IFIPS 1ère année

IFIPS 1ère année
Electronique Analogique
Département électronique
TP 4 - Simulation sous PSPICE
Le but de ce TP est de simuler les montages étudiés lors du TP 3. L’outils de simulation
PSPICE sera présenté dans un premier temps. Des exemples simples permettront de vous
familiariser avec cet outil de simulation.
I. Quelques exercices
II. Etude d’un montage à transistor bipolaire.
On reprend les montages émetteur commun et à charge répartie du TP 3.
Rappel : on prendra les valeurs suivantes (I.1 c) cas 1 du TP 3):
Résistances de pont : R1 = 170 k et R2 = 25 k
RC = 10 k , RE = 2.2 k, E= 20 V
Capacités de liaison : 1 µF
Capacités de découplage : 100 µF
II.1 Préparation
a) Rappelez les expressions et les valeurs numériques du gain dans la bande passante pour les
deux montages.
b) Déterminer le schéma petits signaux en basse fréquence (en tenant compte uniquement de
la capacité de liaison) dans le cas d’un montage émetteur commun (découplé correctement).
c) Donner l’expression de la fréquence de coupure basse associée.
d) Que se passe-t-il en haute fréquence ?
II.2 Manipulation
a) Etude de la polarisation.
En effectuant une simulation, vérifier le point de polarisation sur les deux montages (ordre de
grandeur).
b) Etude temporelle dans la bande passante.
i) Placer en entrée un signal sinusoïdal de fréquence 50 kHz. Pour les deux montages,
effectuez une analyse temporelle et observer les signaux de sortie (on prendra 10 mV
d’amplitude pour le montage émetteur commun découplé et 500 mV pour le montage à charge
répartie). Les gains en tension sont ils cohérents ?
ii) Dans les deux cas, augmenter l’amplitude d’entrée. Que se passe-t-il ? On justifiera
quantitativement les allures observées.
c) Etude fréquentielle en basse fréquence
Le but de cette partie est de voir l’impact des condensateurs sur la bande passante de
l’amplificateur.
i) Détermination de la bande passante
Effectuer une analyse fréquentielle pour les deux montages. En déduire le gain et la bande
passante des montages (on donnera les fréquences de coupures hautes et basses).
ii) Influence de la capacité de liaison (uniquement sur le montage émetteur commun).
Effectuer une analyse paramétrique portant sur la capacité de liaison, pour une capacité
variant de 10 nF à 100 µF.
Effectuer une analyse fréquentielle (en ajustant l’amplitude de la tension d’entrée afin de
rester dans une plage d’amplification linéaire) et observer la fréquence de coupure basse ainsi
que la bande passante du dispositif. Commenter l’influence du condensateur.
Est-ce cohérent avec la théorie ?
iii) Influence de la capacité de découplage.
Refaire la même étude avec la capacité de découplage.
Conclusions ?
d) Etude en Haute fréquence
Observer la fréquence de coupure haute.