Introduction aux architectures matérielles Sommaire Les transistors

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Transistors
Portes logiques
Architecture de von Neumann
Sommaire
Introduction aux architectures matérielles
Transistors et architecture de Von Neumann
Transistors
Sylvain Chevallier
[email protected]
Portes logiques
IUT de Vélizy
Université de Versailles Saint-Quentin
Architecture de von Neumann
26 janvier 2015
S. Chevallier
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Les transistors
Les transistors
• Utilisent 3 semi-conducteurs : le silicium Si, le germanium Ge et
• 3 broches (drain, grille, source)
l’arséniure de gallium AsGa
• interrupteur contrôlé par la grille
• Deux types de mélanges : n et p, disposant d’un électron en plus ou
en moins
• Technologie appelée CMOS (Complementary
Metal-Oxide-Semiconductor) ou MOSFET
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Loi d’Ohm
La mémoire vive
• Le courant va d’un point de potentiel élevé vers un point de
potentiel faible
RAM : Random Access Memory
• Analogie directe entre le potentiel et la pression, le courant et le
• Stockage temporaire des données
débit
• Temps de cycle court pour ne pas ralentir le processeur
• Pour un tuyau donné, le débit est proportionnel à la différence de
• Souvent volatile (perte d’information lorsqu’elles ne sont plus
pression entre ses extrémités
• débit =
alimentée)
différence de pression
diamètre
Deux types de RAM
• les RAM statiques (SRAM)
débit exprimé en Ampères (A)
• les RAM dynamiques (DRAM)
différence de potentiel en Volts (V)
impédance ou résistance en Ohms (Ω)
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La mémoire vive
Comparaison
SRAM : bascule de 4 ou 6 transistors
La DRAM, par rapport à la SRAM, est :
• Plus compacte
• Consommation réduite
• Condensateur doit être rafraîchi régulièrement
→complique la gestion
→augmente le temps d’accès
• Toute lecture est destructive
DRAM : information stockée dans un condensateur
→réécriture obligatoire
La DRAM, choix privilégié pour la mémoire centrale :
• Plus grande densité, coût par bit plus faible
La SRAM, pour les caches et les registres :
• plus rapides mais plus chères
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Bref historique de la DRAM
DRAM
DRAM FPM Fast Page Mode, 1987, 33 à 50 MHz. Asynchrones. Ajout
des pages mémoires.
DRAM EDO Extended Data Out, 1995, 33 à 50 MHz. Asynchrones.
Cycles de rafraîchissement plus long.
DRAM BEDO Bursted EDO, 1996, 66 MHz. Asynchrones. Blob
d’écriture pour accélérer les E/S.
SDRAM Synchronous DRAM, 1997, 100 MHz. Synchronization des
E/S, suppressions des temps d’attentes.
DDR SDRAM Double Data Rate SDRAM, 2000, 133 à 200 MHz.
Utilisent le front montant et descendant pour synchroniser
les E/S.
DDR2 SDRAM 100 à 600 MHz. Double la fréquence du bus.
DDR3 SDRAM 400 à 1066 MHz. Réduction de la consommation,
augmentation de la capacité de prélecture.
DDR4 SDRAM 2133 MHz à 3,2 GHz (théorique). Baisse de la tension et
augmentation de la fréquence.
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EDO SDRAM (1995)
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DDR3 SDRAM (2011)
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Les mémoires mortes
La ROM
• Permet la conservation des information même sans alimentation
électrique
• ROM : Read Only Memory
• Mémoires non-volatiles
• Inscription en mémoire possible mais coûteuse, appelée
programmation
Plusieurs types de ROM :
• ROM
• PROM
• EPROM
• EEPROM
• Flash EPROM
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• Programmée en usine, aucune modification, densitée élevée
• Mémoire rapide, production en grande quantitée
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Les ROM programmables
La Flash EPROM
Deux types de mémoires flash : NAND et NOR
La Programmable ROM (PROM)
NOR architecture semblable au EEPROM, assemblage de
cellules élémentaires
• Les liaisons à diodes de la ROM sont remplacées par des fusibles
• Génération de court-circuits pour supprimer les fusibles
NAND interface d’E/S indirecte, structure plus petite
• Claquage en quelques minutes, coût faibles mais modification
impossible
L’Erasable Programmable ROM (EPROM)
• Point mémoire avec un transistor FAMOS
• Programmable et effacable (exposition aux UV pendant 20 min)
• Écriture lente, pas d’effacement partiel
L’Electrically EPROM (EEPROM)
• Transistor SAMOS, programmable et effacable électriquement
• Flash NAND à un coup et une consommation réduite, mais ne
• Effacement par mot possible, très lente et relativement chère
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permet pas une lecture octet par octet
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Table de vérité
Algèbre de Boole
A, B et C booléens
• Table de vérité de la fonction AND à trois entrées
• A + 0 = A, A + 1 = 1, A.0 = 0, A.1 = A, A + A = A, A.A = A
• A.Ā = 0, A + Ā = 1, ( ¯A) = A
commutativité A + B = B + A, A.B = B.A
associativité A + (B + C ) = (A + B) + C , A.(B.C ) = (A.B).C
distributivité A.(B + C ) = A.B + A.C , A + B.C = (A + B).(A + C )
• Table de vérité de la fonction NOR à trois entrées
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Théorème de De Morgan
¯ = Ā + B̄, A +
¯ B = Ā.B̄
A.B
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Les composant d’un processeur
• Rôle du processeur
• Exécuter des instructions, faire des calculs
• Fonctionnement
• Lire des nombres en entrée (binaire)
• Mémoriser l’instruction à exécuter sur ces données
• Fournir des nombres en sortie (binaire)
• Gestion des données
• Il faut de la mémoire pour conserver les résultats d’un calcul
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Ce processus est à répéter, en changeant les instructions après chaque
opération :
UAL Unité Arithmétique et Logique, avec l’additionneur comme
composant de base
Registres d’écriture, de lecture et des registres internes pour la
gestion de l’opération en cours
Mémoire pour le stockage temporaire
Compteur pour cadencer les exécutions
Multiplexeurs pour aiguiller les données et les instructions
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Le multiplexeur
L’additionneur
A une donnée
B une donnée
Bus d’entrée A et B
Bus de sortie C
Somme arithmétique
CDE commande
d’aiguillage
S égale à A ou B
suivant la valeur de
CDE
• l’aguillage en gras est
Définition d’un bus
commandé par le signal CDE
Un ensemble de connexions de 1 bit. Un bus de n bit peut prendre 2n
valeurs.
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La bascule D-latch
Le registre
Mémoire élémentaire de 1 bit
Mémoire élémentaire de n bits ou case mémoire
D : entrée
EN : contrôle
Q : sortie
La cellule fige la dernière
valeur de D quand EN passe
à0
n cellules mémoire commandées par
la même horloge
• E est un assemblage (bus) de plusieurs bits Di
• S est un bus de plusieurs bits Qi
• Le registre est l’association de n bascules D en parallèle
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Mémoire élémentaire
ADR
0
1
2
3
4
5
Question
D3
1
D2
0
D1
1
D0
0
1
1
0
1
ADR
0
1
2
3
4
5
D3
1
D2
0
D1
1
D0
0
1
1
0
1
Bus R/W
Bus R/W
Rendez-vous sur m.socrative.com dans l’espace 89b405e3
Quelle est la taille de cette mémoire élémentaire ?
Sur le bus, on trouve :
lecture valeur de l’adresse, le mode (R). Les données sont
chargées sur le bus.
écriture valeur de l’adresse, le mode (W). Les données sont lues
depuis le bus.
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3 cases mémoire de 3 bits chacune
2
5 cases mémoire de 4 bits chacune
3
6 cases mémoire de 4 bits chacune
4
4 cases mémoire de 6 bits chacune
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Question
Le compteur
ADR
0
1
2
3
4
5
D3
1
D2
0
D1
1
D0
0
1
1
0
1
Bus R/W
• Q : valeur de sortie sur 4 bits (Q3, Q2, Q1, Q0)
Rendez-vous sur m.socrative.com dans l’espace 89b405e3
Quelle est la taille de cette mémoire élémentaire ?
1
• P : valeur de préchargement sur 4 bits
• LD : (load) commande de préchargement
3 cases mémoire de 3 bits chacune
2
5 cases mémoire de 4 bits chacune
3
6 cases mémoire de 4 bits chacune
4
4 cases mémoire de 6 bits chacune
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• H : horloge du compteur
• Reset : remise à 0 du compteur
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Unité Arithmétique et Logique
La machine de von Neumann
• L’UAL est la partie du processeur dédiée aux calculs
• Elle dispose de mémoire rapide de type cache
• Opérations arithmétiques (addition, soustraction, . . .)
• Opérations logiques (ET, OU, comparaison, décalage, . . .)
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La machine de von Neumann
Pour essayer
Machine de von Neumann en ligne :
http://vnsimulator.altervista.org/index.php
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