Lycée Rouvière / ALIMENTATIONS - 4/12 - B. Coffy
.44I
(A) I max. alim.
crête
IFSM max. (A) Icrête (A).
Remarque : (%) facteur d’ondulation, il détermine la qualité du filtrage, le choix du modèle de la
diode interviendra après le calcul de la valeur du condensateur électrochimique. Notons que les
constructeurs de diodes de redressements donnent des valeurs de IFSM max. (A) 10.IF(AV) max. (A).
Redressement double alternance
Remarque : la valeur du courant de sortie (Ialimentation. max. (A)) doit être inférieure ou égale à celle
fournie au secondaire du transformateur Imax. second. eff. (A).
Choix du pont redresseur :
IF(AV) max. (A) Ialim. max. (A).
La tension inverse se répartit entre les deux diodes non passantes du redresseur.
Vinverse (V) =
.Vsecondaire eff.(V) VR max. (V) Vinverse (V).
.22I
(A) I max. alim.
crête
IFSM max. (A) Icrête (A).
Remarque : (%) facteur d’ondulation, il détermine la qualité du filtrage, le choix du modèle du pont
interviendra après le calcul de la valeur du condensateur électrochimique. Notons que les
constructeurs de ponts redresseurs donnent des valeurs de IFSM max. (A) 10.IF(AV) max. (A).
- Calcul des pertes
Pour les redresseurs de puissance, les temps de recouvrement direct et surtout inverse trr
occasionnent des pertes importantes. Afin de diminuer l’influence des pertes sur le circuit, nous
choisirons des redresseurs qui ont un temps trr le plus faible possible.
- Technologie
La diode est constituée par un cristal semi-conducteur, c’est à dire que sa résistivité() se classe entre
celle des conducteurs( quelques .cm) et celle des isolants( 108 à 1017 .cm) à une température
ordinaire. Elle est conçue à partir d’une jonction P-N (pastille de silicium N dopée P superficiellement).
L’intensité directe de surcharge maximale IFSM dépend de la surface de la pastille de silicium et la
tension inverse maximale VR max. est déterminée par la résistivité de la plaquette de silicium utilisée.
2-3 Condensateur de filtrage
- Symbole