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Université de Nice-Sophia Antipolis         Ecole  des  Mines  de  Paris
     
MASTER (1
ère
 année) 
PHYSIQUE DES MATERIAUX, MECANIQUE ET MODELISATION NUMERIQUE 
 
Examen de  Physique des matériaux 
29 octobre 2006 - (durée 1 heure 30, sans document) 
 
Questions  
  Donnez  l’expression  du  facteur de  structure  F(hkl)  de  d’un  cubique  centré et d’un 
cubiques faces centrées. En déduire les règles d’extinction. 
 
Problème 1: Analyse d’un diagramme de diffraction 
Le réseau de Bravais du GaAs comme celui de AlAs est cubique faces centrées avec un atome 
de As en (000) et un atome de Ga (ou Al) en (¼ ¼ ¼). Les 2 réseaux ont sensiblement la 
même maille a.  Partant de AlAs,  on  substitue  progressivement des atomes d’Al pour les 
remplacer par des atomes de Ga. Sur les sites initiaux d’Al, cette substitution s’effectue de 
façon aléatoire. Le composé ternaire peut donc être décrit cristallographiquement comme s’il 
y avait :  
-en position (¼ ¼ ¼), x atomes de Ga et (1-x) atomes de Al avec 0<x<1 . 
- en position (0,0,0) un atome de As 
 
 
1-Donnez  l’expression  du  facteur  de  structure  F(hkl)  AlAs  (x=0)  et  de  GaAs  (x=1).  En 
déduire les règles d’extinction.