Ssi
PRINCIPES ET COMPORTEMENTS
DES PRODUITS
TRAITEMENT DE L'INFORMATION
Cours sur les transistors.doc
1
ère
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- Schéma de principe : (Placer les courants et les tensions sur le schéma)
- Relations entre courants :
- La loi des nœuds permet d'écrire :
I
E
= I
C
+ I
B
( 1 )
- D'autre part il existe une relation entre courant de base et courant collecteur due à l'effet
transistor. Cette relation s'écrit :
I
C
= β
ββ
β . I
B
(avec
β
ββ
β
= gain en courant du transistor)
REM : Ce coefficient
β
est souvent noté Hfe dans les catalogues constructeurs. Il est
parfois aussi appelé coefficient d'amplification statique en courant.
En régle générale
β
varie de 30 à 300 avec pour valeur courante :
- Transistors dit "Petit signaux" :
100 < β
ββ
β < 300
- Transistors dit de "Puissance" :
30 < β
ββ
β < 100
- La relation (1) peut alors s'écrire :
I
E
= β
ββ
β . I
B
+ I
B
soit
I
E
= ( β
ββ
β + 1) . I
B
REM : Si
β
ββ
β. I
B
est grand devant
I
B
(ce qui est le cas pour les transistors "Petits signaux")
on peut alors écrire :
β
ββ
β + 1 = β
ββ
β et I
E
= I
C
LE TRANSISTOR EN RÉGIME DE COMMUTATION
Il est alors considéré comme un "relais statique".
- Analogie Relais électromagnétique / Transistor :
Avec :
Ib = courant de base
Ic = courant de collecteur
Ie = courant dans l’émetteur
RB et RC = résistances de
limitation des courants Ic et Ib
Ib
Ic
Ie
V
BE
V
CE