Powered by TCPDF (www.tcpdf.org) AXE 1 - Electronique Environnement scientifique et technique de la formation Composants à semi-conducteurs : physiques des dispositifs et circuits intégrés RESPONSABLE Philippe DOLLFUS Directeur de Recherche UMR 8622 OBJECTIF - acquérir les bases théoriques utiles à la compréhension des mécanismes mis en jeu dans le fonctionnement des composants semi-conducteurs LIEU ORSAY CEDEX (91) PUBLIC ORGANISATION 5 jours 10 stagiaires maximum Cours : 20 h - travaux pratiques : 12 h COÛT PÉDAGOGIQUE 1500 Euros DATE DU STAGE Réf. 20 12-I-04 : du lundi 11/06/12 au jeudi 14/06/12 Janvier Mai Sept. Février Mars Avril Juin Juillet Août Nov. Déc. 20 12-I-04 Oct. Ingénieurs, chercheurs dans le domaine de l'électronique désirant se former à la physique des dispositifs semi-conducteurs PROGRAMME Connaissances de bases sur les matériaux semi-conducteurs (6 h de cours) - Des structures cristallines du silicium et de l'arséniure de gallium aux modèles de transport élémentaires (dérive-diffusion) : structure de bandes d'énergie, statistique d'occupation de ces niveaux, modélisation du transport… La jonction PN, les diodes à SC (4 h de cours) - La jonction PN : présentation et mise en équation avec le modèle dérive-diffusion - Courant direct en faible injection et courant inverse (essentiellement génération dans la zone de charge d'espace) - Autres modes de conduction en direct : courant de recombinaison, très forte injection, régime ohmique - Autres types de diodes : Schottky, Gunn, tunnel Les transistors à effet de champ (3 h cours + 2 h travaux pratiques) - Les différents transistors à effet de champ (JFET, MESFET, HEMT, MOSFET) - Applications numériques CMOS, problèmes de dimensionnement pour " fin de roadmap ", technologies multi-grilles sur SOI... - TP de simulation physique de MOSFET basé sur le logiciel commercial Silvaco Technologies futures ou alternatives (3 h) - Transistors à nanotubes de carbone et en graphène, dispositifs à blocage de Coulomb, et relatifs à l'électronique de spin (magnétorésistance géante, jonctions tunnel magnétiques, MRAM...) Composants optoélectroniques à semi-conducteurs (4 h cours + 3 h travaux pratiques) - Matériaux semi-conducteurs pour l'optoélectronique - Effets de basse dimensionnalité dans les composants optoélectroniques - Interactions lumière / semi-conducteurs : absorption, émission spontanée, émission stimulée - Composants d'émission (diodes électroluminescentes, diodes laser, VCSEL) : jonction PN en direct, cavités optiques pour les lasers, condition de gain optique (inversion des populations), différents types de laser - Composants de réception (photodiodes PIN, photodiodes à avalanche) et circuits associés Mise en œuvre de transistors MOS (7 h travaux pratiques) - Modèles simplifiés des transistors MOS - Leur utilisation pour concevoir des fonctions électroniques numériques (portes logiques) ou analogiques (sources de courants, de tension, amplificateurs) - Simulations sous CADENCE pour retrouver les principales caractéristiques des composants (paramètres des modèles) ou des circuits étudiés (temps de réponse des circuits numériques, gain et résistance de sortie des circuits analogiques...) •Intervenants P. Dollfus, J. Saint-Martin, E. Cassan, H. Mathias cnrs formation entreprises - Tél. : +33 (0)1 69 82 44 55 - Fax : +33 (0)1 69 82 44 89 - http://cnrsformation.cnrs.fr 0