4TABLE DES MATIÈRES
2.4.4 Construction du tableau de Karnaugh ..................... 40
2.4.5 Règles de simplification ............................. 41
2.4.6 Fonctions non complètement définies ...................... 42
2.4.7 Pertinence de la méthode ............................ 42
2.5 Représentation schématique des fonctions logiques .................. 43
2.6 Quelques fonctions combinatoires importantes ..................... 44
2.6.1 Fonctions d’aiguillage : multiplexeurs ...................... 44
2.6.2 Opérateurs de comparaison ........................... 44
2.7 Annexes .......................................... 46
2.7.1 Exercice de consolidation ............................ 46
2.7.2 Bibliographie ................................... 48
3 Opérateurs arithmétiques 49
3.1 Introduction ........................................ 49
3.2 Représentation (codage) des nombres .......................... 49
3.2.1 Représentation Simples de Position ....................... 49
3.2.2 Conversions entre Bases ............................. 50
3.2.3 Représentation en Signe et Valeur Absolue .................. 51
3.2.4 Représentation en Complément à 2 ....................... 51
3.2.5 Autres Codes ................................... 52
3.3 Fonctions arithmétiques ................................. 53
3.3.1 Additionneur ................................... 53
3.3.2 Soustracteur ................................... 55
4 Du silicium aux transistors 59
4.1 Introduction ........................................ 59
4.1.1 Historique ..................................... 59
4.1.2 Objectifs ..................................... 59
4.1.3 Organisation de la leçon ............................. 59
4.2 Circuit élémentaire .................................... 60
4.3 Rappels de physique simplifiée ............................. 61
4.3.1 Notion de courant ................................ 61
4.3.2 Conducteur, semi-conducteur, dopages ..................... 62
4.3.3 La jonction PN .................................. 65
4.4 Composants MOS .................................... 66
4.4.1 Première étape : la résistance .......................... 66
4.4.2 Seconde étape : la diode ............................. 67
4.4.3 Troisième étape : le transistor bipolaire .................... 67
4.5 Le transistor MOS .................................... 68
4.5.1 Le fonctionnement des transistors CMOS ................... 68
4.5.2 Connexions des transistors ........................... 70
4.6 Modèle électrique ..................................... 70
4.6.1 Les jonctions ................................... 70
4.6.2 Formation du canal : la capacité MOS CGB .................. 70
4.6.3 Le courant drain-source (VGB > VTN)..................... 72
4.6.4 Le condensateur élémentaire ........................... 72
4.6.5 Calcul de IDS ................................... 73
4.6.6 Le courant IDS en résumé ............................ 76
4.6.7 La tension de seuil ................................ 76
4.6.8 Conclusion sur le courant IDS .......................... 78
4.6.9 Modélisation des capacités ............................ 78
4.6.10 Schéma du modèle ................................ 79
4.7 Caractéristiques de la technologie CMOS ....................... 80
4.7.1 Intégrabilité .................................... 80
4.7.2 Diminution des géométries “scaling down” ................... 80
4.8 Bibliographie ....................................... 81