IUFM Préparation CAPET Génie Electrique
Page 3/19 L. LUBRANO 2000
2-4 Amplificateur à transrésistance XiXvA Rm1 1 2 2
= = = ; et .(La TRANSRESISTANCE).
L’amplificateur à transrésistance est idéal
si : vRi
mg2=..
iv
rv
Rv
RR
riR
rirR
ggi i
i
g
i
ggi
= + = +
= +
≈
1 1 1 1 1
1 1 si ff .
vRiR
R R RiR R
mL
oLmoL211
=+≈ si pp .
Donc vRi
mg2=. si les deux conditions précédentes sont respectées.
3 - Paramètres à considérer pour l’utilisation d’un Transistor Bipolaire en alternatif:
3-1 Les capacités de jonction
Si la jonction est polarisée en sens direct CD : Capacité de diffusion.
Si la jonction est polarisée en sens inverse CT : Capacité associée à la charge d’espace.
Avec C C
DT
ff .
Dans le Transistor Bipolaire :
JBE est polarisée en sens direct donc présence d’une capacité Cbe
JBC est polarisée en sens inverse donc présence d’une capacité Cbc
Donc on aura : C C
be bc
ff avec pour ordre de grandeur : CpF CpF
be bc
≈ ≈100 2 et à 3 .
Ces capacités ont une impédance 1
ω.
En continu : 1
ω⇒∞, et en B.F, 1
ωest très élevée.
Ces capacités sont en parallèle sur des résistances plus faibles et de ce fait peuvent être négligées, sauf dans le
cas d’une utilisation à haute fréquence (F>1Mhz), où elles prennent une réelles importance.