Etude du comportement de la jonction émetteur

N° d'ordre E.C.L. 82-03 ANNÉE 1982
THÈSE
présentée devant
L'ÉCOLE CENTRALE DE LYON
pour obtenir
le titre de DOCTEUR-INGÉNIEUR
Spécialité: Electronique
((Dispositifs de I'Electronique Intégrée »
par
Dominique Sebille
Ingénieur I.N.S.A. LYON
soutenue le 27 avril 1982 devant la Commission d'examen
Jury MM. J.J. URGELL Président
J..L. AUCOUTURIER
J. BELMAS
J.P. CHANTE
A. MIRCEA
P. PINARD
ÉTUDE DU COMPORTEMENT DE LA JONCTION ÉMETTEUR- BASE
D'UN TRANSISTOR SILICIUM
A TRÈS HAUTE DENSITÉ D'INTÉGRATION
Examinateurs
I

N° d'ordre : E.C.L. 82-03 ANNÉE 1982
THÈSE
présentée devant
L'ÉCOLE CENTRALE DE LYON
pour obtenir
le titre de DOCTEUR-INGÉNIEUR
Spécialité: Electronique
« Dispositifs de l'Electronique Intégrée »
par
Dominique Sebille
Ingénieur I.N.S.A. LYON
soutenue le 27 avril 1982 devant la Commission d'examen
Jury MM. J.J. URGELL Président
Ji. AUCOUTURIER
J. BELMAS
J.P. CHANTE Examinateurs
A. MIRCEA
P. PINARD
ECOLE CENTRALE DE LYON
BIBLIOTHEQUE
BR 163 F-69131 ECULLY CEDEX
ÉTUDE DU COMPORTEMENT DE LA JONCTION ÉMETTEUR- BASE
D'UN TRANSISTOR SILICIUM
A TRÈS HAUTE DENSITÉ D'INTÉGRATION
î iftS

MECANIQUE DES SURFACES
MECAN1QUE DES FLUIDES ET ACOUSTIQUE
ECOLE CENTRALE DE LYON
DIRECTEUR A. MOIROUX
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DEPARTEMENTS D'ENSEIGNEMENT ET DE RECHERCHE
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MACHINES THERMIQUES X. LYS
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CONCEPTiON ET DEVELOPPEMENT DE PRODUITS R. RUSSIER
E. DELALANDE

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F. MONTAIGNE
"Les Essais (livre III, Chap.XII)