Exercices - Physique 2500 – Hiver 2009 8ie exercice : (à remettre le jeudi 2 avril) Question 1 : Écrire un résumé (~300-500 mots) du chapitre 8, seulement la partie que nous avons couverte. N’utilisez pas d’équations, déterminez les points importants, les objectifs du chapitre et les nouveaux concepts que vous avez appris. Question 2 : Kittel chapitre 8, problème 1. Question 3 : Kittel chapitre 8, problème 2, partie a) seulement. Question 4 : Calculez la concentration d'électrons et de trous pour la GaAs intrinsèque (non dopé) à une température de 300 K. Pour la masse des trous, utilisez seulement la masse des trous lourds. Vous deviez obtenir une réponse pour np qui est un peu plus bas que la valeur mentionnée à la page 198 de Kittel. Expliquez comment, physiquement, en tenant compte des trous légers et des trous "split off" cela fera augmenter votre valeur. Question 5 : (TP indices) Structure semi-conductrice à confinement quantique Considérez un semi-conducteur avec un gap d’énergie de 1.5 eV et des masses effectives m e =mh =0 . 1m . Calculez l’augmentation du gap d’énergie lorsque le semi-conducteur est confiné dans les structures suivantes : a) Un puits quantique (D=2) avec largeur du puits égale à 10 nm. b) Un fil quantique (D=1) avec dimensions Lx=Ly=10 nm. c) Un point quantique (D=0) avec dimensions Lx=Ly=Lz=10 nm. Question 6 : (TP) Oscillations de Bloch Pour cette question, utilisez la dispersion électronique ε k =ε o −2hcos ka . a) Supposons que nous n’avons qu’un seul électron dans cette bande. S’il n’y a pas de force appliquée, l’électron se retrouve dans l’état de plus basse énergie donc au centre de la zone (k=0). Si on applique un champ électrique E dans la direction gauche, alors la force sur l’électron est vers la droite (charge négative). En vous servant de l’expression : ℏ dk =eE dt trouvez l’expression pour k(t). b) En vous servant de l’expression en a) et de l’expression pour la vitesse de groupe obtenue dans la partie précédente, démontrez que l’expression de la vitesse de groupe en fonction en temps est : v g t = 2 ha eEa sin t ℏ ℏ c) L’expression précédente montre que l’électron effectue un mouvement oscillatoire. Quelle est la fréquence de son mouvement ? d) Quelle est l’étendue du mouvement (distance) que cet électron parcourt ? Cette question n’est pas seulement un exercice académique, ce phénomène est observé! Un champ électrique statique donne lieu à un courant oscillant dans un semi-conducteur très pur! Question 7 : (TP) Semi-conducteurs 1) Quel est le niveau d’énergie d’un donneur pour le GaAs, sachant que le gap d’énergie est de 1.5 eV, la masse effective des trous est de 0.66 me, celle des électrons de 0.07 me et la constante diélectrique de 13.13 ? 2) Quel est le rayon de Bohr de l’électron de ce donneur ? 3) Sachant que la concentration de porteurs intrinsèques (porteurs dans un semi-conducteur non dopé) de InSb (Eg=0.18 eV) est de 1x1015 cm-3 à température ambiante (300 K), si nous avons maintenant un échantillon dopé avec une concentration de 1016 cm-3 donneurs, quelle sera la concentration de trous ? 4) Quelles sont les concentrations intrinsèques pour le InSb à une température de 200K ?