Janvier 2007 Circuits et systèmes de

Janvier 2007 Circuits et systèmes de communications micro-ondes –ELE4501 1
Circuits et Systèmes de Communication Micro-ondes
Chap.4: Composants actifs hyperfréquences
Halim Boutayeb
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boutay[email protected]

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Plan
I. Introduction
II. Diode Schottky
III. Diode Varactor
IV. Diode PIN
V. Transistor Bipolaire
VI. Transistor a effet de champs (TEC)

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I. Introduction
Deux types d’applications des éléments actifs hyperfréquences :
-Traitement du signal (commutation, modulation, conversion de fréquence,
detection):
Diodes pin, Schottky, varactor.
Selon l’application, leur fonctionnement peut être linéaire ou non-linéaire du point
de vue du signal appliqué.
-Generation du signal :
transistors bipolaire ou àeffet de champ.
Les transistors sont surtout utilisés pour les amplificateurs, mais leurs propriétés
non-linéaires peuvent être également exploitées dans la réalisation de mélangeurs,
des multiplicateurs et des diviseurs de fréquences.

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I. Introduction
La conception d’un dispositif hyperfréquences fait appel aux connaissances suivantes:
-Le modèle (schéma équivalent linéaire ou non-linéaire/ paramètres S) d’un
composant actif
- Prise en compte des limitations dans le fonctionnement du composant actif.
- Comportement du composant actif en fonction de la température.

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I. Introduction
Rappels: les semiconducteurs
Les semiconducteurs sont des matériaux présentant une conductivité electrique
intermédiaire entre les métaux et les isolants.
Les états des électrons d’un matériau remplissent les niveaux d’énergies de manière croissante.
Dans le métal le niveau maximum d’énergie atteint à 0 Kse trouve dans la bande de conduction.
Dans un semi-conducteur ce niveau est dans une bande interdite mais l’application d’une énergie
suffisante permet aux électrons de se déplacer vers la bande de conduction.