insérée entre la cathode et l’anode. En appliquant une faible tension (appelée tension de
commande) entre la grille et la cathode, on peut faire varier dans de très grandes proportions
le nombre d’électrons parvenant à l’anode, donc le courant électrique traversant le tube. La
triode constitue en somme un amplificateur électronique, capable de transformer un signal de
faible amplitude (la tension de commande) en un signal de grande amplitude (le courant
parvenant à l’anode).
Dès les années 30, les tubes électroniques furent détrônés sur certains points par l'essor de
composants solides, plus simples d’emploi, robustes, moins encombrants et moins
gourmands en énergie : les semi-conducteurs. Dès 1949, les laboratoires de Bell Telephone
aux États-Unis fabriquèrent un composant solide ayant des caractéristiques proches de celles
de la triode : le transistor. Ce mot vient de la contraction de transfert resistor, ce qui signifie en
français " résistance de transfert ". Le principe en a été inventé par trois chercheurs, John
Bardeen, William B. Shockley et Walter H. Brattain, mais, en dépit du prix Nobel de physique
qu’ils ont obtenu en 1956, ne leur a pas valu une notoriété à la dimension de leur invention…
Fabrication des transistors
Avant d'expliquer ce qu'est un transistor, il faut rappeler qu’il existe deux types de semi-
conducteurs " dopés ", c'est-à-dire dans lesquels des atomes " étrangers " ont été mêlés à la
structure cristalline : les semi-conducteurs de type N, caractérisés par la présence d’électrons
mobiles (ou de conduction) en leur sein, et les semi-conducteurs de type P, où le passage du
courant est assuré non par des électrons, mais par des " trous ", particules fictives de charge
électrique positive, équivalentes à un manque d'électron. A la jonction de deux transistors,
l’un de type P, l’autre de type N, se produit un phénomène étrange, à la source de toute
l’électronique moderne, la semi-conductivité : le courant passe dans un sens, de P vers N,
lorsque les électrons rentrent dans les trous, mais pas dans le sens inverse, de N vers P, car
on ne peut arracher un électron d’un trou…
Les transistors inventés en 1949 tiraient parti de l’existence de deux jonctions de ce type : ils
étaient constitués de sandwiches de semi-conducteurs à dopages alternés (figure 2) obtenus,
par exemple, en intercalant une fine tranche de semi-conducteur P entre deux semi-
conducteurs N. Dans ce cas, la première couche, dopée N, porte le nom d’émetteur, car elle
joue le même rôle que la cathode dans une triode : elle émet des électrons vers le reste du
composant. Une faible proportion de ces électrons se combine avec des trous de la couche
intermédiaire de type P, appelée base. Ceux qui restent sont recueillis dans la deuxième
couche N, appelée collecteur, qui joue un rôle analogue à celui de l’anode dans la triode.
Dans cette affaire, la base remplit une fonction similaire à celle de la grille. C'est elle qui
permet de contrôler le flux d’électrons parvenant jusqu'au collecteur.