LICENCE DE PHYSIQUE
ELECTRONIQUE
TP N°7
TRANSISTOR : REGIME DYNAMIQUE
Le but de ce TP est de construire un étage amplificateur en émetteur commun, à résistance
d'émetteur découplée, alimenté sous 15 V et possédant les caractéristiques suivantes :
Impédance d’entrée : 3,3 kΩ et gain en tension : ~ 80.
Le point de fonctionnement sera choisi de manière à être centré sur la droite de charge
dynamique.
R
2
R
C
+15V
v
so rt ie
v
en trée
C
E
C
1
R
E
R
1
1) Calculs
• Calculez tout d'abord les éléments du montage (R
C
, R
E
, R
1
, R
2
, C
1
, C
E
) afin de
répondre aux spécifications. Pour faire le calcul on pourra prendre un h
11e
de 10%
plus fort que l'impédance d'entrée requise afin de tenir compte à priori de
l'abaissement d'impédance d'entrée qui sera due au pont de résistance de base.
• Vous devrez utiliser le β d'un des transistors que vous avez caractérisé au cours des
TP précédents (prenez celui qui est le plus faible). Sur du papier millimétré (où
mieux sur vos courbes I
C
= f(V
CE
) tracées au cours du TP N°5), tracez les droites de
charge statiques et dynamiques et indiquez le point de fonctionnement.
• Quelle sera la tension maximum de sortie crête à crête ? Cette tension, compte tenu
du gain de l'amplificateur, est-elle compatible avec la tension d'entrée minimale
délivrée par le générateur ?
• Faire la simulation au moyen de TINA
2) Montage
• Avant de faire le cablage, essayez de réfléchir à une implantation rationelle des
éléments. N'utilisez pas de fils trop longs ; ils sont générateurs de bruit. Prévoir un
potentiomètre de réglage sur le pont de base de façon à ajuster le point de
fonctionnement.
• Ajustez le point de fonctionement.
• Vous sélectionnerez pour v
entrée
un signal sinusoïdal.