transistors

TP3 : transistors
Laboratoire de Physique III - Electronique
Année 2015-16
Sergio Gonzalez Sevilla
[email protected]h

Sergio Gonzalez-
Sevilla
Sergio Gonzalez Sevilla (UniGe) - Année
Rappel: courbe caractéristique d’une diode
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2015-16

Sergio Gonzalez-
Sevilla
Sergio Gonzalez Sevilla (UniGe) - Année
Transistor Bipolaire à Jonction
•Transistor Bipolaire à jonction (BJT: Bipolar Junction Transistor)
‣trois régions à semi-conducteurs dopés, séparés par deux jonctions PN
๏émetteur (E): fortement dopée
๏base (B): étroite, légèrement dopée
๏collecteur (C): large, dopage plus faible que celui de l’émetteur
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2015-16
Transistor Bipolaire
NPN
E
C
B
(émetteur)
(Base)
(collecteur)
n+
n
p
N
P
N
jonction
base-collecteur
jonction
base-émetteur
E
B
C
SiO2
n+
n
p
collecteur
émetteur
base
contacts aluminium

Sergio Gonzalez-
Sevilla
Sergio Gonzalez Sevilla (UniGe) - Année
Transistor Bipolaire à Jonction
•Transistor Bipolaire à jonction (BJT: Bipolar Junction Transistor)
‣trois régions à semi-conducteurs dopés, séparés par deux jonctions PN
๏émetteur (E): fortement dopée
๏base (B): étroite, légèrement dopée
๏collecteur (C): large, dopage plus faible que celui de l’émetteur
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2015-16
Transistor Bipolaire
PNP
E
C
B
(émetteur)
(Base)
(collecteur)
p+
p
n
P
N
P
jonction
base-collecteur
jonction
base-émetteur
E
B
C
SiO2
p+
p
n
collecteur
émetteur
base
contacts aluminium

Sergio Gonzalez-
Sevilla
Sergio Gonzalez Sevilla (UniGe) - Année
Transistor non polarisé
•Transistor bipolaire NPN (n+pn):
‣les électrons sont majoritaires dans l’émetteur et le collecteur
‣les trous sont majoritaires dans la base
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2015-16
B
C
E
electron libre trou
jonction base-
émetteur (BE)
jonction base-
collecteur (BC)