Le contrôle de l’effet de champ, donc de
épaisseur de la zone de déplétion, permet de contrôler le
courant drain dans le transistor FET.
Effet piézoélectrique (piezoelectric effect) Vibrations qui
surviennent quand un cristal est soumis à un signal AC sur
ses électrodes.
Effet Zener (Zener effect) Parfois appelé émission en champ
fort, il intervient, dans une diode polarisée en inverse, quand
l'amplitude du champ électrique devient suffisamment
grande pour arracher des électrons de valence.
Électron libre (free electron) Électron faiblement lié à un
atome. Connu aussi sous le nom d'électron de la bande de
Glossaire ● 5