iv
RÉSUMÉ
La résolution spatiale des capteurs d’images couleur actuels, qu’ils soient de type CCD
(Charge-Coupled Device) ou à base de circuits CMOS (Complementary Metal-Oxide-
Semiconductor), est limitée par leur méthode de discrimination des couleurs. En fait,
comme la plupart des photodétecteurs ne sont sensibles qu’à l’intensité de la lumière et
non pas à sa longueur d’onde, il faut déposer un filtre chromatique à la surface du
capteur pour ne transmettre que la longueur d’onde désirée vers chaque photodétecteur.
On extrapole par la suite la couleur équivalente d’un regroupement de pixels à l’aide
d’algorithmes mathématiques, ce qui restreint l’atteinte d’une résolution spatiale
comparable à celle d’une pellicule chimique photosensible de bonne qualité. De surcroît,
la déposition du filtre chromatique réduit la sensibilité du capteur en absorbant une
partie de l’énergie lumineuse, ce qui impose une restriction supplémentaire au niveau de
la gamme dynamique. Dans le but de corriger ces lacunes, l’équipe de recherche du
professeur Yves Audet a développé et breveté un photodétecteur innovateur permettant
la discrimination des couleurs sans recourir à un filtre chromatique. Réalisable en
technologie CMOS standard, ce photodétecteur est un candidat idéal pour l’intégration
des circuits périphériques de traitement des signaux et la réalisation d’un circuit intégré
de type COC (Camera On Chip). Le présent travail de recherche s’inscrit dans le
processus de développement et de caractérisation de ce photodétecteur. Plus
spécifiquement, il consiste à concevoir les circuits analogiques de traitement de signal en
vue d’obtenir un capteur d’images intégré complet comportant trois sorties analogiques
qui correspondent aux couleurs détectées par le photodétecteur. Pour ce faire, une
nouvelle topologie de pixel actif APS (Active Pixel Sensor) a été développée à partir des
caractéristiques expérimentales du photodétecteur. Par la suite, les circuits analogiques
de traitement du signal périphériques ont été conçus afin de compléter le système
d’acquisition d’images. Le prototype a été fabriqué en technologie 0.25μm 3.3V et les
résultats obtenus témoignent du fonctionnement adéquat des circuits conçus.