MODÉLISATION NON-LINEAIRE D'UN PHOTOTRANSISTOR
BIPOLAIRE À HÉTÉROJONCTION EN MICRO-ONDE
L. Paszkiewicz, J-L Polleux, C. Rumelhard, J. Salset, C. Gonzalès*.
CNAM Paris, Laboratoire physique des composants
Pôle électronique hautes-fréquences de Marne-La-Vallée,
* Cnet-OPTO+ Marcoussis
I. Introduction.
Le phototransistor bipolaire à hétérojonction (PTH) est un composant très prometteur pour la réception des
signaux optiques modulés en micro-ondes, puisqu'il réalise à la fois les fonctions de détection du signal optique et
d'amplification. Il remplace ainsi avantageusement la photodiode à avalanche, trop bruyante pour ce type de
fonction, et possède des caractéristiques comparables à l'ensemble diode PIN-FET ou diode PIN-TBH, tout en
étant plus aisément intégrable. Alors que les transistors HEMT ou FET éclairés voient des dégradations de leurs
caractéristiques fréquentielles, le PTH atteint des fréquences de coupure du gain optique pouvant aller jusqu'à 60
GHz [1]. De même, en raison des non-linéarités intrinsèques au transistor bipolaire, le phototransistor peut tout-à-
fait être utilisé dans le cadre d'un mélange optique-micro-onde. La modélisation du phototransistor en grand-
signal permet alors de prévoir son comportement en amplification comme en mélange.
II. Description du phototransistor.
Le phototransistor bipolaire à hétérojonction vertical conserve la structure classique du transistor (Figure 1). Une
fenêtre permettant l'éclairage de la jonction base-collecteur est laissée sur la base, à moins que celui-ci ne se fasse
latéralement. Les photons introduits dans la zone de déplétion de la jonction BC polarisée en inverse vont y créer
des paires électron-trou. Les trous sont attirés par la base et les électrons par le collecteur. Un photocourant ainsi
créé circule du collecteur vers la base. Il est possible de ne polariser le phototransistor qu'en mode 2-T, c'est-à-dire
en appliquant une tension entre collecteur et émetteur, ou bien en mode 3-T, en ajoutant un courant de base à la
polarisation induite par la partie constante de la puissance optique. Dans le deuxième cas, le gain et la fréquence
de coupure sont supérieurs, car le dispositif amplifie le courant de trous évacués de la base. Le phototransistor
étudié est réalisé par le CNET-OPTO+, sur substrat InP.
III. Modélisation physique bi-dimensionnelle.
Une modélisation physique permettant de résoudre numériquement les équations de continuité des porteurs et les
équations des champs électriques en chacune des couches du phototransistor a été menée en utilisant le logiciel
ATLAS de SILVACO. Cette simulation a permis de mieux connaître le comportement du phototransistor
lorsqu’une porteuse optique est incidente.
B
C
E
InP
Sous-collecteur InGaAs N+
Collecteur InGaAs
Base InGaAs P+
Flux optique
Figure 1 : coupe du phototransistor
BEC
Lumière
Figure 2 : vue de dessus et coupe pour la
simulation physique.