PLAN DU COURS

PLAN DU COURS
• Chap 1. Les diodes
– I. Principe de la diode
• 1. Semi-conducteurs
• 2. Dopage
– a. type N
– b. type P
• 3. Jonction PN - diode
– a. Diode non polarisée
– b. Polarisation directe
– c. Polarisation inverse
• 4. Caractéristique d ’une diode
• 5. Droite de charge
• 6. Approximations d ’une diode
– a. diode idéale
– b. diode réelle
PLAN DU COURS
– II. Redressement
• 1. Alimentation stabilisée
• 2. Redresseur demi-onde
– a. diode idéale
– b. diode réelle
• 3. Redresseur en pont
– a. diode idéale
– b. diode réelle
– III. Régulation de tension
• 1. Généralités
• 2. Diode Zener
– a. principe
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– b. caractéristique
– c. régulation de tension
– d. modélisation
• 3. Régulateur Zener
– a. synoptique
– b. conduction de la Zener
– c. analyse des performances
• Chap 2. Le transistor bipolaire
– I. Présentation
• 1. Description et symboles
– a. transistor npn
– b. transistor pnp
• 2. Fonctionnement
– a. transistor non polarisé
– b. transistor polarisé
– c. rapport statique a
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– d. tension de claquage
– e. gain statique b
– f. conclusion
• 3. Caractéristiques
– a. collecteur
– b. base
– c. gain en courant
• 4. Droite de charge statique
• 5. Régimes linéaire et NL
– a. Transistor interrupteur
– b. Régime linéaire
• 6. Circuits de polarisation
–
–
–
–
a. de base
b. par réaction d ’émetteur
c. par réaction de collecteur
d. par division de tension
• 7. Polarisation universelle
• 8. Circuits à transistors pnp
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– d. tension de claquage
– e. gain statique b
– f. conclusion
• 3. Caractéristiques
– a. collecteur
– b. base
– c. gain en courant
• 4. Droite de charge statique
• 5. Régimes linéaire et NL
– a. Transistor interrupteur
– b. Régime linéaire
• 6. Circuits de polarisation
–
–
–
–
a. de base
b. par réaction d ’émetteur
c. par réaction de collecteur
d. par division de tension
• 7. Polarisation universelle
• 8. Circuits à transistors pnp
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– c. gain en tension à vide
– d. impédance d ’entrée
– e. impédance de sortie
• 3. Montage collecteur commun
–
–
–
–
–
a. montage initial
b. schéma équivalent dynamique
c. gain en tension à vide
d. impédance d ’entrée
e. impédance de sortie
• 4. Montage à base commune
–
–
–
–
–
a. montage initial
b. schéma équivalent dynamique
c. gain en tension à vide
d. impédance d ’entrée
e. impédance de sortie
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• 6. Applications à l ’amplification
– a. amplificateur à source commune
– b. amplificateur à drain commun
– c. amplificateur à grille commune
Chap 1. Les diodes
I.1. Semi-conducteurs
I.2. Dopage
• Semi-conducteur intrinsèque : cristal de silicium pur
• Dopage : ajout d ’atomes d ’impuretés pour
augmenter le nombre de charges à semi-conducteur
extrinsèque
– a. Type N
• ajout d ’atomes à 5 électrons sur la couche périphérique à
électrons porteurs majoritaires
– Arsenic (As), Antimoine (Sb), Phosphore (P)
– b. Type P
• ajout d ’atomes à 3 électrons sur la couche périphérique à trous
porteurs majoritaires
– Aluminium (Al), Bore (B), Gallium (Ga)
I.3. Jonction PN - Diode
I.3. Jonction PN - Diode
I.3. Jonction PN - Diode
I.4. Caractéristiques
I.4. Caractéristique
I.4. Caractéristique
• Polarisation directe :
– la diode ne conduit pas tant qu ’on n ’a pas surmonté la
barrière de potentiel
– Au-delà de Vd = 0,7 V, une petite augmentation de tension
implique une forte augmentation de courant
• Polarisation inverse : on obtient un courant
extrêmement petit
• diode : conducteur à sens unique
– Ne pas dépasser la tension de claquageet la puissance
limite
I.5. Droite de charge
I.5. Droite de charge
I.6. Approximations
I.6. Approximations
II. Redressement et filtrage
II.2. Transformateur
II.3. Redresseur demi-onde
II.3. Redresseur demi-onde
II.4. Redresseur en pont
II.4. Redresseur en pont
II.5. Filtrage
II.5. Filtrage
III. Régulation de tension
III.1. Généralités
III.2. Diode Zener
III.2. Diode Zener
III.2. Diode Zener
III.3. Régulateur Zener
III.3. Régulateur Zener
III.3. Régulateur Zener