Étude du bruit électrique basse fréquence dans des FinFETs n et p à triple grille sub-10 nm D. Boudier1, B. Cretu1, E. Simoen2, R. Carin1, A.Veloso2, N. Collaert2, A. Thean2 1 GREYC, UMR 6072 / ENSICAEN Université de Caen Normandie F-14000 Caen Cedex, France 2 Imec Kapeldreef 75 B-3001 Leuven, Belgium E-mail :[email protected] Résumé basse fréquence, donne accès à des informations sur les pièges situés dans la zone de déplétion du transistor [3]. Les mesures de bruit électrique en basse fréquence sont utilisées en tant qu’outil de diagnosticnon-destructif afin d’évaluer la qualité de l’oxyde de grille et du film de silicium dans des FinFETs à triple grille sub-10 nm. Il a été déterminé que les fluctuations du nombre de porteurs expliquent le bruit en 1/f en inversion modérée pour les FinFETs n et p, ce qui permet d’estimer la densité de pièges d’oxyde. La spectroscopie de bruit en fonction de la température (étude du bruit de génération-recombinaison) a mené à l’identification des pièges localisés dans le film de silicium des transistors. Dans cette contribution, le bruit électrique basse fréquence a été étudié dans des n et p-FinFETs à triple grille dans le but d’évaluer la qualité de ces composants. Tout d’abord le niveau de bruit en 1/f a été étudié en fonction de la tension de grille, puis le bruit de génération-recombinaison a été étudié en fonction de la température. 1. Introduction Afin de répondre aux spécifications de l’IRTS en termes de miniaturisation des CMOS, de nouveaux matériauxet de nouvelles architectures sont nécessaires [1].Les FinFETs à triple grille présentent un bon contrôle électrostatique sur lecanal. Ils sont également connus pour leur compatibilité avec les procédés CMOS dans le cadre de la loi de Moore [2]. Les mesures de bruit électrique basse fréquence peuvent être utilisées comme outil de diagnostic nondestructif pour identifier les pièges localisés dans le film de silicium et dans l’oxyde de grille, ce qui donne des informations sur la qualité de fabrication des transistors. L’étude du niveau de bruit en 1/f en fonction de la tension effective de grille VGT mène à l’identification de l’origine du bruit en 1/f. L’étude du bruit de générationrecombinaison (GR) est réalisée en fonction de la température pour un courant de drain constant. Cette technique de mesure, appeléespectroscopie de bruit 2. Composants et protocole expérimental Les composants de cette étude ont été fabriqués à imec (Belgique) pour les nœuds technologiques sub10 nm, dans le cadre d’une étude comparative entre des FinFETs à triple grille et des FETs nano-fils à grilletout-autour (en anglais « Gate-All-Around NanoWire FETs », GAA NW FETs) [4]. L’empilement de grille est constitué d’une couche interfaciale de SiO2 (1,5 nm), d’un diélectrique à haute permittivité diélectrique (1,5 nm HfO2) et d’une grille métallique (TiN). Il en résulte une épaisseur équivalente d’oxyde EOT = 1,9 nm.Tous les transistors ont 5 doigts haut de 22-23 nm ; la largeur de doigt varie de Wfin = 5 nm à 40 nm, ce qui donne une largeur totale de grille allant de Wm = 245 nm à 420 nm. La longueur de grille varie de Lm = 45 nm à 10 µm. Les transistors sont fabriqués sur un oxyde enterré (en anglais, « Burried oxide », BOX). Les mesures de caractéristiques I-Vet de bruit ont été réalisées sur le wafer en utilisant une station sous pointes Lakeshore TTP4. Les densités spectrales de puissance (DSP) du bruit de sortieSVout ont été mesurées à l’aide d’une instrumentation de mesure qui contient un amplificateur de transimpédance, un amplificateur de tension à faible bruit et un analyseur de spectre HP 3562A. Cette instrumentation de mesure, conçue dans notre laboratoire, permet de polariser les transistors en imposant les tensions VGS, VDSetVBS. Les DSP de bruit sont mesurées entre 1 Hz et 100 kHz. La DSP de tension de bruit ramenée à l’entrée SVG est obtenue en divisant la DSP de tension de bruit en sortie SVoutpar le carré du gain en tension entre la grille est la sortie du système. Ceci permet de s’affranchir des limitations de bande passante du dispositif. Le bruit basse fréquence a été mesuré en fonction de la température de 220 K à 300 K par pas de 20 K pour un courant de drain ID constant. La tension de drain a été fixée à VDS = 20 mV pour placer les transistors dans leur zone de régime linéaire, VBS = 0 V et la tension de grille VGS a été ajustée afin d’imposer un courant de drain constant allant de ID = 1 µA à 5 µA par pas de 0.5 µA. 3. Le bruitélectrique basse fréquence Les DSP de bruit peuvent se modéliser en utilisant une combinaison de trois sources de bruit : le bruit blanc (de niveau Kw), le bruit en 1/f (de niveau Kf) et le bruit de génération-recombinaison (lorentziennes de plateau Ai et de fréquence caractéristique f0,i). En considérant que les trois sources de bruit sont non-corrélées, la modélisation suit la formule suivante 𝑆𝑉𝐺 𝑓 = 𝐾𝑤 + 𝐾𝑓 𝑓𝛾 + 𝑖 𝐴𝑖 1+ 𝑓/𝑓 0,𝑖 2 , (1) L’exposant γ du bruit en 1/f peut être différent de 1 si la densité de pièges dans l’oxyde n’est pas uniforme en profondeur. La Fig. 1 est un exemple d’un spectre normalisé en fréquence obtenu à 300 K. Il a été modélisé à l’aide de l’équation (1). Cela permet d’identifier clairement les différents paramètres de bruit, en particulier les contributions des lorentziennes représentées par des bosses centrées autour de leur fréquence caractéristique. 3.1. Modèle du bruit en 1/f Plusieurs modèles ont été proposés pour expliquer le bruit en 1/f dans la couche d’inversion. Le modèle des fluctuations du nombre de porteurs (ΔN) a été le premier, décrit en 1957 par McWorther ; il suggère que les porteurs qui passent dans l’oxyde de grille par effet tunnel sont à l’origine du bruit en 1/f [5]. Le modèle de fluctuations de mobilité des porteurs (Δµ), décrit par Hooge en 1969, explique que le bruit en 1/f est dû aux diffusions de phonons [6]. Un modèle de fluctuations de nombre corrélées aux fluctuations de mobilité (ΔN+Δµ) a été proposé en 1990 [7, 8]. Il décrit que les pièges d’oxyde, qui capturent et libèrent des porteurs dans le canal, modifient le nombre de porteurs disponibles, ce qui provoque des fluctuations de mobilité en surface. La DSP de bruit de tension de grille s’écrit alors 𝑆𝑉𝐺 = 𝑆𝑉𝑓𝑏 1 + 𝛼𝐶 𝜇𝑒𝑓𝑓 𝐶𝑜𝑥 𝑉𝐺𝑇 2 , (2) où SVfb est la densité spectrale de tension de bandes plates, αC est le coefficient des interactions coulombiennes et µeff est la mobilité effective des porteurs. Cette équation n’émet aucune hypothèse quant au mécanisme inhérent aux fluctuations à la tension de bandes plates [9]. En considérant que le bruit dans la couche d’inversion et le bruit dans les régions de source et de drain ne sont pas corrélés, la contribution du bruit dans les résistances d’accès s’ajoute simplement au bruit dans le canal, comme décrit dans la formule [10] rT2 𝑆𝐼𝐷 = 𝑟𝑇 − 𝑟𝑎𝑐𝑐𝑒𝑠𝑠 2𝑆 𝐼𝐷 ,𝑐𝑎𝑛𝑛𝑒𝑙 +2 𝑟𝑎𝑐𝑐𝑒𝑠𝑠 2 2 𝑆𝐼𝐷 ,𝑎𝑐𝑐𝑒𝑠𝑠 . (3) La résistance d’accès dynamique pour les régions de source et drain est dénotée raccess, tandis que rT est la résistance dynamique totale du transistor. Comme le bruit dans les résistances d’accès peut se modéliser à 𝐾 l’aide de la formule 𝑆𝐼𝐷 ,𝑎𝑐𝑐𝑒𝑠𝑠 = 𝑟 𝐼𝐷2 [11], la DSP de 𝑓 tension de grille totale en fonctionnement ohmique peut s’écrire 𝑆𝑉𝐺 = 𝑟𝑇 −𝑟𝑎𝑐𝑐𝑒𝑠𝑠 𝑟𝑇2 2 𝑆𝑉𝑓𝑏 1 + 𝛼𝐶 𝜇𝑒𝑓𝑓 𝐶𝑜𝑥 𝑉𝐺𝑇 2 + 2 𝐾𝑟 𝑟𝑎𝑐𝑐𝑒𝑠𝑠 𝐼𝐷2 𝑓 2 2𝑟𝑇2 𝑔 𝑚 . (4) Le premier terme de (4) correspond au modèle ΔN+Δµ dans la couche d’inversion tandis que le second terme correspond au bruit dans les résistances d’accès, habituellement observé en forte inversion. 3.2. Pièges situés dans la zone de déplétion En régime de fonctionnement linéaire, la DSP de tension de grille du bruit de génération-recombinaisons dues aux pièges de la zone de déplétion peut s’écrire [12] 𝑆𝑉𝐺 ,𝑙𝑜𝑟 𝑓 = Figure 1. Comparaison entre une mesure de bruit et le modèle utilisant l’équation (1). Les contributions du bruit en 1/f (avec γ = 1), du bruit blanc et de trois lorentziennes ont été utilisées afin d’obtenir la meilleure concordance entre la mesure et le modèle. 𝐴𝑖 1+ 2𝜋𝑓 𝜏 𝑖 2 , (5) avec Ai leniveau du plateau et τi la constante de temps caractéristique de la lorentzienne. La fréquence caractéristique d’une lorentzienne est liée à sa constante de temps caractéristique par la relation τi = 1 / (2π f0,i). Le niveau de plateauAi d’une lorentzienne est défini par 𝐴𝑖 = 𝑞 2 𝑁𝑒𝑓𝑓 2 𝑊𝐿𝐶𝑜𝑥 𝜏𝑖 , (6) où q est la charge élémentaire, Neff est la densité surfacique (effective) de pièges associés à la lorentzienne et W et L sont respectivement la largeur effective et la longueur effective de grille. La constante de temps caractéristique τi d’un piège unique varie avec la température, suivant la formule [3] ln 𝜏𝑖 𝑇 2 = 𝐸𝐶 − 𝐸𝑇 𝑞 𝑘𝑇 + ln 3 ∗1/2 4𝑘 2 𝜎𝑛 6𝜋 2 𝑀𝑐 𝑚 𝑒 ∗3/2 (ΔN+Δµ)en inversion modérée. Quant au transistor à canal p, il suit le modèle de fluctuations de nombre de porteurs (ΔN) en inversion modérée tandis que le bruit en 1/f total en forte inversion semble être dû aux contributions du bruit des résistances d’accès [13]. , (7) 𝑚 où σn est la section de capture des pièges et EC-ET est la différence entre le niveau d’énergie de la bande de conduction et le niveau d’énergie du piège. k est la constante de Boltzmann, h est la constante de Planck, me* et mh* sont la masse effective des électrons et des trous, respectivement, et Mc est le nombre de minima d’énergie dans la bande de conduction. À partir des expressions (5) à (7), il est possible de tracer l’évolution de ln(τi∙T²) en fonction de 1/k∙T et d’extraire la section de capture des pièges et la différence des niveaux d’énergie à partir, respectivement, de l’ordonnée à l’origine et de la pente de la droite. 3.3. Méthodologie La densité spectrale de puissance de la tension de bruit équivalente ramenée sur la grille deSVG est obtenue à partir de la DSP mesurée et du gain du système, comme décrit dans la section 2. Utilisant le modèle décrit dans l’équation (1), les paramètres de bruit, c’està-dire le niveauKf du bruit en 1/f, le niveau de plateau Ai de chaque lorentzienne et la fréquence caractéristique f0,i de chaque lorentzienne sont estimés. Des mesures effectuées à une température donnéeen fonction de la polarisation de grille VGSpermettent d’observer l’évolution du niveau de bruit en 1/fet de déterminer le mécanisme de transport responsable. Les lorentziennes dont la fréquence caractéristique est indépendante de la tension de grille peuvent êtreconsidérées être liées aux pièges dans la zone de déplétion ; cependant leur fréquence caractéristique doit varier avec la température. Ces lorentziennes ont été étudiées dans le but d’identifier la nature des pièges dans le film de silicium, en utilisant (7) et en comparant la section de capture σn et la différence des niveaux d’énergie EC-ET avec des données dans la littérature. Ensuite il est possible d’extraire la densité surfacique de pièges Neff en traçant l’évolution du niveau de plateau de la lorentzienne en fonction de sa fréquence caractéristique, suivant l’équation (6). 4. Résultats et discussions Figure 2. Évolution du niveau Kf de bruit en 1/f en fonction de VGT, pour un FinFET à canal n et un FinFET à canal p avec les mêmes dimensions de grille. La courbe rouge correspond au modèle ΔN+Δµ en inversion modérée pour le n-FinFET (avec µ0 = 256 cm²/Vs), la ligne rose correspond au modèle ΔN en inversion modérée pour le p-FinFET et la courbe verte représente les contributions du bruit des résistances d’accès pour le p-FinFET en forte inversion. L’extraction de la DSP de tension de bandes plates SVfb mène à une estimation de la densité de pièges d’oxyde NT, selon la formule 𝑆𝑉𝑓𝑏 = 𝑓𝑊𝐿𝐶𝑜𝑥 , (8) avec λ la longueur d’atténuation tunnel dans l’oxyde de grille (≈ 0,1 nm pour le Si/SiO2). Les valeurs de densité de pièges obtenues varient de 6,5·1018à 18 -1 -3 12·10 eV ·cm pour les FinFETs à canal n et de 0,8·1018à 4,6·1018 eV-1·cm-3 pour les FinFETs à canal p, comme le montre la Table 1. Ces valeurs montrent de légères différences entre les composants à canal n et ceux à canal p, les derniers étant légèrement moins impactés par le bruit en 1/f. Néanmoins, les valeurs de densité de pièges d’oxyde autour de 1018 eV-1·cm-3 affichent une bonne qualité du procédé d’oxydation pour les deux types de canal. FinFETs canal n 4.1. Niveau du bruit en 1/f L’évolution du niveau Kfde bruit en 1/fen fonction de la tension de grille mène à l’identification de l’origine du bruit en 1/f. La Fig. 2 montre l’évolution de Kf pour des transistors à canal n et p, en les comparant au modèle donné par l’équation (2). On peut observer que lenFinFET suit le modèle de fluctuations de nombre de porteurs corrélées aux fluctuations de mobilité 𝑞2 𝑘𝑇𝜆𝑁𝑇 FinFETs canal p Wfin / Wm Lm SVfb NT (nm / nm) (nm) (V2 / Hz) (eV-1·cm-3) 20 / 320 20 / 320 30 / 370 30 / 370 20 / 320 20 / 320 30 / 370 30 / 370 70 250 70 250 70 250 70 250 6·10-9 8·10-9 3·10-9 2·10-9 2,2·10-9 0,6·10-9 1,2·10-9 0,7·10-9 6,5·1018 10·1018 12·1018 8,9·1018 2,4·1018 0,75·1018 4,6·1018 3,1·1018 Table 1. Synthèse des densités spectrales de tension de bandes plates SVfb et des densités de pièges d’oxyde NT pour différents FinFETs à canal n et p. 4.2. Bruit de génération-recombinaison Un exemple de l’évolution de la fréquence caractéristique f0,i des lorentziennes en fonction de la tension effective de grille VGT est présentée sur la Fig. 3 pour un FinFET à canal n à températureambiante.On peut remarquer que la fréquence caractéristique de certaines lorentziennes augmente avec VGT (elles peuvent être attribuées aux pièges situés dans l’oxyde de grille) alors que la fréquence caractéristique des autres lorentziennes reste constante quelque soit la tension de grille appliquée (ces lorentziennes sont liées aux pièges localisés dans la zone de déplétion) [14]. Seules ces dernières lorentziennes, représentées dans la Fig. 4, ont été prises en compte afin de réaliser spectroscopie de bruit. sélective des sources et drains en déposition à vapeur chimique. Les bilacunes peuvent êtres dues aux recombinaisons ou évolutions d’un défaut instable vers un état stable, comme des paires Frenkel, ce qui peut être généré pendant l’implantation [19].Les pièges identifiés sont regroupés dans la Table 2, qui montre la différence entre les niveaux d’énergie de la bande de conduction et du piège, la section de capture des électrons et les températures d’activation des pièges. Figure 5. Exemple de diagramme d’Arrhenius pour un FinFET à canal n, menant à l’identification des pièges du film de silicium. Figure 3. Évolution de la fréquence caractéristique f0,i des lorentziennes en fonction de la tension effective de grille VGT. Pour toutes les lorentziennes associées aux pièges précédemment identifiés, le niveau de plateau Ai et la constante de temps caractéristique τi ont été relevés. Pour chaque piège, les niveaux de plateau ont été tracés en fonction des constantes de temps caractéristique, ce qui donne lieu à une dépendance linéaire comme le montre la Fig. 6. En utilisant (6), la pente des régressions linéaires mènent aux densités surfaciques (effectives) de pièges Neff, qui ont été extraites pour les pièges liés au V2H, V2 et VOH. Les valeurs estimées de ces densités surfaciques de pièges sont de 4,32·1010 cm-2, 0,862·1010 cm-2et 12,8·1010 cm-2pour V2H, V2 (0/-) et VOH, respectivement. Figure 4. Exemple de DSP de bruit de tension de grille normalisées par la fréquence, à différentes températures T, à VDS = 20 mV et à ID = 2 µA. L’augmentation de la fréquence caractéristique des lorentziennes (associées aux pièges dans le film Si) avec la température est représentée par des flèches. L’évolution de la fréquence caractéristique des lorentziennes en fonction de la température permet de tracer un diagramme d’Arrhenius, comme présenté dans la Fig. 5 pour un FinFET à canal n avec Wm = 10 nm et Lm = 70 nm. La nature de ces pièges peut être identifiée en comparant l’énergie et la section de capture des pièges extraites avec des données dans la littérature. Ces pièges sont liés à l’hydrogène (V2H et VOH) [15-17], l’état accepteur chargé négativement (0/-) de la bilacune V2 [16,18] et au complexe phosphore-lacune (V-P) [17]. La présence de pièges V2H et VOHpeut être liée au précurseur SiH4 employé lors de la croissance épitaxiale Figure 6. Estimation des densités surfaciques de pièges Neff à partir de l’évolution linéaire du niveau de plateau Aiavec la constante de temps caractéristique τi (associée au même piège). V2H V2(0/-) V-P VOH EC – ET σn T Neff (eV) (cm2) (K) (cm2) 0,45 0,42 0,44 0,32 1,4·10-16 3,8·10-16 7,5·10-15 1,3·10-15 260 – 300 220 – 260 240 – 260 220 – 260 4,32·1010 0,862·1010 12,8·1010 Table 2. Synthèse des paramètres des pièges identifiés. 5. Conclusion Les études du bruit électrique en basse fréquence ont montré que le bruit en 1/f provient principalement des fluctuations de nombre de porteurs. L’étude de l’évolution du niveau Kf de bruit en 1/fen fonction de la tension de grille permis l’estimation des densités de pièges d’oxyde pour les FinFETs à canal n et p. Les densités de pièges estimées varient autour de NT≈ 1018 eV-1·cm-3, ce qui reflètent une bonne qualité de procédé d’oxydation. La spectroscopie de bruit basse fréquence consiste dans l’étudede l’évolution du bruit de générationrecombinaison en fonction de la température. Les variations de la fréquence caractéristique des lorentziennes ont mené à l’identification des pièges du film de silicium, qui sont liés soit à de l’hydrogène soit à des bilacunes, ainsi qu’à une estimation de leur densité effective. À partir de la nature des pièges, il peut être envisagé que les étapes technologiques liées l’implantation et l’utilisation de croissance épitaxiale sélective soient les principales causes des pièges observés. Références [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] International Technology Roadmap for Semiconductors: http://www.itrs.net . S. Natarajan et al., “A 14nm logic technology featuring 2nd generation FinFET transistors, air-gapped interconnects, self-aligned double patterning and a 0.0588µm² SRAM cell size”, IEDM Tech. Dig. 2014, pp. 71-73, 2014. V. Grassi, C.F. Colombo and D.V. Camin, “Low frequency noise versus temperature spectroscopy of recently designed Ge JFETs”, IEEE Trans. Electron Dev. 48, pp. 2899-2905, 2001. A. 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