Chap 4: Transistor Bipolaire
TRANSISTOR
BIPOLAIRE
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Références:
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•H. Mathieu, « Physique des semi-conducteurs et des composants
électroniques », 4° édition, Masson 1998.
•D.A. Neamen, « semiconductor physics and devices », McGraw-Hill, Inc 2003.
•P. Leturcq et G.Rey, « Physique des composants actifs à semi-conducteurs »,
Dunod Université, 1985.
•J. Singh, « semiconductors devices :an introduction », McGraw-Hill, Inc 1994.
•Y. Taur et T.H. Ning, « Fundamentals of Modern VLSI devices », Cambridge
University Press, 1998.
•K.K. Ng, « complete guide to semiconductor devices », McGraw-Hill, Inc 1995.
•D.J. Roulston, « Bipolar semiconductor devices », McGraw-Hill, Inc 1990.
Plan
•Principe de fonctionnement
•Caractéristiques statiques
•Équations d’Ebers-Moll
•Paramètres statiques – gains
•Effets du second ordre
•Transistor en commutation
•Transistor en HF
•Transistor à Hétéro-jonction TBH ou HBT
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Géométrie conventionnelle
•Géométrie:
•Latérale
•Verticale
•Dans les circuits
numériques, structure
verticale
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latéral
vertical
npn
BC
E
Géométrie conventionnelle sur IC
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Muller et Kamins, « device electronics for IC »,2nd Ed., Wiley, 1986
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