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OMMENTAIRE DU SCHEMA
Tout ceci est basé sur le brevet de SUPERSYMMMETRY de Nelson PASS. Alors tout autre usage
des fichiers, schémas, PCB, etc. autre que la joie de dépenser ses sous et de se brûler les doigts
sans chercher à s'enrichir est prohibé.
1.1 Première page : L’amplificateur
Rien de transcendant là-dedans. C'est un ampli en pont, qui donnera ses meilleures performances
lorsqu'il est attaqué en symétrique (SUPERSYMMMETRY oblige). On retrouve l'UGS au cœur du
montage, et qui sert de premier étage d'amplification (En fait, tout le gain en boucle ouverte du
montage est concentré ici, mais chut, faut pas le dire) Entre chaque résistance et les collecteurs des
transistors de "sortie", on prélève deux signaux en opposition de phase, pour attaquer un triple
pushpull de MOSFET qui va fournir le courant nécessaire à nos chères gamelles. Entre ces deux
étages s'intercale un "Vbe multiplier" qui va servir à régler le courant de repos de l'étage de sortie.
Concernant le premier étage de type UGS, une des différences avec la version préampli tient aux
transistors utilisés pour les miroirs de courant, qui doivent en effet supporter des courants plus
importants, et donc une dissipation plus forte. La tenue en dissipation est assurée par la fixation de
ces transistors sur le dissipateur principal. La raison de cette augmentation de courant est que, bien
que théoriquement pilotés en tension, les MOSFET de sortie on besoin d'une certaine quantité de
courant, surtout sur les phases transitoires, pour que l'effet de leur capacité d'entrée passe inaperçue.
En d’autres termes, on gagne ici en rapidité en leur fournissant le courant nécessaire. Les transistors
choisis pour les miroirs de courant sont des petits japonais (si jaune, et déjà poney) présentant un
excellent gain pour des transistors de "puissance", d'autant plus excellent qu'il est bien linéaire sur
une large plage de courants, et qu'il garde son homogénéité avec la température. Pour ma part, je n'ai
pas appairé ces transistors, ça fonctionne bien comme ça, mais rien ne vous en empêche. Quant à
vous dire ce que ça apporte de les appairer, je serai bien incapable de vous répondre...
Le réglage des courants de repos se fait ensuite via un classique "Vbe multiplier" comme on en trouve
sur énormément d'amplis. Rien que du classique, donc. Pour simplifier, on va dire qu'il fixe la tension
aux bornes des grilles des MOSFET. Et si la tension de grille est fixée, le courant circulant dans les
MOSFET l'est aussi, et pour peu que les MOSFET soient appairés, le courant traversant chaque
MOSFET le sera aussi. Tel quel, la plage de réglage du courant de repos va de 40mA à 400mA
environ (par MOSFET).
Le transistor au cœur du Vbe multiplier est du même type que ceux des miroirs de courant, et est
également fixé au radiateur histoire de suivre un peu les différences de température de la bestiole.
D'aucuns me feront observer que la dépendance en température d'un bipolaire n'est pas la même que
celle des MOSFET qu'il est sensé commander, et ils auront raison. Mais pour avoir essayé une
version à MOSFET (Vgs multiplier), j'ai trouvé cette dernière moins stable que celle à bipolaire, vu que
la dépendance en T° des MOSFET obéit à beaucoup plus de paramètres que celle des bipolaires,
même avec des modèles approchés... Mais vous êtes libres d'essayer si le cœur vous en dit.
Et en dernier vient l'étage de sortie. Il n'apporte aucun gain, ce serait même le contraire avec un gain
légèrement inférieur à 1. Mais il donne du courant, et c'est tout ce qu'on lui demande. Il repose sur un
double push-pull de trois MOSFET en parallèle. Pour un bon fonctionnement, surtout concernant
l'offset, tous les MOSFET de même polarité (les 6) doivent être appairés.
Concernant la puissance du truc, là j'ai un problème de formules Je sais jamais laquelle prendre...
Mais on va essayer : Au max et d'après les simulations, l'ampli est capable de délivrer à peu près 42V
crête. Si on en croit les formules dispo ici http://kitsrus.com/pdf/watts.pdf, ça nous donne une