CAPTEURS A EFFET HALL
L’effet Hall est utilisé dans des appareils très variés tels que les ampèremètres, les wattmètres, les
capteurs de position, de niveau, de déplacement, … Ces capteurs sont généralement constitués d’une
sonde et d’un aimant. La sonde est une plaquette semi-conductrice telle que le silicium, l’AsGa ou le
germanium dopé. Elle est parcourue par un courant, et on mesure la tension Hall à ses bornes U
H
.
L’aimant produit un champ d’induction B dont la valeur sur la sonde dépend de sa position, modifiant
ainsi la tension Hall U
H
. Nous étudions ici l’utilisation de l’effet Hall pour la caractérisation des semi-
conducteurs (sonde uniquement), et pour la fabrication de capteurs de position et de déplacement
(sonde et aimant).
Figure 1 : exemples de capteurs utilisés dans l’industrie automobile
CARACTERISATION DE SEMI-CONDUCTEURS
L’effet Hall présente un grand intérêt dans la caractérisation des semi-conducteurs au cours de leur
élaboration qui comporte de nombreuses étapes. La mesure de le tension de Hall U
H
donne en effet
accès aux paramètres principaux d’un semi-conducteur, à savoir la nature des porteurs (électrons q<0
ou trous q>0), leur densité N et leur mobilité µ. En effet, pour améliorer la faible conductivité électrique
des semi conducteurs purs, il est possible de les doper c’est à dire de leur ajouter une petite quantité
d’impureté. Si on introduit dans le cristal de germanium pur des atomes d’un élément possédant un
électron de valence en plus, on obtient un SC de type n car la conduction sera essentiellement
assurée par les électrons libres. Si par contre on introduit des atomes d’élément possédant un
électron de valence en moins que le germanium, la conduction se fera par le déplacement de lacune,
on obtient un SC de type p car les porteurs sont majoritaires positifs.
La figure 2 représente un échantillon de germanium dopé dont on cherche les caractéristiques en le
plaçant dans un circuit parcouru par une intensité I=30mA. Il est soumis à un champ électrique
longitudinal E (Ey,0,0) et un champ magnétique transverse B (0,0,-Bz). La charge q subit alors la force
de Lorentz F=qv⊇B. Cette force tend à dévier les porteurs de charge qui s’accumulent sur les faces
en a/2 et –a/2 du barreau. Il se crée alors rapidement un champ électrique appelé champ de hall E
H
qui équilibre et neutralise cette déviation. Une tension U
H
issue de E
H
apparaît entre les deux faces.
1- Quel montage peut-on réaliser pour mesurer la tension de hall sur un échantillon de
germanium ?
2- Etablir la relation entre la tension de Hall U
H
et le champ magnétique B
(contrôle du chassis)
, pression, température, …
(contrôle du moteur)
(contrôle de la transmission)
capteurs sans contact
(sécurité)
, pression, température, …
(contrôle de l’habitacle)