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Université de Nice-Sophia Antipolis Ecole des Mines de Paris
MASTER (1
ère
année)
PHYSIQUE DES MATERIAUX, MECANIQUE ET MODELISATION NUMERIQUE
Examen de Physique des matériaux
29 octobre 2006 - (durée 1 heure 30, sans document)
Questions
Donnez l’expression du facteur de structure F(hkl) de d’un cubique centré et d’un
cubiques faces centrées. En déduire les règles d’extinction.
Problème 1: Analyse d’un diagramme de diffraction
Le réseau de Bravais du GaAs comme celui de AlAs est cubique faces centrées avec un atome
de As en (000) et un atome de Ga (ou Al) en (¼ ¼ ¼). Les 2 réseaux ont sensiblement la
même maille a. Partant de AlAs, on substitue progressivement des atomes d’Al pour les
remplacer par des atomes de Ga. Sur les sites initiaux d’Al, cette substitution s’effectue de
façon aléatoire. Le composé ternaire peut donc être décrit cristallographiquement comme s’il
y avait :
-en position (¼ ¼ ¼), x atomes de Ga et (1-x) atomes de Al avec 0<x<1 .
- en position (0,0,0) un atome de As
1-Donnez l’expression du facteur de structure F(hkl) AlAs (x=0) et de GaAs (x=1). En
déduire les règles d’extinction.