les fonctions de l`electricite resume table des matieres

LES FONCTIONS DE L’ELECTRICITE
BOGDANGRABOWSKI
RESUME
Jusqu'a présent l'enseignement de l'électronique s'est uniquement attaché à la description des
différents composants des ensembles fonctionnels.
Or la variété de ces éléments s'accroît d'année en année et les perfectionnements qui leur sont
apportés remettent en cause leurs propriété.
En rédigeant cet ouvrage en deux tomes, B, GRABOWSKY a voulu, au contraire, présenter les
bases générales de l'électronique et les propriétés générales de ses composants, sans entrer dans
la description détaillée de tous les modèles technologiques.
A partir de l'analyse du comportement des dispositifs à deux et à trois bornes, l'auteur met en évidence les différents types de fonctions
électroniques.
Toutefois, afin de ne pas dérouter le lecteur par cette nouvelle approche, il aborde ces propriétés générales en étudiant, au départ, un dispositif
concret, choisi pour son usage très répandu: la diode à fonction bipolaire, le transistor bipolaire et le transistor à effet de champ.
Les méthodes graphiques, largement utilisées dans ce livre, permettent au lecteur de déterminer facilement les limites et les imperfections des
dispositifs utilisés. De plus, les pages relatives au calcul d’erreurs l'aideront à mieux interpréter les résultats et à mieux choisir son schéma de
montage.
TABLE DES MATIERES
CHAPITRE 16 : Le transistor bipolaire 1
16.1. Principe. 1
16.1.1. Description physique 1
16.1.2. Effet transistor 3
16.2. Expression des courants 5
16.2.1. Courant inverse des jonctions 5
16.2.2. Expression complète du courant Ic 6
16.3. Transistor intrinsèque et extrinsèque 6
16.4. Le gain inverse 8
Exercices 8
CHAPITRE 17 : Tripôle actif. Caractéristiques statiques essentielles 9
17.1. Les différents types de transistors 9
17.1.1. Le transistor bipolaire 9
17.1.2. Le transistor à effet de champ FET –jonction 9
17.1.3. Le transistor à grille isolée (MOS) 11
17.2. Caractéristiques statiques idéales 13
17.1.2. Modèle général 13
17.2.2. Caractéristiques d'entrée 15
17.3. Caractéristiques statiques essentielles 17
17.3.1. Transistor bipolaire 17
17.3.2. Transistor FET (à jonction ou MOS) 19
Exercices 21
CHAPITRE 18 : Polarisation des tripôles actifs 22
18.1. Polarisation à l'entrée 22
18.1.1. Conditions générales 22
18.1.2. Transistor bipolaire 24
18.1.3. Transistor FET (à jonction ou MOS) 26
18.2. Polarisation en sortie 29
18.2.1. Conditions générales 29
18.2.2. Transistors bipolaires 29
18.2.3. Transistors FET 30
18.3. Calculs pratiques. Exemples 31
18.3.1. Transistor bipolaire 31
18.3.2. Transistor FET 33
Exercices 34
CHAPITRE 19 : Limitations statiques et dérives thermiques dans les tripôles 35
19.1. Transistors bipolaires 35

19.1. Transistors bipolaires 35
19.1.1. Caractéristiques de sortie réelles 35
19.1.2. Tensions de claquage 37
19.2. Dérivé en température des transistors bipolaires 38
19.2.1. Dérives en température 38
19.2.2. Evaluation approximative de la dérive 40
19.2.3. Evaluation précise de la dérive 41
19.2.4. Représentation de la dérive. Dérive de lc 43
19.3. Transistors FET 44
19.3.1. Tension de claquage 44
19.3.2. Effet de la température 45
Exercices 46
CHAPITRE 20 : Montages statiques et stabilité thermique 47
20.1. Etude de quelques montages à transistors bipolaires 47
20.1.1. Montage à un seul transistor bipolaire 47
20.1.2. Générateur de courant 50
20.1.3. Montage à deux transistors bipolaires 52
20.1.4. Transposition 55
20.2. Polarisation en courant d'un transistor FET 56
20.3. Dissipation 57
20.3.1. Montage avec transistor bipolaire 57
20.3.2. Montage avec transistor FET 60
Exercices 63
CHAPITRE 21 : Fonctionnement en régime dynamique 64
21.1. Droites de charge (transistor bipolaire) 64
21.1.1. Schéma complet 64
21.1.2. Droite de charge en dynamique 65
21.2. Schéma équivalent du transistor bipolaire 68
21.2.1. Etablissement du schéma 68
21.2.2. Transistor extrinsèque. Schéma complète 70
21.3. Généralisation. Transistor FET 71
21.3.1. Droites de charge 71
21.3.2. Schéma équivalent 72
21.4. Conclusions 73
Exercices 73
CHAPITRE 22 : Tripôle actif en régime linéaire. Les trois montages 74
22.1. Le tripôle idéal 74
22.1.1. Modèle idéal en régime dynamique 74
22.1.2. Les trois configurations 75
22.2. Tripôle réel 78
22.2.1. Le courant ii n'est pas nul 78
22.2.2. Admittances parasites 79
22.2.3. Les trois montages. Expressions 80
22.2.4. Propriétés générales de la matrice indéfinie 81
22.3. Application 82
22.3.1. Transistor bipolaire 82
22.3.2. Transistor FET 83
Exercices 85
CHAPITRE 23 : Schémas équivalents et paramètres 86
23.1. Paramètres à admittance 86
23.1.1. Réseaux équivalents 86
23.1.2. Paramètres à admittance 87
23.2. Paramètres hybrides 87
23.3. Paramètres à impédance 89
23.3.1. Réseaux 89
23.3.2. Transformation de réseau [y] en réseau [Z] 90
23.4. Matrice de chaîne. Mise en cascade 91
23.5. Transistors bipolaires. Réseaux équivalents dans les trois montages 93
23.5.1. Montage émetteur commun 93
23.5.2. Montage base commune 94
23.5.3. Montage collecteur commun 94
23.6. Amplificateurs suiveurs 95
23.6.1. Amplificateur suiveur en courant 95
23.6.2. Amplificateur suiveur en tension 95
23.6.3. Cas des transistors FET 96
Exercices 97
CHAPITRE 24 : Transistors à haute fréquence 98
24.1. Schémas équivalents 98
24.1.1. Transistor bipolaire et gain en courant 98
24.1.2. Transistor bipolaire. Réseau d'entrée 100
24.1.3. Transistor FET 101
24.2. Insertion d'une résistance de contre-réaction 102
24.2.1. Rôle de la résistance 102
24.2.2. Transistor bipolaire 102
24.2.3. Transistor FET 104
Exercices 105
CHAPITRE 25 : Montages amplificateurs 107

CHAPITRE 25 : Montages amplificateurs 107
25.1. Amplificateurs type G ou Y 107
25.1.1. Pente composite pour le transistor bipolaire 107
25.1.2. Pente composite pour le transistor FET 109
25.2. Gain en tension composite 110
25.2.1. Effet Miller. Transistor bipolaire 110
25.2.2. Gain en tension 112
25.3. Montage à transimpédance 113
Exercices 116
CHAPITRE 26 : Montages amplificateurs. Association 117
26.1. Règles générales 117
26.2. Association (Y) . (Z) et (Z) . (Y) 118
26.2.1. Association (Y) . (Z) 118
26.2.2. Association (Z) . (Y) 120
26.2.3. Impédance d'entrée et de sortie des éléments (Y) et (Z) 121
26.3. Structure cascode 121
26.4. Structure hybride (Y) . (V) suiveur 124
Exercices 126
CHAPITRE 27 : Préamplificateur 126
27.1. Représentation du bruit 126
27.2. Facteur de bruit 128
27.3. Introduction d'un dipôle à l'entrée 130
27.4. Utilisation des transistors bipolaires et des transistors FET 131
Exercices 131
CHAPITRE 28 : Eléments actifs ou semi-actifs commandes 132
28.1. Définitions 132
28.2. Commande de gain 132
28.3. Modulation et changement de fréquence 136
28.4. Transistor FET 139
Exercices 140
Corrigés des exercices 142
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