
IUFM Préparation CAPET Génie Electrique 
Page 3/19                                                 L. LUBRANO 2000 
2-4 Amplificateur à transrésistance  XiXvA Rm1 1 2 2
= = = ;  et  .(La TRANSRESISTANCE). 
  
 
L’amplificateur à transrésistance est idéal 
si : vRi
mg2=.. 
 
 
 
 
 
 
 
iv
rv
Rv
RR
riR
rirR
ggi i
i
g
i
ggi
= + = +
= +
≈
1 1 1 1 1
1 1  si  ff . 
 
vRiR
R R RiR R
mL
oLmoL211
=+≈ si  pp . 
 
Donc vRi
mg2=. si les deux conditions précédentes sont respectées. 
 
3 - Paramètres à considérer pour l’utilisation d’un Transistor Bipolaire en alternatif: 
 
3-1 Les capacités de jonction 
 Si la jonction est polarisée en sens direct CD : Capacité de diffusion. 
 
Si la jonction est polarisée en sens inverse CT : Capacité associée à la charge d’espace. 
 Avec C C
DT
ff . 
 
Dans le Transistor Bipolaire : 
 JBE  est polarisée en sens direct donc présence d’une capacité Cbe  
JBC  est polarisée en sens inverse donc présence d’une capacité Cbc  
 
Donc on aura : C C
be bc
ff avec pour ordre de grandeur : CpF CpF
be bc
≈ ≈100 2 et   à 3 . 
Ces capacités ont une impédance  1
ω. 
 
En continu :  1
ω⇒∞, et en B.F,  1
ωest très élevée. 
 
Ces capacités sont en parallèle sur des résistances plus faibles et de ce fait peuvent être négligées, sauf dans le 
cas d’une utilisation à haute fréquence (F>1Mhz), où elles prennent une réelles importance.