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L’énergie de gap est plus faible que dans l’isolant. Il est plus facile de faire passer un électron de la
bande de valence à la bande de conduction. C’est le cas des semi-conducteurs.
On peut également doper les semi-conducteurs pour améliorer leurs performances en y ajoutant des
impuretés. Par exemple, si on utilise du silicium cristallin :
Le matériau est dopé n, on ajoute des électrons libres. On obtient ainsi une amélioration de la conductivité.
Le matériau est dopé p, on ajoute des trous provoquant un déficit d’électrons. On a ainsi une amélioration de la
conductivité.
LA JONCTION PN
Le matériau dopé N correspond à un ion positif (quand l’électron sera parti) associé à un élément négatif. Le
matériau dopé P correspond à un ion négatif (quand le trou aura été comblé) associé à un élément positif.
Pour former une diode, on accole une zone N et une zone P. les électrons libres de la zone N vont diffuser pour
combler les trous de la zone P. On aura d’un côté les ions négatifs et de l’autre les ions positifs (zone de
charge). On crée donc un champ électrique dirigé vers la gauche (sur le schéma). A un moment donné, il n’y a
plus de mouvement net de charge, la jonction PN est ainsi à l’équilibre. La diode est un dipôle polarisé.