
Capteurs microphoniques miniatures en technologie MEM’s
S. Durand
a
, P. Honzik
b
, T.Le Van Suu
a
, P. Lotton
a
, M. Bruneau
a
, Z. Škvor
b
, A.-M. Bruneau
a
et
C. Guianvarc’h
a
a
Laboratoire d’Acoustique de l’Université du Maine UMR CNRS 6613,
Avenue Olivier Messiaen, 72085 LE MANS, France
b
Czech technical university in Prague, K13137 Department of Radio engineering,
Technicka 2, 166 27 Praha 6, Czech Republic
stephane.durand@univ-lemans.fr
Résumé
Des études et réalisations de microphones miniatures en
technologie MEM’s sont conduites dans les laboratoires
depuis près de deux décennies [1][2][3]. Elles sont motivées
par une demande croissante liée directement à la métrologie
du futur, aussi bien en laboratoire que dans les applications
pratiques : demande de capteurs microphoniques aux
propriétés améliorées en regard des capteurs actuellement
disponibles sur le marché (en terme de contrôle des effets de
diffraction du capteur, de bande passante, de sensibilité, de
qualités diverses en regard du coût et du volume de
production,...), demande de capteurs miniaturisés en vue de
leur intégration dans les microsystèmes acoustiques
actuellement à l’étude ou qui commencent à voir le jour,
demande de sophistication des systèmes multi capteurs
rendue nécessaire pour la caractérisation et le contrôle dans
divers domaines. Les domaines d’application sont très
variés : l’électroacoustique (dont la téléphonie mobile et
l’audioprothèse), la microélectronique (gestion thermique
des microsystèmes par procédé thermoacoustique),
l'aéronautique et l'automobile (contrôle pariétal) et le
contrôle actif en général, ...
Les technologies de fabrication traditionnelles ne permettent
pas de fabriquer des microphones capacitifs (retenus pour
leurs performances) de diamètre inférieur à 1/8 de pouce. En
effet, la tension de la membrane, qui est un paramètre clé de
la sensibilité du microphone, ne peut alors plus être maîtrisée
convenablement. Une alternative est d’utiliser les
technologies issues de la microélectronique (dépôts de
couches minces, gravures chimiques, photolithographie,
etc.). Le silicium monocristallin, matériau bien maîtrisé en
microtechnologies, est adapté en raison de son faible coût et
de ses propriétés mécaniques. Les possibilités d’alignement
de tranches à (+/-1) micromètre et de scellement disponibles
aujourd’hui permettent l’assemblage de membrane et
électrode arrière réalisées sur des substrats différents. Ceci
permet d’éviter la transmission à l’électrode arrière des
vibrations de la membrane, transmission observée dans les
structures monolithiques à contre électrode perforée déposée
sur une couche sacrificielle.
La mise en oeuvre d’électrodes arrières non planes, faciles à
réaliser sur substrat silicium, devrait en outre permettre
d’améliorer la bande passante de ce type de microphones
sans pour autant en diminuer la sensibilité; c’est du moins ce
que montrent des études préliminaires qui reposent sur des
modèles électro-acoustiques adaptés et qui prennent en
compte les effets de couches limites dans l’espace inter
électrodes.
Définition des variables utilisées
a arête de la membrane, en m.
c
0
célérité adiabatique du son, en m.s
-1
.
P
0
pression atmosphérique, P
0
= 101300 Pa.
p
C
capacité calorifique massique à pression constante,
en J.K
-1
.kg
-1
.
v
C
capacité calorifique massique à volume constant,
en J.K
-1
.kg
-1
.
0
ρ
masse volumique de l’air,
0
ρ
= 1,230 kg/m
3
.
f fréquence, en Hz.
ω
=2
π
f pulsation, en rad.s
-1
.
µ
1
er
coefficient de viscosité (phénomène
d’amortissement par cisaillement), en kg.m
-1
.s
-1
.
η
2
ème
coefficient de viscosité, en kg.m
-1
.s
-1
.
λ
h
coefficient de conductivité thermique, en K.m
-1
.
00
3
4
c
l
v
ρ
=
longueur caractéristique de viscosité, en m.
00
'
c
l
v
ρ
=
longueur caractéristique de viscosité, en m.
p
h
h
Cc
l
00
ρ
=
longueur caractéristique de diffusion
thermique, en m.
s
M
masse surfacique de la membrane, en kg.m
-2
.
T tension de la membrane, en N.m
-1
.
2/1
2
=T
M
K
s
ω
nombre d’onde associé aux vibrations
libres de la membrane, en m
-1
.
2/1
0
'
−
=cl
i
k
v
v
ω
nombre d’onde associé au mouvement
tourbillonnaire dû aux effets visqueux, en m
-1
.
2/1
0
−
=cl
i
k
h
h
ω
nombre d’onde associé au mouvement
entropique dû aux effets thermiques, en m
-1
.
),( twp
variation de pression dans l’entrefer, en Pa.
i
P
pression incidente sur la membrane, en Pa.
S=a² surface du diaphragme, en m².
t coordonnée temporelle, en s.
),( zwv
champ de vitesse particulaire dans l’entrefer, en
m.s
-1
.
pol
V
tension de polarisation du microphone, en volts.
z coordonnée normale aux électrodes, d’origine O le
centre de la contre-électrode.
CFA 2006
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