Haute Ecole d’Ingénierie et de Gestion du canton du Vaud SYSTEMES ELECTRONIQUES I PREMIERE PARTIE Marc Correvon T A B L E D E S M A T I E R E S PAGE 1. INTRODUCTION...........................................................................................................................................1-1 1.1 1.2 1.3 1.3.1 1.4 1.5 BUT ......................................................................................................................................................1-1 FILS CONDUCTEURS ET CHAPITRES DU COURS ........................................................................................1-1 CONSIDÉRATIONS TECHNOLOGIQUES .....................................................................................................1-3 Généralités........................................................................................................................... 1-3 NOTES D’APPLICATIONS .........................................................................................................................1-4 AVERTISSEMENT ...................................................................................................................................1-4 2. RÉFÉRENCES DE TENSION. .....................................................................................................................2-1 2.1 2.1.1 2.1.2 2.1.3 2.2 2.2.1 2.2.2 2.2.3 2.3 2.3.1 2.3.2 2.3.3 2.3.4 2.4 2.4.1 2.4.2 2.5 2.5.1 2.6 2.6.1 2.6.2 INTRODUCTION ......................................................................................................................................2-1 Généralité............................................................................................................................. 2-1 Référence de tension de type « bandgap ».......................................................................... 2-1 Référence de tension de type « diode Zener enterrée » ...................................................... 2-1 RÉFÉRENCE DE TENSION ISSUE D’UNE DIODE ZENER ..............................................................................2-3 Généralités........................................................................................................................... 2-3 Diode Zener enterrée (buried Zener).................................................................................... 2-4 Références de tension intégrée............................................................................................ 2-6 RÉFÉRENCE DE TENSION PAR EXPLOITATION DE LA BANDE INTERDITE ......................................................2-7 Généralités........................................................................................................................... 2-7 Principe ................................................................................................................................ 2-7 Référence de tension bandgap de Widlar .......................................................................... 2-11 Référence de tension bandgap de Brokaw ........................................................................ 2-12 RÉFÉRENCE DE TENSION EN TECHNOLOGIE XFET................................................................................2-15 Généralités......................................................................................................................... 2-15 Principe .............................................................................................................................. 2-15 DÉFINITIONS DES PARAMÈTRES PROPRE AUX TENSIONS DE RÉFÉRENCE ................................................2-17 Définition des paramètres .................................................................................................. 2-17 ETUDE DE LA RÉFÉRENCE DE TENSION REF02.....................................................................................2-20 Description du circuit .......................................................................................................... 2-20 Exemple de dimensionnement ........................................................................................... 2-21 3. RÉGULATEURS LINÉAIRES DE TENSION. .............................................................................................3-1 3.1 INTRODUCTION ......................................................................................................................................3-1 3.1.1 Fonctionnement standard..................................................................................................... 3-1 3.1.2 Fonctionnement en mode LDO ............................................................................................ 3-1 3.1.3 Boucle de réglage et stabilité ............................................................................................... 3-2 3.1.4 Importance de la référence de tension ................................................................................. 3-2 3.2 TOPOLOGIES DES RÉGULATEURS LINÉAIRES DE TENSION ........................................................................3-3 3.2.1 Description du fonctionnement............................................................................................. 3-3 SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I , 1ÈRE PARTIE 3.2.2 Structure de l’élément de ballast .......................................................................................... 3-4 3.2.3 Les régulateurs standards.................................................................................................... 3-6 3.2.4 Les régulateurs LDO ............................................................................................................ 3-7 3.3 STABILITÉ DES RÉGULATEUR LDO .......................................................................................................3-12 3.3.1 Introduction ........................................................................................................................ 3-12 3.3.2 Modèle simplifié par accroissement des composants du régulateur LDO .......................... 3-12 3.3.3 Modèle petits signaux du régulateur LDO .......................................................................... 3-13 3.3.4 Etude de la fonction de transfert en boucle ouverte. .......................................................... 3-14 3.3.5 Paramètres des régulateurs LDO....................................................................................... 3-17 3.4 LIMITATION DU COURANT DE SORTIE .....................................................................................................3-19 3.4.1 Généralités......................................................................................................................... 3-19 3.4.2 Caractéristique rectangulaire de la limitation de courant.................................................... 3-19 3.4.3 Caractéristique réentrante (foldback) de la limitation de courant........................................ 3-22 3.5 PROTECTION THERMIQUE ....................................................................................................................3-24 4. ALIMENTATIONS À DÉCOUPAGE À INDUCTANCE SIMPLE...............................................................4-1 4.1 4.1.1 4.1.2 4.1.3 4.2 4.2.1 4.3 4.3.1 4.4 4.4.1 4.4.2 4.4.3 4.4.4 4.4.5 4.4.6 4.4.7 4.5 4.5.1 4.5.2 4.5.3 4.5.4 4.5.5 4.5.6 4.5.7 4.6 4.6.1 4.6.2 4.6.3 4.6.4 4.6.5 4.6.6 4.6.7 INTRODUCTION ......................................................................................................................................4-1 Généralités........................................................................................................................... 4-1 Définition des sources et des récepteurs ............................................................................. 4-2 Semiconducteurs disponibles comme fonction interrupteur. ................................................ 4-3 NOTATIONS UTILISÉES ...........................................................................................................................4-4 Définition .............................................................................................................................. 4-4 ALIMENTATIONS À DÉCOUPAGE NON RÉVERSIBLES À LIAISON DIRECTE .....................................................4-5 Généralités........................................................................................................................... 4-5 ALIMENTATION SÉRIE OU ABAISSEUSE DE TENSION..................................................................................4-6 Conduction continue............................................................................................................. 4-6 Ondulation du courant iL et de la tension uC. Choix de L et de C ......................................... 4-9 Analyse fréquentielle .......................................................................................................... 4-10 Frontière entre le mode continu et intermittent................................................................... 4-11 Conduction intermittente .................................................................................................... 4-11 Caractéristique statique avec tension de sortie constante. ................................................ 4-13 Diagramme structurel ......................................................................................................... 4-14 ALIMENTATION DE TYPE PARALLÈLE OU ÉLÉVATRICE DE TENSION...........................................................4-15 Conduction continue........................................................................................................... 4-15 Ondulation du courant iL et de la tension uC. Choix de L et de C ....................................... 4-18 Ondulation de la tension uC. Choix de C ............................................................................ 4-18 Frontière entre le mode continu et intermittent................................................................... 4-19 Conduction intermittente .................................................................................................... 4-20 Caractéristique statique avec tension sortie constante ...................................................... 4-21 Diagramme structurel ......................................................................................................... 4-23 ALIMENTATION À DÉCOUPAGE NON RÉVERSIBLE A LIAISON INDIRECTE ....................................................4-24 Généralités......................................................................................................................... 4-24 Hacheur à stockage inductif ............................................................................................... 4-24 Conduction continue........................................................................................................... 4-25 Ondulation du courant iL et de la tension uC. Choix de L et de C ....................................... 4-28 Frontière entre le mode continu et intermittent................................................................... 4-29 Conduction intermittente .................................................................................................... 4-29 Caractéristique statique avec tension de sortie constante ................................................. 4-31 4.6.8 Diagramme structurel ......................................................................................................... 4-33 5. TRANSFORMATEURS POUR ALIMENTATIONS À DÉCOUPAGE.......................................................5-1 5.1 INTRODUCTION ......................................................................................................................................5-1 5.1.1 Relations de base................................................................................................................. 5-1 5.1.2 Circuits magnétiques............................................................................................................ 5-6 5.2 MODÈLE DU TRANSFORMATEUR ...........................................................................................................5-10 5.2.1 Généralités......................................................................................................................... 5-10 5.2.2 Transformateur idéal .......................................................................................................... 5-11 5.2.3 Modélisation du transformateur idéal ................................................................................. 5-11 5.2.4 Transformateur avec inductance magnétisante.................................................................. 5-12 5.3 PERTES DANS LES CIRCUITS MAGNÉTIQUES ..........................................................................................5-16 5.3.1 Généralités......................................................................................................................... 5-16 6. ALIMENTATIONS À DÉCOUPAGE À TRANSFORMATEUR..................................................................6-1 6.1 6.1.1 6.1.2 6.1.3 6.1.4 6.1.5 6.1.6 6.2 6.2.1 6.2.2 6.3 6.3.1 6.3.2 6.4 6.4.1 6.4.2 CONVERTISSEUR À STOCKAGE INDUCTIF AVEC ISOLATION GALVANIQUE ...................................................6-1 Montage FLYBACK .............................................................................................................. 6-1 Conduction continue............................................................................................................. 6-3 Limite de la conduction continue .......................................................................................... 6-2 Fonctionnement en conduction intermittente........................................................................ 6-3 Considération sur le transfert d’énergie................................................................................ 6-4 Dimensionnement du transformateur d’un montage Flyback ............................................... 6-6 CONVERTISSEUR DE TYPE SÉRIE AVEC ISOLATION GALVANIQUE ...............................................................6-9 Montage FORWARD............................................................................................................ 6-9 Etude du fonctionnement ..................................................................................................... 6-9 CONVERTISSEUR DE TYPE SYMÉTRIQUE AVEC ISOLATION GALVANIQUE ..................................................6-15 Montage PUSH-PULL (pont complet) ................................................................................ 6-15 Etude de fonctionnement ................................................................................................... 6-15 ÉVALUATION ET DIMENSIONNEMENT DES CONVERTISSEURS DC-DC .....................................................6-19 Généralités......................................................................................................................... 6-19 Stress et taux d’utilisation des semiconducteurs (transistor).............................................. 6-19 7. DIMENSIONNEMENT DES ÉLÉMENTS DES ALIMENTATIONS À DÉCOUPAGE ...............................7-1 7.1 7.2 7.2.1 7.2.2 7.2.3 7.2.4 7.2.5 7.3 7.3.1 7.3.2 7.3.3 7.3.4 7.3.5 7.4 7.4.1 INTRODUCTION ......................................................................................................................................7-1 LES CONDENSATEURS...........................................................................................................................7-1 Principe de fonctionnement.................................................................................................. 7-1 Paramètres caractéristiques d’un diélectrique...................................................................... 7-2 Modèle équivalent ................................................................................................................ 7-2 Les principales technologies ................................................................................................ 7-3 Les condensateurs dans les alimentations à découpage. .................................................... 7-5 LES MATERIAUX MAGNETIQUES ..............................................................................................................7-6 Les matériaux....................................................................................................................... 7-6 Grandeurs caractéristiques des matériaux magnétiques ..................................................... 7-6 Les matériaux magnétiques et les corps de bobines............................................................ 7-7 Dimensionnement d’une inductance .................................................................................. 7-13 Dimensionnement d’un transformateur .............................................................................. 7-14 LES SEMICONDUCTEURS DE PUISSANCE ...............................................................................................7-21 Les MOFSET ..................................................................................................................... 7-21 7.4.2 7.4.3 Les IGBT ............................................................................................................................ 7-22 Les diodes.......................................................................................................................... 7-23 BIBLIOGRAPHIE [1] TRAITE D’ELECTRICITE Volume VIII : Electronique Auteurs : J.D. Chatelain et R.Dessoulavy ISBN : 2-604-00010-5 [2] CIRCUIT ET SYSTEMES ELECTRONIQUES ELECTRONIQUE III, PARTIE I Auteur : M. Declercq [3] THE ART OF ELECTONICS Auteurs : P. Horowitz, W. Hill ISBN : 0-521-37095-7 [4] Linear and Switching Voltage Regulator Fundamentals National Semiconductor Chester Simpson Member of Technical Staff Power Management Applications [5] Fundamental Theory PMOS Low Dropout Voltage regulator Application report SLVA068 [6] AN-18 (PMI) Thermometer application of the REF02 [7] Technical review of Low Dropout Voltage Regulator Operation and performance Application Report SLVA072 [8] Understanding the Terms and Definitions of LDO Voltage Regulators Application Reports Texas Instruments, Incorporated SLVA079 [9] Digital Designer's Guide to Linear Voltage Regulators & Thermal Mgmt Application Report SLVA118 [10] Advantages of using PMOS-type low-dropout linear regulators in battery applications Analog applications, power management SLYT161 [11] LES CONVERTISSEURS DE L'ÉLECTRONIQUE DE PUISSANCE Volume 3 : La conversion continue – continue (2ème édition) Auteurs : Robert Bausière, Francis Labrique, Guy Seguier Chapitre 3 ISBN : 2-7430-0139-9 [12] POWER ELECTRONICS Converters, Applications and Design Auteurs : Ned Mohan, Tore M. Undeland, William P. Robbins Chapitre 5 ISBN : 0-471-50537-4 [13] FUNDAMENTALS OF POWER ELECTRONICS Auteur : Robert W.Erickson Chapitre 2 & 5 ISBN : 0-412-08541-0 CHAPITRE 1 : INTRODUCTION Page 1-1 1. Introduction 1.1 BUT Le cours « Systèmes Electroniques I » est une description des fonctions élémentaires de l’électronique industrielle. En effet, pour pouvoir réaliser un système électronique sur la base d’un cahier des charges, il est nécessaire de bien maîtriser l’ensemble des fonctions constituant le système. Il faut non seulement avoir de bonnes connaissances en électronique mais également de l’ensemble du problème à résoudre. Par exemple pour une commande de moteur, il faut être capable de dimensionner les composants en fonction de la puissance à fournir, du niveau de tension, de courant et pour finir des contraintes d’environnement (température, vibrations, humidité, …). Les progrès technologiques des circuits intégrés et des semiconducteurs de puissance permettent de réduire toujours plus l’encombrement de l’électronique, les contraintes thermiques et la tenue des diélectriques étant le dernier obstacle à la miniaturisation. Le concepteur de cartes électroniques doit avoir une très bonne connaissance des composants disponibles, il est donc important qu’il sache, de manière efficace, ou chercher l’information sur les plus récents développements et produits des fabricants. 1.2 FILS CONDUCTEURS ET CHAPITRES DU COURS Toutes cartes électroniques possèdent aux moins une alimentation sous la forme d’un régulateur de tension ou d’un convertisseur DC/DC. L’asservissement de ces composants nécessite l’utilisation de références de tension. Pour les composants travaillant en commutation, la commande des commutateurs électroniques (semiconducteurs) est un point important à comprendre et à maitriser. Selon les contraintes, il peut s’avérer nécessaire de réaliser une séparation galvanique entre divers fonctions. Dans ce cas, les signaux analogiques et logiques devront être découplés de manières optoélectronique, capacitive ou inductive. Pour les alimentations avec séparation galvanique, l’utilisation d’un transformateur est nécessaire. La pratique montre que la compréhension du transformateur et son dimensionnement sont en général mal connus et mal maîtrisés. Afin de répondre au mieux aux divers points soulevés ci-dessus, les chapitres du cours sont organisés selon la logique décrite ci-dessous. Le chapitre 2 – Références de tension est une description du design permettant la réalisation d’une référence de tension en tenant compte de sa sensibilité à la température. Le chapitre 3 – Régulateurs de tension donne un aperçu des composants réalisant un asservissement de la tension d’alimentation et des limites thermiques liées à la structure même de ces composants. Le chapitre 4 – Alimentations à découpage à inductance simple donne les bases théoriques du fonctionnement des convertisseurs DC/DC sans séparation galvanique. SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I , 1ÈRE PARTIE CHAPITRE 1 : INTRODUCTION Page 1-2 Type Courant impulsionnel de sortie Alimentation uni/bi-polaire Tenue en tension Protection ... Standard ou planar Type de matériau Taille du circuit magnétique Nombre de spires ... Topologie Effet de la température Précision ... Transformateur Opto-électronique Driver de gate Transformateur Entrée Référence de tension Convertisseurs DC/DC Tensions et courants d’entrée et de sortie Séparation galvanique Type de convertisseur Contraintes thermiques Protection ... Régulateurs linéaires Carte(s) électronique(s) Tensions et courants d’entrée et de sortie Précision de la tension de sortie Contraintes thermiques Protection Stabilité ... Découplage des signaux Transformateur Opto-électronique Type de découplage Vitesse Tenue en tension Protection ... Figure 1-1 : Structure de l’alimentation d’une carte électronique SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I , 1ÈRE PARTIE Convertisseurs DC/DC CHAPITRE 1 : INTRODUCTION Page 1-3 Le chapitre 5 – Transformateurs à impulsions donne les bases nécessaires à la réalisation non seulement des transformateurs utilisés pour les convertisseurs DC/DC avec séparation galvanique mais aussi pour la transmission découplée de signaux analogiques ou logiques. Puis dans la logique du déroulement du cours. Le chapitre 6 – Alimentations à découpage à transformateur est une description non exhaustive des convertisseurs DC/DC avec séparation galvanique. Le chapitre 7 – Composants des alimentations à découpage concerne le dimensionnements d’une inductance ou d’un transformateur pour les alimentations à découpage. Il donne également une brève description des divers composants passifs utilisables pour ce type d’application. Le chapitre 8 – Commande des éléments de commutation est une description des topologies les plus courantes pour réaliser des commandes pour MOSFET et IGBT en tenant compte des contraintes de l’application. 1.3 CONSIDÉRATIONS TECHNOLOGIQUES 1.3.1 Généralités L’électronique peut être soumise à des contraintes sévères. Chaque composant doit être choisi de manière optimale au niveau de ces caractéristiques, de son boitier, de sa disponibilité et de son coût. L’ensemble de ces exigences n’est pas simple à maitriser. Cette section donne description succincte des contraintes auxquelles il faut faire face. Dans le cadre de ce cours, les composants suivants seront abordés. − − − − − − − − Amplificateurs opérationnels. Références de tension et de courant. Régulateurs linéaires (LDO) Circuits dédicacés aux abaisseurs (step-down) et aux élévateurs de tension (step-up) Circuits dédicacés aux alimentations Flyback, Forward, push-pull Driver de gate Circuits magnétiques. Semiconducteurs dédiés à la commutation, MOSFET, IGBT, Diode Chacun de ces composants doit répondre à des exigences dépendant de l’application. Les références de tension doivent fournir des tensions indépendantes de la tension alimentation et de la température. Les régulateurs de tension et les convertisseurs DC/DC doivent être stables (asservissement de tension) sous certaines conditions bien maitrisée, ils doivent être protégés contre les courts-circuits et contre les surcharges thermiques. Les transformateurs doivent travailler dans leur zone linéaire, la saturation du circuit magnétique ne doit jamais se produire Enfin la commande des semiconducteurs de puissance (driver de gate) doit être réalisée de manière à optimiser le nombre et le coût des composants. SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I , 1ÈRE PARTIE CHAPITRE 1 : INTRODUCTION Page 1-4 1.4 NOTES D’APPLICATIONS Le cours a pour but de vous faire découvrir la théorie qui se cache derrière chaque fonction constituant un système électronique. Des notes d’applications, basées sur des exemples concrets sont aussi à disposition pour illustrer le cours par des aspects plus pratique. 1.5 AVERTISSEMENT Ce cours se base sur les cours suivants : ENA : Electronique analogique SES : Signaux et systèmes SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I , 1ÈRE PARTIE CHAPITRE 2 : RÉFÉRENCES DE TENSION Page 2-1 2. Références de tension. 2.1 INTRODUCTION 2.1.1 Généralité La majorité des références de tension modernes sont construites selon trois principes différents. Les caractéristiques principales d’une référence de tension sont la précision absolue de la tension, la dérive en température, le niveau de bruit, la consommation et la stabilité au vieillissement. 2.1.2 Référence de tension de type « bandgap » La référence de tension de type bandgap est basée sur l’exploitation des caractéristiques de la tension thermodynamique VT. La Figure 2-1 donne le schéma de principe de ce type de référence Figure 2-1 : Architecture des références de tension « Bandgap » 2.1.3 Référence de tension de type « diode Zener enterrée » La référence tension de type « diode Zener enterrée » est basée sur l’utilisation de Zener enterrée (buried Zener diode) dans le but de minimiser le bruit, la dérive thermique et d’améliorer la stabilité dans le temps. La Figure 2-2 illustre le principe de base de ce type de référence de tension SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I , 1ÈRE PARTIE CHAPITRE 2 : RÉFÉRENCES DE TENSION Page 2-2 Figure 2-2 : Architecture des références de tension « Zener enterrée » 2.1.3.1 Référence de tension de type « XFET » La référence tension de type XFET est basée sur l’utilisation de la tension de pincement des transistors à effet de champ (XFET : eXtra implanted FET). La Figure 2-3 met en évidence la structure de base d’une référence de tension de type XFET. Figure 2-3 : Architecture des références de tension « XFET » SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I , 1ÈRE PARTIE CHAPITRE 2 : RÉFÉRENCES DE TENSION Page 2-3 2.2 RÉFÉRENCE DE TENSION ISSUE D’UNE DIODE ZENER 2.2.1 Généralités Une diode Zener présente, dans le sens passant, des caractéristiques identiques à celles d’une diode normale. Par contre dans le sens inverse, un courant peut circuler si la tension appliquée aux bornes de l’élément semiconducteur est suffisamment élevée. La tension inverse permettant la conduction brusque de la diode est appelée tension Zener. Pour obtenir une tension Zener, il faut fortement doper la jonction p-n de la diode de manière à permettre un passage « facile » des électrons de la bande de valence de la zone dopée p à la bande de conduction de la zone dopée n. Les porteurs de charges (des éléments de dopage) ainsi libérés sont assez nombreux pour que le courant augmente brutalement et pour que la tension aux bornes de la diode ne varie pratiquement pas. Cet effet, appelé « effet Zener » a été découvert par un physicien américain du nom de Clarence Melvin Zener. Pour d’autres diodes Zener, il est possible que sous l’action du champ électrique interne, les porteurs de charges minoritaires (du silicium) de la zone isolante acquièrent une énergie telle qu’il puisse y avoir ionisation par choc, provoquant un effet d’avalanche, le courant croît extrêmement vite. La tension aux bornes de la diode ne varie pratiquement pas non plus. C’est ce qui est appelé effet d’avalanche. La Figure 2-4 montre clairement que le courant croit plus vite pour l’effet avalanche. En réalité ces deux effets sont présents dans une diode Zener. Pour une diode Zener au silicium, jusqu’à 5.1V, c’est l’effet Zener qui est qui est prédominant. Ces diodes présentent une tension Zener avec une dérive en température négative. Au dessus de 5.1V, c’est l’effet avalanche qui devient le plus important et du même coup la tension Zener présente un dérive en température positive Effet Zener I z [mA] Effet d’avalanche 50 Tj = 25°C 40 5.6V 3.9V 2.7V 2.4V 3.3V 6.8V 4.7V 8.2V 30 20 Courant de test 5mA 10 0 0 1 2 3 4 5 Vz [V] 6 7 8 9 10 Figure 2-4 : Caractéristique de diodes Zener pour un courant de polarisation constant de 5mA L’effet de la température sur la tension Zener peut être annulé, ou fortement diminué, en ajoutant une diode en série (dérive en température de -2.28mV/°C @ T=27°C) dans le sens passant. On parle alors de diode Zener compensée en température. Dans ce cas la tension Zener est de 6.2V au lieu des 5.1V (correspondant au coefficient de température le plus faible). SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I , 1ÈRE PARTIE CHAPITRE 2 : RÉFÉRENCES DE TENSION Page 2-4 ΔVz [V] 0.8 25V Vz @ I z =5mA 0.7 15V 10V 0.6 0.5 8V 0.4 7V 0.3 6.2V 0.2 5.9V 0.1 5.6V 0.0 5.1V -0.1 -0.2 3.6V 0 20 40 60 4.7V 80 100 120 140 Tj [°C] Figure 2-5 : Dérive de la tension Zener en fonction de la température. 2.2.2 Diode Zener enterrée (buried Zener) La diode Zener est un élément abondamment utilisé dans les applications non critiques. Les designers de circuits intégrés utilisent les jonctions Base – Emetteur des transistors NPN, polarisées en inverse, comme diode Zener de référence. L’effet Zener apparait à la surface de la puce, là où les effets de contamination et les charges d’oxyde sont les plus importantes. Ces jonction sont bruyantes et souffrent de dérives en température et dans le temps qui ne sont pas prédictibles. Les diodes Zener enterrées placent la jonction en dessous de la surface du silicium, loin des effets de contamination et d’oxydation. Le résultat est une diode Zener avec une grande stabilité dans le temps, un faible bruit et une bonne précision initiale. La Figure 2-6 montre le début de la fabrication d’une diode Zener enterrée. Une région enterrée dopée n+ est située sous la structure Zener afin de la protéger des prochaines diffusions de contact avec le substrat. Après croissance de la couche épitaxiale n-, une diffusion p+ est répandue par une petite ouverture au centre de la structure Zener. En même temps, la diffusion p+ est répandue à la périphérie pour former un caisson isolé contenant la structure Zener entière. OUVERTURE DE L’OXIDE + POUR DIFFUSION p ISO p + ISO n – EPI p + ISO – p + ISO n EPI n + BURIED LAYER p – SUBSTRAT Figure 2-6 : Structure initiale lors de la fabrication d’une diode Zener enterrée La diffusion p+ centrale est protégée d’un contact avec le substrat p- par la couche enterrée n+, alors qu’on permet aux diffusions latérales p+ d’atteindre le substrat et de former un caisson d’isolement. SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I , 1ÈRE PARTIE CHAPITRE 2 : RÉFÉRENCES DE TENSION Page 2-5 Il est important de noter que la concentration la plus élevée p+ se produit directement sous l’ouverture du masque et que la concentration de dopant est la plus faible aux franges d’une diffusion. Les dernières étapes incluent une diffusion de base p- et une diffusion d’émetteur n+, situées au centre de la structure Zener (voir la Figure 2-7). L’émetteur n+ devient la cathode, tandis que l’isolement combiné et la diffusion de base p- sert d’anode. La jonction fortement dopée se trouve au fond de la cathode, là où l’émetteur n+ et la diffusion p+ présentent les concentrations les plus riches. Les concentrations latérales, plus légères ont comme conséquence une tension Zener plus élevée et par conséquent ces zones ne sont pas actives. Le résultat est une tension Zener extrêmement stable de très faible bruit et insensible aux effets extérieurs de contamination ou d’oxydation. CATHODE ZONE ACTIVE DE LA ZENER ISOLATION ANODE p + ISO p – BASE n – EPI n + EMETTEUR p + ISO n + COUCHE ENTERREE p – SUBSTRAT Figure 2-7 : Structure d’une diode Zener enterrée 2.2.2.1 Exemple d’une référence de tension basée sur une diode Zener Une diode Zener est polarisée par une source de courant. Un diviseur résistif permet d’extraire une fraction de la tension Zener. Un amplificateur de tension à gain positif permet d’une part de présenter une haute impédance du côté du diviseur de tension résistif et d’autre part de fournir une source de tension de référence avec une faible impédance de sortie. Pour avoir une faible dérive en température, la diode Zener, de 6.2V, est compensée en température (ajout d’une diode série). Figure 2-8 : Structure de base d’une référence de tension de type « buried Zener » SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I , 1ÈRE PARTIE CHAPITRE 2 : RÉFÉRENCES DE TENSION Vout = 2.2.3 R2 ⎛ R4 ⎞ ⎜1 + ⎟VZ R1 + R2 ⎜⎝ R3 ⎟⎠ Page 2-6 2.1 Références de tension intégrée Pour obtenir des références de tension précises, il existe des circuits intégrés dans lesquels on trouve une diode Zener compensée en température, alimentée par une source de courant. Pour des performances accrues, cette diode Zener est enterrée afin de la protéger des impuretés, des contraintes mécaniques et des imperfections de surface qui contribuent à accroître le bruit et à dégrader la stabilité à long terme. Si les performances globales (précision, bruit, coefficient de température, stabilité à long terme) sont suffisamment bonnes pour autoriser leur emploi dans les systèmes à haute résolution, elles sont plus coûteuses que les références de type bandgap. De plus, elles sont peu adaptées aux systèmes basse tension, ce qui prend à contresens la tendance générale des systèmes électroniques embarqués. Cela tient au fait que les meilleurs résultats en stabilité dans le temps et en température sont obtenus avec des Zener de 6.2V, qu’il est nécessaire d’alimenter à partir d’une source de tension d’au moins 1.5V à 2V supérieure. La tension de 6.2V est ensuite rapportée à une valeur plus faible par le biais d’un réseau résistif, puis est ajustée à la valeur souhaitée par l’intermédiaire d’un amplificateur opérationnel, qui fait par ailleurs office d’adaptation d’impédance. Des réseaux plus ou moins complexes sont chargés de compenser la variation non linéaire de la tension de sortie en fonction de la température. Ainsi, dans ses différentes séries VRE à diode Zener, Thaler fait usage d’un réseau de compensation non linéaire du troisième ordre formé de thermistances et de résistances ajustées au laser. Avec les références à diode Zener enterrée, les caractéristiques suivantes peuvent être atteintes : − précision comprise entre ±0.01 et ±0.04%, − dérive en température de 1 à 10 ppm/°C (dans la gamme commerciale 0 à + 70°C), − dérive sur le long terme entre 6 et 20ppm/1000hrs. Figure 2-9 : Zener avec réseau de compensation SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I , 1ÈRE PARTIE CHAPITRE 2 : RÉFÉRENCES DE TENSION Page 2-7 2.3 RÉFÉRENCE DE TENSION PAR EXPLOITATION DE LA BANDE INTERDITE 2.3.1 Généralités L’utilisation dans les circuits intégrés de sources de tension de référence, stables en température, est capitale. Il existe des circuits de tension de référence appelés « bandgap » très stables vis-à-vis des variations de la température. 2.3.2 Principe Le principe d’une référence de tension bandgap est de compenser le coefficient de température négatif d’une jonction pn par le coefficient de température positif de la tension thermodynamique donnée par la relation VT = kT q 2.2 avec : − k = 1.3806503⋅10-23 J/K − T − q = 1.602177⋅10-19 C : constante de Boltzmann (8.62 10-5 eV/K) : température exprimée en degrés Kelvin : charge élémentaire Le schéma synoptique d’un tel circuit est donné en Figure 2-10. Le but est d’obtenir une tension de référence avec une stabilité en température de l’ordre de 10ppm/°C. Dans ce cas la dérive en température de VBE doit être connue de manière plus précise que simplement ∂VBE/∂T =-2mV/°C. Σ VT = kT q K Figure 2-10 : Schéma synoptique d’une référence de tension « bandgap » SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I , 1ÈRE PARTIE CHAPITRE 2 : RÉFÉRENCES DE TENSION 2.3.2.1 Page 2-8 Détermination de la dérive en température La densité de courant de collecteur JC est définie comme JC = qDn n po WB e VBE VT 2.3 avec : − − − − − JC=I/AE Dn WB VBE n po = ni2 / N A n = DT e − D − VG0=1.205V − NA − 2 i 3 − : densité de courant de collecteur, : constante moyenne de diffusion pour les électrons, : largeur de la base, : tension Base – Emetteur, : concentration d’électron à l’équilibre dans la Base, VG 0 VT : concentration intrinsèque de porteurs, : constante indépendante de la température, : tension « bandgap » pour le silicium, : concentration en dopage d’accepteur. qDn JC = DT 3e N AWB VBE −VG 0 VT q = AET γ e kT (VBE −VG 0 ) 2.4 avec γ=3.2 A la température de référence T0 q JC γ T = T0 = ST0 e kT0 (V BE T = T0 −V G 0 ) 2.5 Le rapport entre les densités de courant de collecteur à une température quelconque T et la température de référence T0 s’écrit sous la forme suivante : γ JC J C T =T 0 q VBE −VG 0 VBE T =T0 −VG 0 − ) T T0 ⎛T ⎞ ( = ⎜⎜ ⎟⎟ e k ⎝ T0 ⎠ 2.6 finalement ⎛ J C ln⎜ ⎜ JC ⎝ T =T0 ⎞ ⎛ − VG 0 ⎞ V ⎟ = γ ln⎛⎜ T ⎞⎟ + q ⎜ VBE − VG 0 − BE T =T0 ⎟ ⎜T ⎟ k ⎜ ⎟ ⎟ T T 0 ⎝ 0⎠ ⎝ ⎠ ⎠ 2.7 De la relation précédente, il est possible d’exprimer la tension Base – Emetteur en fonction de la température. SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I , 1ÈRE PARTIE CHAPITRE 2 : RÉFÉRENCES DE TENSION Page 2-9 ⎛ T⎞ γkT ⎛ T0 ⎞ kT ⎛⎜ J C T ln⎜ ⎟ + ln VBE = ⎜⎜1 − ⎟⎟VG 0 + VBE T =T + 0 T0 q ⎝ T ⎠ q ⎜ J C T =T ⎝ T0 ⎠ 0 ⎝ ⎞ ⎟ ⎟ ⎠ 2.8 On peut maintenant calculer la dérive de VBE en fonction de la température γkT ∂ ⎛ ⎛ T0 ⎞ ⎞ 1 1 ∂VBE ⎜ ln⎜ ⎟ ⎟ = − VG 0 + VBE T =T + 0 T0 T0 q ∂T ⎜⎝ ⎝ T ⎠ ⎟⎠ ∂T ∂ + ∂T ⎛ γkT ⎞ ⎛ T0 ⎞ kT ∂ ⎛⎜ ⎛⎜ J C ⎜⎜ ⎟⎟ ln⎜ ⎟ + ln ⎝ q ⎠ ⎝ T ⎠ q ∂T ⎜⎝ ⎜⎝ J C T =T0 ⎞⎞ k ⎛ J C ⎟ ⎟ + ln⎜ ⎟⎟ q ⎜ JC ⎝ T =T0 ⎠⎠ 2.9 ⎞ ⎟ ⎟ ⎠ A la température de référence T = T0 ⇒ J C = J C T =T 0 ∂VBE ∂T =− T =T0 γkT0 ∂ ⎛⎜ ⎛ T ⎞ ⎞⎟ 1 1 ln⎜ ⎟ VG 0 + VBE T =T + 0 q ∂T ⎜⎝ ⎜⎝ T0 ⎟⎠ ⎟⎠ T0 T0 T =T0 kT0 ∂ ⎛⎜ ⎛⎜ J C ln + q ∂T ⎜ ⎜ J C T =T 0 ⎝ ⎝ 2.10 ⎞⎞ ⎟⎟ ⎟⎟ ⎠ ⎠ T =T0 Notons que ∂ ∂T ⎛ ⎛ T0 ⎞ ⎞ T ∂ ⎛ T0 ⎞ 1 ⎜⎜ ln⎜ ⎟ ⎟⎟ = ⎜ ⎟=− T ⎝ ⎝ T ⎠ ⎠ T0 ∂T ⎝ T ⎠ 2.11 et, sachant que la densité de courant de collecteur est proportionnelle à Tα. ∂ ∂T ⎛ ⎛ J ⎜ ln⎜ C ⎜ ⎜J ⎝ ⎝ C T =T0 ⎞ ⎞ J C T =T ∂ ⎛ J C 0 ⎜ ⎟⎟ = ⎟⎟ J C ∂T ⎜ J C T =T 0 ⎝ ⎠⎠ ⎞ α ⎟= ⎟ T ⎠ 2.12 La dérive en température de la tension Base – Emetteur devient ∂VBE ∂T =− T =T0 1 1 k VG 0 + VBE T =T + (α − γ ) 0 q T0 T0 2.13 Les valeurs typiques de α et γ sont α=1 et γ=3.2. En supposant que VBE T =T = 0.6V à la 0 température ambiante de 27°C (300°K), on obtient : ∂VBE ∂T = −2.222mV / °C T = 27° C SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I , 1ÈRE PARTIE 2.14 CHAPITRE 2 : RÉFÉRENCES DE TENSION 2.3.2.2 Page 2-10 Réalisation d’une tension de référence compensée en température Soit deux jonctions pn de surfaces différentes AE1 et AE2. Ces jonctions sont traversées par des courants différents. Figure 2-11 : Circuit de base permettant la mesure de la dérive en température A partir de la Figure 2-11, on peut écrire ΔVBE = VBE1 − VBE 2 = kT ⎛ I1 I S 2 ⎞ kT ⎛ J1 AE1 I S 2 ⎞ kT ⎛ J1 ⎞ ⎟= ⎟= ln⎜ ln⎜ ln⎜ ⎟ q ⎜⎝ I 2 I S1 ⎟⎠ q ⎜⎝ J 2 AE 2 I S 1 ⎟⎠ q ⎜⎝ J 2 ⎟⎠ 2.15 et pour la dérive en température ∂ΔVBE k ⎛ J1 ⎞ = ln⎜⎜ ⎟⎟ ∂T q ⎝ J2 ⎠ 2.16 Pour avoir une dérive en température nulle à la température nominale de travail, il faut satisfaire à la relation suivante : ∂VREF ∂VBE = ∂T ∂T + K '' T =T0 ∂ΔVBE =0 ∂T 2.17 Où K ' ' est à définir pour satisfaire l’égalité. A partir des relations 2.13, 2.16 et 2.17 on peut écrire K'' VT T =T0 T0 ⎛ J ⎞ VBE T =T0 − VG 0 α − γ ln⎜⎜ 1 ⎟⎟ + + VT T0 T0 ⎝ J2 ⎠ T =T0 =0 2.18 ⎛J ⎞ En posant K = K ' ' ln⎜⎜ 1 ⎟⎟ , on obtient ⎝ J2 ⎠ K= VG 0 − VBE T =T − (α − γ )VT 0 VT T =T0 SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I , 1ÈRE PARTIE T =T0 2.19 CHAPITRE 2 : RÉFÉRENCES DE TENSION Page 2-11 J1 AE1 = = 10 , VBE T =T = 0.6V et T0=300°K, on a K=25.469. La tension de sortie de la 0 J 2 AE 2 source de référence « bandgap » vaut donc Pour VREF T =T = VBE T =T + K VT T =T0 = VG 0 − (α − γ )VT T =T0 0 0 = VBE T =T + VG 0 − VBE T =T − (α − γ )VT 0 0 T =T0 2.20 Soit pour une température de travail de 27°C, VREF=1.205+0.02582⋅2.2=1.262V Pour une température de travail différente de T0, la dérive en température de VREF ne sera pas nulle (∂VREF/∂T≠0). Variation de la tension de référence en fonction de la température 1.28 1.275 δVREF/δT=0 T0=350°K VREF [V] 1.27 δVREF/δT=0 1.265 T0=300°K 1.26 1.255 δVREF/δT=0 T0=250°K 1.25 -100 -50 0 50 100 150 T [°C] Figure 2-12 : Variation de la tension de référence en fonction de la température de fonctionnement 2.3.3 Référence de tension bandgap de Widlar La Figure 2-13 illustre une source de tension classique appelée Widlar. En observant cette figure, on peut écrire la relation suivante : VBE1 ≅ VBE 2 + I R 2 R3 2.21 La différence entre les tensions Base - Emetteur de Q2 et Q3 correspond à la chute de tension aux bornes de R3 ΔVBE = VBE1 − VBE 2 = I R 2 R3 2.22 La tension Base – Emetteur d’un transistor est reliée au courant d’émetteur. Par conséquent on peut écrire : ⎛I ⎞ ⎛I ⎞ ⎛I I ⎞ ΔVBE = VT ln⎜⎜ R1 ⎟⎟ − VT ln⎜⎜ R 2 ⎟⎟ = VT ln⎜⎜ R1 S 2 ⎟⎟ ⎝ I S1 ⎠ ⎝ IS2 ⎠ ⎝ I R 2 I S1 ⎠ SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I , 1ÈRE PARTIE 2.23 CHAPITRE 2 : RÉFÉRENCES DE TENSION Page 2-12 Supposons la même chute de tension aux bornes de R1 et R2 (IR1R1≅ IR2R2), alors VBE1≅VBE3. Par conséquent I R2 = ΔVBE VT ⎛ I R1 I S 2 ⎞ VT ⎛ R2 I S 2 ⎞ ⎟ = ln⎜ ⎟ = ln⎜ R3 R3 ⎜⎝ I R 2 I S1 ⎟⎠ R3 ⎜⎝ R1 I S 1 ⎟⎠ 2.24 et finalement la tension de référence vaut VREF = I R 2 R2 + VBE 3 = ⎛R I ⎞ R2 VT ln⎜⎜ 2 S 2 ⎟⎟ + VBE 3 = KVT + VBE 3 R3 ⎝ R1 I S 1 ⎠ 2.25 Figure 2-13 : Référence de tension « Bandgap » de Widlar Exemple : Choisissons K=25 et IS2=10IS1 et par conséquent R2=10R1=10kΩ. On peut écrire R2 = R3 2.3.4 25 K = = 5.4287 ⇒ R3 = 1.842kΩ ⎛ R2 I S 2 ⎞ ln(100) ⎟⎟ ln⎜⎜ ⎝ R1I S 1 ⎠ 2.26 Référence de tension bandgap de Brokaw La Figure 2-14 montre une autre structure de référence de tension dit de Brokaw. Dans cette structure, les deux transistors NPN sont réalisés dans la même puce de silicium et présentent des caractéristiques que l’on peut considérer comme identiques. L’amplificateur impose des tensions de collecteur identiques VCQ1=VCQ2. On peut donc écrire SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I , 1ÈRE PARTIE CHAPITRE 2 : RÉFÉRENCES DE TENSION R1I R1 = R2 I R 2 Page 2-13 2.27 La tension de référence est définie comme VREF = VBE 2 + R4,5 ( I R1 + I R 2 ) 2.28 Figure 2-14 : Référence de tension « BandGap » de Brokaw La différence entre les tensions Base – Emetteur est liée à la chute de tension dans la résistance R3. De plus, les transistors ayant des caractéristiques identiques, leurs courants de saturation sont identiques IS1=IS2. ⎛I ⎞ ⎛R ⎞ ΔVBE = R3 I R 3 = VBE 2 − VBE1 = VT ln⎜⎜ R 2 ⎟⎟ = VT ln⎜⎜ 1 ⎟⎟ ⎝ I R1 ⎠ ⎝ R2 ⎠ 2.29 En négligeant les courants de base, on peut dire que : I R 3 = I R1 2.30 Finalement, la tension de référence vaut VREF = VBE 2 + R4,5 ⎛ R ⎞ ⎛R ⎞ ⎜⎜1 + 1 ⎟⎟ ln⎜⎜ 1 ⎟⎟VT = VBE 2 + KVT R3 ⎝ R2 ⎠ ⎝ R2 ⎠ 2.31 et ∂VREF ∂VBE 2 R4,5 ⎛ R ⎞ ⎛ R ⎞k ⎜⎜1 + 1 ⎟⎟ ln⎜⎜ 1 ⎟⎟ = + ∂T ∂T R3 ⎝ R2 ⎠ ⎝ R2 ⎠ q SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I , 1ÈRE PARTIE 2.32 CHAPITRE 2 : RÉFÉRENCES DE TENSION Page 2-14 Exemple : Choisissons R1=5R2 et sachant que VBE=0.6V, ∂VBE/∂T=-2.222mV/°C et ∂VREF/∂T=0 à T=300°K, il est possible de définir le rapport entre R4,5 et R3. ∂VBE 2 ∂T T =300° K = R3 ⎛ R1 ⎞ ⎛ R1 ⎞ k ⎜⎜1 + ⎟⎟ ln⎜⎜ ⎟⎟ ⎝ R2 ⎠ ⎝ R2 ⎠ q − R4,5 ( R4,5 = 2.4 R3 ) 2.33 Puis la valeur de la tension de référence à T=300°K VREF T =300° K = 1.2V SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I , 1ÈRE PARTIE 2.34 CHAPITRE 2 : RÉFÉRENCES DE TENSION Page 2-15 2.4 RÉFÉRENCE DE TENSION EN TECHNOLOGIE XFET 2.4.1 Généralités Introduite il y a cinq ans par Analog Devices, la technologie bipolaire baptisée XFET (eXtra implanted FET) a pour ambition de réaliser le meilleur compromis entre bruit et consommation. La technologie met en œuvre des transistors à effet de champ dont les drains sont parcourus par des courants identiques. La tension de pincement de l’un des Fet est accentuée par implantation d’un canal additionnel. La tension de référence en sortie est proportionnelle à la différence amplifiée entre les tensions de pincement des deux transistors. Le coefficient de température intrinsèque d’un XFET (112ppm/°C) est environ trente fois plus faible que celui d’une référence « bandgap », et la courbe de variation est pratiquement linéaire jusqu’aux températures extrêmes de la gamme industrielle étendue. Finalement, il en résulte un design de correction en température simplifié et, par conséquent, moins bruyant. Cette correction s’effectue par le biais d’un courant proportionnel à la température absolue (IPTAT : Proportional To Absolute Temperature current). L’argument de la linéarité du coefficient de température, mis en exergue par le fabricant, est justifié par le fait qu’aux températures extrêmes les phénomènes non linéaires sont sans cohérence d’un produit à l’autre. Ce qui exclut l’utilisation d’un circuit de compensation. Enfin, à la différence d’une référence à Zener enterrée, un circuit XFET se satisfait d’une tension d’alimentation réduite. Si les caractéristiques générales des premiers composants XFET les situaient à mi-chemin des bandgap et des Zener enterrées, ils sont aujourd’hui plus proches des secondes citées. Ainsi, les circuits de dernière génération sont caractérisés par un bruit en sortie digne des meilleures références à Zener enterrée, tout en consommant un courant cinq fois plus petit. 2.4.2 Principe La topologie de base de la technologie XFET est illustrée à la Figure 2-15. Le cœur de la référence de tension est constituée des transistors JFET Q1 et Q2. Deux sources de courants I1 et I2 appairées (matched current sources) alimentent les transistors JFET. Le transistor Q1 possède un second canal, ce qui explique la différence de 500mV entre les tensions de pincement Vp des deux transistors pour des courants I1 et I2 identiques. ΔVP = VP1 − VP 2 2.35 avec ⎛ ⎛V I D = I DSS ⎜1 − ⎜⎜ GS ⎜ ⎝ VP ⎝ ⎞ ⎟⎟ ⎠ 2 ⎞ ⎟ ⎟ ⎠ 2.36 Lorsque la température de fonctionnement d’un JFET augmente 2 effets antagonistes interviennent : − la tension de seuil des jonctions Grille-canal diminue, donc l’épaisseur des zones désertées diminue, le canal devient plus large, le courant ID augmente, ou dans le cas présent la tension VGS à diminue, − la mobilité des porteurs µn des porteurs diminue, donc le courant ID devrait diminuer. SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I , 1ÈRE PARTIE CHAPITRE 2 : RÉFÉRENCES DE TENSION Page 2-16 VCC I1 I2 V=0V Q1 Q2 VP R1 IPTAT VREF R2 R3 Figure 2-15 : Topologie de base d’une source de référence basée sur la technologie XFET Pour des faibles valeurs de courant de drain ID, c’est le premier phénomène qui l’emporte et par conséquent la dérive en température est négative pour la tension de commande ∂VGS/∂T < 0. Pour de plus fortes valeurs de courant de drain ID, c’est le deuxième phénomène qui est prédominant et donc ∂VGS/∂T > 0. Pour les références de tension de type XFET, les courants de drains sont très faible, la dérive en température correspond donc à un coefficient TC négatif. Une source de courant proportionnelle à la température compense les effets de la température sur les tensions de commande des JFET. Finalement, la tension de sortie est donnée par la relation ⎛ R + R3 ⎞ ⎟⎟ΔV p + R3 I PTAT VREF = ⎜⎜1 + 2 R 1 ⎝ ⎠ 2.37 La technologie XFET offre des améliorations sensibles par rapport aux technologies « bandgap » et de diodes zener enterrées, en particulier pour des systèmes où le courant de fonctionnement est critique De plus la dérive thermique et le bruit présentent d’excellentes caractéristiques. Les valeurs typiques sont : − dérive en température linéaire de l’ordre de 3 à 8 ppm/°C, − hystérésis thermique inférieur à 50 ppm sur la plage -40°C à +125°C, − dérive sur le long terme excellente, typiquement 0.2 ppm/1000 heures. SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I , 1ÈRE PARTIE CHAPITRE 2 : RÉFÉRENCES DE TENSION Page 2-17 2.5 DÉFINITIONS DES PARAMÈTRES PROPRE AUX TENSIONS DE RÉFÉRENCE 2.5.1 Définition des paramètres Le Tableau 2-1 montre quelques paramètres pertinents d’une référence de tension. Il permet notamment une comparaison entre les divers technologies de références de tension Temperature Range–40°C To +85°C Paramètres Thaler corp. VRE3050 Maxim MAX6250 Analog Devices ADR293 5.0000 V 5.0000 V 5.0000 V Erreur initiale 0.01 % 0.04 % 0.06 % Coefficient de température 0.6 ppm/°C 3.0 ppm/°C 8.0 ppm/°C 3.0 μVp-p 3.0 μVp-p 15 μVp-p 2 ppm 20 ppm 15 ppm 6.00 ppm/1000hrs 20.0 ppm/1000hrs 0.20 ppm/1000hrs 8.0V – 36V 8.0V – 36V 6.0V – 15V 10 μs 10 μs < 10 μs 25 ppm/V 35 ppm/V 100 ppm/V 5 ppm/mA 7 ppm/mA 100 ppm/mA Tension de sortie Bruit (0.1 – 10Hz) Hystérésis thermique 25°C → 50°C → 25°C Stabilité long terme Alimentation Temps de stabilisation à l’enclenchement Régulation de ligne 8V ≤ Vin ≤ 10V Régulation de charge 0mA ≤ Iout ≤ 15mA Tableau 2-1 : Comparaison entre trois références de tension 2.5.1.1 Erreur initiale (Initial error) Correspond à l’erreur sur la valeur de la tension de sortie après la mise sous tension du circuit et la stabilisation de la température de fonctionnement. Cette mesure se fait sans charge. Dans la plupart des applications cette mesure est la plus importante des spécifications. 2.5.1.2 Coefficient de température (Temperature coefficient (TC)) Correspond à une variation de la tension de sortie avec un changement de la température de fonctionnement exprimée en ppm/°C. Cette valeur est, après l’erreur initiale, la seconde plus importante spécification donnée par le fabricant. Parmi toutes les manières de définir le coefficient de température, la plus utilisée tient compte des valeurs minimale, maximale et nominale de la tension de sortie ainsi que des extrémums de la température de fonctionnement. SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I , 1ÈRE PARTIE CHAPITRE 2 : RÉFÉRENCES DE TENSION TC = Page 2-18 VMAX − VMIN 106 [ ppm / °C ] VNOMINAL (TMAX − TMIN ) 2.38 Cette méthode permet de garantir les spécifications en termes d’erreur pour une plage de température donnée. Néanmoins elle ne donne pas d’indications sur la forme de la courbe d’erreur du composant testé. TMIN TMAX 5.0004 5.0003 V REF [V] 5.0002 Limite supérieure 5.0001 VMAX VNONIMAL VMIN 5.0000 - 5.0001 Limite inférieure - 5.0002 - 5.0003 - 5.0004 -50 -25 25 50 0 Température [°C] 75 100 Figure 2-16 : Tension de référence en fonction de la température A titre d’exemple la Figure 2-16 montre le comportement en température d’une source de tension de référence de 5V avec un coefficient de température de 0.6 ppm/°C sur une plage de température correspondant à la plage industrielle (-40°C à 85°C). Pour un convertisseur A/N de 14 bits avec une température industrielle, le coefficient de température doit être de 1ppm/°C pour une erreur de conversion de 1 LSB. 2.5.1.3 Hystérèse thermique (Thermal hysteresis) Sans modification de la tension d’alimentation et de la charge, un changement de la tension de sortie est provoqué par un changement de la température de fonctionnement. Lors d’un cycle de température, c’est-à-dire lorsque la température passe d’une valeur initiale à une température maximum et revient à sa valeur initiale, la tension de sortie ne reprend pas toujours la valeur correspondant à la température de départ. Ce comportement correspond à une hystérèse thermique. L’hystérèse thermique est difficile voir impossible à corriger. 2.5.1.4 Bruit large bande en 1/f (Noise 1/f and broadband) Le bruit thermique comprend une partie large bande et une partie en 1/d de bande étroite. Le bruit thermique large bande peut être filtré par un simple réseau RC. Le bruit en 1/f, inévitable pour une référence de tension ne peut pas être filtré. En général le bruit en 1/f est spécifié dans la bande 0.1Hz – 10Hz. Ce paramètre est important pour le designer. 2.5.1.5 Dérive sur le long terme (Long-term drift) Correspond à ne variation lente de la tension de sortie sur plusieurs mois de fonctionnement. La dérive à long terme est en général définie en ppm/1000hrs. Pour ces diodes Zener, la dérive à long terme est SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I , 1ÈRE PARTIE CHAPITRE 2 : RÉFÉRENCES DE TENSION Page 2-19 de l’ordre de 6ppm/1000hrs. Cette dérive décroit exponentiellement avec le temps. Des cycles thermiques sur le composant peuvent accélérer la stabilisation de la diode Zener de référence. Pour des références de tension XFET, la dérive à long terme est de l’ordre de -0.2ppm/1000hrs. 2.5.1.6 Temps de stabilisation à l’enclenchement (Turn-on setting time) Correspond au laps de temps nécessaire pour que la sortie atteigne sa valeur nominale (valeur finale) avec une tolérance définie. En général la tolérance est définie comme les 0.1 % de la valeur finale. 2.5.1.7 Régulation de ligne (Line regulation) Correspond à une modification, continue dans le temps, de la tension de sortie lorsque la tension d’entrée (alimentation) est modifiée. Cette spécification DC n’inclut pas les transitoires ou les ondulations de la tension d’entrée. 2.5.1.8 Régulation de la charge (Load regulation) Correspond à une modification, continue dans le temps, de la tension de sortie lorsque la charge est modifiée. Cette spécification DC n’inclut pas les transitoires lors de modifications de la charge. 2.5.1.9 Design du circuit imprimé (PCB layout) Une mauvaise qualité du routage du circuit imprimé peut affecter les performances de la référence de tension en termes de bruit et de comportement thermique. Les contraintes sur le support du PCB peuvent provoquer une dérive de la tension de sortie. SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I , 1ÈRE PARTIE CHAPITRE 2 : RÉFÉRENCES DE TENSION Page 2-20 2.6 ETUDE DE LA RÉFÉRENCE DE TENSION REF02 2.6.1 Description du circuit PMI est à l’origine du circuit intégré REF02. Le design de ce circuit a été repris par Analog Devices et Burr Brown (Texas Instruments). Le schéma simplifié donné par le fabricant est donné à la Figure 2-17. La base de la référence bandgap est constituée des transistors Q1 et Q2 ainsi que des résistances R1, R2, R3, R4, R11 et R12. Les transistors Q3 et Q4 représente une paire différentielle suivi d’un montage amplificateur. On peut donc remplacer la partie droite du schéma par un amplificateur opérationnel classique. Un point intéressant à relever est l’existence d’une capacité de compensation C1 permettant une bonne stabilité de la sortie de la référence. Le transistor Q15 et la résistance R15 permettent de limiter le courant de sortie (limitation rectangulaire). OUTPUT RESISTORS INPUT R9 R11 R12 883C PRODUCT 18kΩ 2kΩ 6.1kΩ 4.5kΩ 15kΩ P, S, J, Z PACKAGES 18kΩ R7 R8 REF02 OPTION 2 R14 Q15 Q7 Q8 Q14 R15 Q13 Q18 Q9 Q12 Q16 Q11 C1 Q17 Q10 R6 Q6 Q19 Q21 Q5 OUTPUT 6 R13 R3 R4 R12* Q4 R5 Q2 Q1 Q3 Q20 R9* TRIM 1.23V 5 R11* 3 R1 R10 TEMP R2 GROUND *SEE OUTPUT RESISTORS 4 Figure 2-17 : REF02, schéma simplifié donné par Analog Devices Dans le but de facilité la compréhension, on peut encore simplifier le schéma de la Figure 2-18. Figure 2-18 : REF02 : schéma simplifié SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I , 1ÈRE PARTIE CHAPITRE 2 : RÉFÉRENCES DE TENSION Page 2-21 Le coefficient de température TC sur les tensions Base – Emetteur des transistors Q1 et Q2 est de -2.222mV/°C. Comme démontré au §2.2.3, la différence entre les deux tensions Base – Emetteur des transistors Q1 et Q2 prend la forme suivante : ΔVBE = VBEQ 2 − VBEQ1 = kT ⎛ J 2 ⎞ ln⎜ ⎟ q ⎜⎝ J1 ⎟⎠ 2.39 Lorsque ΔVBE est amplifiée et ajoutée à VBE, on obtient une tension de référence VZ avec un coefficient de température nul (TC= 0mV/°C) si : kT VZ = VG 0 − (α = 1.262V { − γ{ ) q =1 = 3.2 @ 25°C 2.40 Le circuit simplifié de la Figure 2-18, montre que la densité de courant d’émetteur dans Q2 est 16 fois supérieure à celle de Q1, produisant une tension ΔVBE de 71.2mV à 25°C. Cette tension, aux bornes de R1, est amplifiée d’un facteur 9.3 pour que le coefficient de température (-2.222mV/°C) de VBEQ2 soit compensé par le coefficient de température de +2.222mV/°C de TCVTEMP. La tension VTEMP est alors égale à 9.3 fois la tension ΔVBE. La tension de référence de sortie VREF correspond à la tension VZ amplifiée du facteur 3.97. Le Tableau 2-2 donne un aperçu des tensions en fonction de la température. Température ambiante Tension TA=-75°C TA=25°C TA=125°C ΔVBE = kT ln(16) q 47.3mV 71.2mV 95.1mV VTEMP = 9.30 ΔVBE 440mV 662mV 884mV VBE (Q 2 ) 810mV 600mV 390mV VZ = VBE + VTEMP 1.250V 1.262V 1.274V VREF=3.96VZ 4.95V 5.00V 5.045V Tableau 2-2 : Tensions nominales 2.6.2 Exemple de dimensionnement A l’aide du circuit présenté ci-dessous, on désire réaliser une mesure de température dont les caractéristiques sont les suivantes : − Echelle de température de 10mv/°C, 100mV/°C ou 10mV/°F − Lien directe entre la tension mesurée et la température, par exemple -0.55V correspond à -55°C, 0V à 0°C et 1.25V à 125°C. SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I , 1ÈRE PARTIE CHAPITRE 2 : RÉFÉRENCES DE TENSION Page 2-22 Figure 2-19 : Mesure de température Les potentiomètres permettent d’ajuster l’offset et le gain. ⎛ R + Rb ⎞ R Vout = ⎜⎜1 + a Rc ⎟⎟VTEMP − c VREF Ra Rb Ra ⎝ ⎠ 2.41 Le Tableau 2-3 donne un exemple de valeurs pour les résistances externes. Les dérives en températures sont prises en compte lors de la calibration. Plage de température et sensibilité TA=-55°C à 125°C TA=-55°C à 125°C TA=-67°F à 257°F 10mV/°C 100mV/°C 10mV/°F -0.55V à 1.25V -0.55V à 1.25V -0.67V à 2.57V Offset 0V@0°C 0V@0°C 0V@0°F Ra (±1%) 9.09kΩ 15kΩ 8.25kΩ Rb0 (±1%) 1.5kΩ 1.82kΩ 1.0kΩ RbP (potentiomètre) 200Ω 200Ω 200Ω 5.11kΩ 84.5kΩ 7.5kΩ Plage de Vout Rc (±1%) Tableau 2-3 : Valeurs des composants (série E96) 9 Note : conversion degrés Celsius → Fahrenheit : ° F = °C + 32 5 SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I , 1ÈRE PARTIE CHAPITRE 3 : RÉGULATEURS LINÉAIRES DE TENSION Page 3-1 3. Régulateurs linéaires de tension. 3.1 INTRODUCTION 3.1.1 Fonctionnement standard Les circuits électroniques ne peuvent fonctionner que sous une ou plusieurs alimentations délivrant des tensions continues. Les régulateurs linéaires de tensions sont des éléments qui peuvent remplir ce rôle. Le régulateur linéaire est constitué d’une source de courant contrôlée en tension et dont la sortie est asservie de manière à fournir une tension continue stable. Figure 3-1 : Asservissement de la tension sur une charge par asservissement d’une source de courant 3.1.2 Fonctionnement en mode LDO Dans ce mode de fonctionnement, le régulateur travaille comme une résistance variable. La valeur de la résistance est contrôlée en tension de manière à garantir une tension continue stable aux bornes de la charge (diviseur résistif). Figure 3-2 : Asservissement de la tension sur une charge par asservissement d’une résistance série Ce mode de fonctionnement est appelé LDO (Low Dropout) pour désigner une faible différence de tension entre l’entrée et la sortie. Pour des charges demandant un courant faible, certains régulateurs en mode de fonctionnement LDO peuvent avoir une chute tension entre 30mV et 100mV. SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I , 1ÈRE PARTIE CHAPITRE 3 : RÉGULATEURS LINÉAIRES DE TENSION 3.1.3 Page 3-2 Boucle de réglage et stabilité Malgré sa facilité d’utilisation, il ne faut pas perdre de vue qu’un régulateur linéaire de tension est dépendant de la qualité de sa boucle de réglage interne. Il est primordial de bien comprendre le fonctionnent de chaque élément de la boucle afin d’assurer une contre-réaction (réaction négative), condition indispensable pour assurer la stabilité d’un système asservi. Les variations de la tension d’entrée, du courant de sortie (variation de la charge) ainsi que la température de fonctionnement sont autant de perturbations agissant sur le régulateur. Figure 3-3 : Mise en évidence de la boucle de contre-réaction dans un régulateur linéaire 3.1.4 Importance de la référence de tension La qualité de la tension de sortie en termes de stabilité est fortement dépendante de la qualité de la référence de tension. En effet cette dernière doit être aussi indépendante que possible des variations de la tension d’entrée et de la température de fonctionnement. Pour plus d’information, se référer au chapitre 2 – Références de tension. SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I , 1ÈRE PARTIE CHAPITRE 3 : RÉGULATEURS LINÉAIRES DE TENSION Page 3-3 3.2 TOPOLOGIES DES RÉGULATEURS LINÉAIRES DE TENSION 3.2.1 Description du fonctionnement La forme la plus générale d’un régulateur linéaire de tension est illustrée à la Figure 3-4. A l’entrée du régulateur est appliqué une tension variable dans le temps Vin. Le régulateur délivre à sa sortie une tension stable et constante dans le temps. Un point commun entre l’entrée et la sortie montre qu’il n’y a pas de séparation galvanique entre elles. La charge doit être un élément dissipatif qui peut être représenté par une source de courant ou plus simplement par une résistance. La puissance totale électrique fournie au circuit est donnée par la relation : Pin = Vin I in = Vin ( I GND + I out ) 3.1 La puissance fournie à la charge vaut : Pout = Vout I out 3.2 Et par conséquent, la puissance dissipée dans le régulateur : PD = Pin − Pout = (Vin − Vout ) I out + Vin I GND 3.3 On voit que la puissance dissipée dans le régulateur est directement proportionnelle à la différence entre les tensions d’entrée Vin et de sortie Vout et le courant circulant dans la charge Iout. Le second terme de la relation 3.3 montre qu’une partie de la puissance dissipée est directement dépendante du courant de masse IGND, c'est-à-dire le courant de polarisation interne au régulateur. Figure 3-4 : Forme de base d’un régulateur de tension Lors de l’utilisation de transistor ballast bipolaire le courant de masse IGND peut devenir soudainement très important lors de la saturation dudit transistor ballast. Par contre si le transistor ballast est un MOSFET, ce phénomène n’existe pas car les MOSFET sont commandés en tension et non en courant. La Figure 3-5 montre plus en détail le contenu d’un régulateur linéaire de tension. L’ensemble des éléments constituant le régulateur doit être considéré comme nécessaire, exception faire de la détection de la surcharge (Overload Saturation Sensor) et de la commande d’activation / désactivation (Shutdown Control) du régulateur. Un point important d’un régulateur est la stabilité en tension. Il est donc primordial d’avoir une référence stable dans le temps, le plus indépendant possible de la température et de faible bruit (voir Chapitre 2 – Références de tension : § 2.2). SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I , 1ÈRE PARTIE CHAPITRE 3 : RÉGULATEURS LINÉAIRES DE TENSION Page 3-4 Figure 3-5 : Structure de base d’un régulateur linéaire L’amplificateur d’erreur, qui joue le rôle de régulateur de tension est un amplificateur de tension classique ou un amplificateur à transconductance. En fonctionnement statique normal, la tension de sortie est liée à la tension de référence par la relation suivante : ⎛ R ⎞ Vout = ⎜⎜1 + 1 ⎟⎟VREF ⎝ R2 ⎠ 3.4 On voit que la tension de sortie, en première approximation, est indépendante de la tension d’entrée. Pour limiter le courant de masse IGND, il faut que le courant circulant dans le circuit donnant la tension de référence, le courant de commande du transistor ballast ainsi que le courant dans le diviseur résistif soient les plus petits possibles. Pour la technologie bipolaire, le courant de masse est de quelques milliampères (mA) alors que pour du CMOS, ce courant est réduit à quelques microampères (μA). La commande de désactivation du régulateur doit permettre non seulement de supprimer le courant de charge mais également de limiter au maximum le courant de masse IGND. La limitation de courant est en général constitué d’une résistance shunt pour la mesure suivi d’un circuit permettant de limiter le courant à une valeur maximum (limitation de courant rectangulaire) ou de réduire le courant maximum en fonction des conditions de charges (limitation réentrante (foldback). La mesure de la température à l’intérieur de semiconducteur peut se faire de plusieurs manières (voir Chapitre 2 – Références de tension : § 2.2.6) 3.2.2 Structure de l’élément de ballast L’élément de ballast (pass devices) est constitué de un ou plusieurs transistors bipolaires ou MOS. La Figure 3-6 donne, de manière non exhaustive, quelques topologies couramment utilisées. Le Tableau 3-1 est une comparaison entre les diverses topologies d’éléments de ballast. On voit que les topologies NPN et Darlington NPN sont des éléments suiveurs, ce qui signifie qu’ils ont une relativement grande largeur de bande et sont peu sensibles aux caractéristiques des condensateurs de sortie en raison de leur basse impédance de sortie. Par contre ils présentent une chute de tension entre l’entrée et la sortie relativement élevée. La raison est due à la présence de la tension Base – Emetteur VBE en série avec l’entrée. SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I , 1ÈRE PARTIE CHAPITRE 3 : RÉGULATEURS LINÉAIRES DE TENSION Page 3-5 NPN Darlington NPN Vin Vmin PNP 1.5V NPN I Vout PNP PNP/NPN MOSFET N MOSFET P Figure 3-6 : Eléments ballast Le montage inverseur propre aux topologies PNP et MOSFET permet à l’élément de ballast de travailler à la limite de la zone de saturation. Il est donc possible de minimiser la différence de tension entre l’entrée et la sortie et par conséquent d’augmenter les performances du régulateur en termes de rendement. La topologie MOSFET permet d’obtenir une tension minimale aux bornes de l’élément ballast. Le transistor MOSFET peut être dimensionné pour travailler dans la région linéaire. Darlington NPN Vin-Vout > 1 Vin-Vout > 2 I out < 1A I out > 1A Suiveur Suiveur Zout faible Zout faible Grande largeur de Grande largeur de bande bande Insensible à Cout Insensible à Cout NPN PNP PNP/NPN MOSFET P Vin-Vout > 0.1 I out < 1A Inverseur Zout grande Faible largeur de bande Sensible à Cout Vin-Vout > 1.5 I out > 1A Inverseur Zout grande Faible largeur de bande Sensible à Cout Vin-Vout > RDSONIout I out > 1A Inverseur Zout grande Faible largeur de bande Sensible à Cout Tableau 3-1 : Comparaison entre éléments de ballast SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I , 1ÈRE PARTIE CHAPITRE 3 : RÉGULATEURS LINÉAIRES DE TENSION Page 3-6 Dans ce cas il est important de minimiser la résistance RDSON. Pour des raisons d’optimisation, il existe des circuits intégrés permettant le contrôle d’un MSOFET externe. Dans ce cas on parle de contrôleurs de tension par opposition aux régulateurs ou l’élément de ballast est intégré. Les topologies PNP, PNP/NPN et MOSFET, en fonctionnement normal (source de courant) présentent des impédances de sortie élevées, nécessitant la présence d’un condensateur sur la sortie. Les valeurs en termes de capacité et de résistance série équivalente (ESR : equivalent serial resistor) du condensateur de sortie doivent être prises en considération par le designer afin d’assurer la stabilité de la tension de sortie. Ce point est extrêmement important et doit être traité avec soin, ces valeurs dépendant de la température et des tolérances de fabrication. L’utilisation d’un MOSFET N impose une tension VGS supérieure à la tension de seuil VTH. Dans ce cas il est nécessaire d’avoir une tension de commande plus élevée que la tension d’entrée Vin pour pouvoir travailler avec une faible différence de tension entre l’entrée et la sortie 3.2.3 Les régulateurs standards Dans le cas des régulateurs standards, le transistor de ballast (Q25, Q26 est un montage Darlington) travaille en source de courant contrôlée (zone saturée) en tension. Le régulateur linéaire LM317, est un grand classique du genre. La Figure 3-7 représente le schéma simplifié de ce régulateur. Figure 3-7 : Schéma simplifié du régulateur LM317 En examinant sa structure on voit que la référence est basée sur la cellule de tension de référence bandgap de Brokaw (Q18,Q16, Q19, Q17, R15, R14). La tension de référence VREF est fixée à 1.25V avec un courant de sortie de la cellule de IP = 50μA. Les résistances externe R1 et B2 permettent d’ajuster la tension de sortie à la valeur désirée. ⎛ R ⎞ Vout = ⎜⎜1 + 2 ⎟⎟VREF + R2 I P R1 ⎠ ⎝ SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I , 1ÈRE PARTIE 3.5 CHAPITRE 3 : RÉGULATEURS LINÉAIRES DE TENSION Page 3-7 En choisissant un courant de polarisation de 5mA, dans le diviseur résistif composé de R1 et R2, le courant de polarisation IP peut être négligé dans les calculs. 3.2.4 Les régulateurs LDO 3.2.4.1 Description La tension dit Dropout voltage correspond à la différence de tension entre l’entrée et la sortie Vin-Vout du régulateur pour laquelle l’asservissement de la tension de sortie n’est plus possible. Cette situation se produit lorsque la tension d’entrée décroit pour s’approcher de la tension de sortie qui elle doit rester constante. La Figure 3-8 montre un régulateur utilisant un transistor MOSFET P comme transistor ballast. L’utilisation d’un MOSFET N n’est pas possible car il faudrait alimenter le circuit de contrôle avec une tension supérieure à la tension d’entrée Vin. -VDS=Vin-Vout S Vin MOSFET Canal P D G R1 Circuit de contrôle Vin CT C Vout Rch R2 Figure 3-8 : Schéma simplifié d’un régulateur LDO Le fonctionnement d’un régulateur LDO peut être expliqué en observant la caractéristique ID=f(VDS,VGS) d’un transistor MOSFET canal P. La Figure 3-9 (a) illustre les deux régions dans lesquelles le transistor MOSFET canal P peut travailler. Dans la région linéaire, le transistor se comporte, en première approximation, comme une résistance variable. Dans la région saturée, il peut être assimilé à une source de courant commandée. Les régulateurs de tension ont leurs points de fonctionnement dans la région saturée. La Figure 3-9 (b) représente le circuit équivalent du transistor lorsqu’il travaille dans la zone linéaire alors que la Figure 3-9 (c) correspond à un point de fonctionnement dans la zone saturée. Dans la zone saturée, le courant de drain est donné par la relation : I D ≅ β (VGS − VTH ) 2 3.6 Pour un transistor MOSFET canal P, β, ID, VGS et VTH sont des valeurs négatives. VTH représente la tension de seuil (threshold). Lorsque |VGS| < |VTH| le transistor est bloqué. On voit que pour une tension VGS donnée, le transistor travaille comme une source de courant idéale (pas de résistance interne). La tension VGS sert donc de tension de commande pour la source de courant. Dans la zone linéaire, on peut écrire : I D ≅ − β (VDS − (VGS − VTH ) ) + β (VGS − VTH ) 2 2 ≅ − β (VDS − 2(VGS − VTH ) )VDS SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I , 1ÈRE PARTIE 3.7 CHAPITRE 3 : RÉGULATEURS LINÉAIRES DE TENSION Page 3-8 En fonctionnement standard, les points de fonctionnent se trouvent dans la zone saturée. -I DS (Région linéaire) Mode résistance (Région saturée) Mode source de courant P2 -I DS2 -VGSMax -I DS0 P1 -IDS1 V(Dropout) P0 -IDSmin -VGS -VGSMax -VGS1 -VGSMin -VTH 0 -VDS1 -VDS0 -VDS2 -VGSMin -VDS =-(Vin -Vout ) (a) : Caractéristique ID=f(VDS, VGS) (b) : Résistance variable (Région linéaire) (c) : Source de courant (Région saturée) Figure 3-9 : Caractéristiques du MOSFET Canal P Le transistor de ballast travaille dans le mode source de courant. En fonctionnement normal, la tension sortie Vout est constante. P0 représente un point de fonctionnement à courant minimal. Le point de fonctionnement P2 correspond un courant de sortie maximum. La tension d’entrée Vin est supérieure pour le P2 en regard de P0. Le passage entre les points de fonctionnement P0 et P2 ne pose aucun problème excepté une augmentation de la puissance dissipée dans le transistor ballast. Si par contre, pour un courant de sortie compris dans la plage de fonctionnement, la tension d’entrée diminue, le nouveau point de fonctionnement peut se trouver dans la région linéaire. Le transistor ballast travaille comme une résistance variable. Ce cas est représenté par le point de fonctionnement P1. Lorsque la tension VGS atteint sa valeur maximum, le circuit d’asservissement ne peut maintenir la tension de sortie à sa valeur nominale. Le régulateur ne fonctionne donc plus correctement. 3.2.4.2 Trajectoire du point de fonctionnement en fonction de la tension d’entrée La description qui suit se réfère à la Figure 3-10. Comme point de départ (P0), on admet que la tension d’entrée est égale à la valeur maximale admissible. Le courant de sortie est fonction de la tension de sortie Vout, qui est constante, et de la résistance de charge Rch, qui est également constante. La tension d’entrée Vin est ensuite diminuée, entraînant une diminution de la tension VDS aux bornes du MOSFET P. Comme ce dernier travaille en mode source de courant, et que la tension de sortie Vout et la résistance de charge de varient pas, la tension VGS ne change pas et par conséquent le point de SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I , 1ÈRE PARTIE CHAPITRE 3 : RÉGULATEURS LINÉAIRES DE TENSION Page 3-9 fonctionnement se déplace horizontalement pour atteindre P1 puis P2. En P2 le point de fonctionnement se trouve à la limite entre les modes source de courant et résistance variable. Si la tension d’entrée Vin continue à diminuer, il faut que la tension -VGS augmente pour maintenir le courant de sortie constant. En P3, la tension -VGS est égale à la tension d’alimentation Vin. Par conséquent, une diminution de Vin provoque une diminution de -VGS. Le courant de sortie va diminuer et par conséquent la tension de sortie aussi puisque la résistance de charge est constante. Depuis P4, le courant de sortie est proportionnel à VGS2 . La tension de sortie diminue donc plus vite que la tension d’entrée. Il en résulte une augmentation de la tension -VDS. Lorsque la tension d’entrée Vin atteint la valeur de la tension de seuil -VTH de la tension -VGS (POFF), le MOSFET P se bloque et la tension de sortie devient nulle. -I DS Mode résistance variable -IDS0 Mode source de courant P1 P2 P3 -VGSMax -VGS3 P0 -VGS{2,1,0} P4 P5 -VGS4 P5 -VGS5 POFF 0 -V DS2 -V DS1 -V DS =-VTH -VDS =-(Vin -Vout ) Figure 3-10 : Déplacement du point de fonctionnement pour une diminution de la tension d’entrée à Rch=cte La Figure 3-11 montre l’évolution des tensions de sortie Vout et Drain – Source VDS en fonction de la tension d’entrée Vin. On voit sur cette figure que dès que la tension d’entrée est plus élevée que la tension de seuil du MOSFET P (Vin > VTH), la tension de sortie suit la tension d’entrée jusqu’à ce qu’elle atteigne sa valeur nominale. Vin ,Vout ,-VDS Vin VinMin -VDS Vout Zone de blocage Zone d'asservissement -VDS -VTH Vin Figure 3-11 : Tensions VDS,et de sortie Vout en fonction de la tension d’entrée Vin pour une résistance Rch=cte SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I , 1ÈRE PARTIE CHAPITRE 3 : RÉGULATEURS LINÉAIRES DE TENSION Page 3-10 La différence de tension minimale entre l’entrée et la sortie correspond au point où la tension de sortie atteint sa valeur de réglage. Cette valeur dépend du courant traversant l’élément de ballast. 3.2.4.3 Exemple d’un régulateur LDO La Figure 3-12 montre un régulateur LDO utilisant un transistor MOFET P comme ballast. Le circuit peut être désactivé ( EN ). Dans ce cas sa consommation devient très faible (0.5μA). En fonctionnement, le courant propre au bon fonctionnement du circuit intégré est indépendant de la charge (340μA). Le courant de sortie maximum est de 500mA. La tension -VDS minimale est de 35mV pour un courant de sortie de 100mA. Ce composant présente une autre caractéristique intéressante puisqu’il fournit un signal nommé RESET permettant de maintenir un Reset stable sur les circuits intégrés numériques (microcontrôleur, FPGA, …) durant le transitoire d’enclenchement. Cette sortie peut également être utilisée pour créer une séquence d’enclenchement des alimentations. IN EN RESET _ + OUT Vref SENSE/FB Delayed Reset + _ R1 R2 GND Figure 3-12 : Régulateur LDO avec transistor ballast MOSFET P (TPS7350) L’utilisation de MOSFET P impose un choix particulier du condensateur placé sur la sortie de l’alimentation. La raison de cette contrainte est expliquée à la section 3.3. La Figure 3-13 illustre le cas d’un régulateur avec un transistor PNP comme ballast. Q1 IN THERMAL PROTECTION OUT CC DRIVER SD ADP3333 R1 gm BANDGAP REF R2 GND Figure 3-13 : Régulateur LDO avec transistor ballast PNP (ADP3333) SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I , 1ÈRE PARTIE CHAPITRE 3 : RÉGULATEURS LINÉAIRES DE TENSION Page 3-11 Un condensateur de compensation CC permet garantir une bonne stabilité du circuit même avec un condensateur dont la capacité est de l’ordre de 1μF sur la sortie. L’utilisation d’un transistor ballast de MOSFET N ou plus exactement un DMOS permet de diminuer encore la résistance RDSON. De plus il est possible de travailler en suiveur et par conséquent d’obtenir un système d’asservissement stable, même sans condensateur de sortie. Par contre la difficulté majeure vient du fait qu’il est nécessaire d’avoir une tension de Gate supérieure de 1V au moins à la tension de sortie (commande du DMOS par imposition de la tension Gate – Source VGS). En mode low dropout (région linéaire), la tension de Gate est même supérieure à la tension d’entrée Vin. Il est donc nécessaire de créer une alimentation interne à découpage (sans inductance) sous la forme d’une pompe de charge. Pour des raisons de place, la charge à disposition pour la commande du DMOS est limitée. Par conséquent la rapidité de l’asservissement est limitée, lors de fortes variations de la tension d’entrée Vin ou de la charge. V IN NR (fixed output versions only) Low-Noise Charge Pump C NR V REF (1.26V) N-Channel DMOS Output V OUT Over-Current Over Temp Protection Enable R1 REG102 R2 Adj (Adjustable version) Figure 3-14 : Régulateur LDO avec transistor ballast MOSFET N (REG102) SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I , 1ÈRE PARTIE CHAPITRE 3 : RÉGULATEURS LINÉAIRES DE TENSION Page 3-12 3.3 STABILITÉ DES RÉGULATEUR LDO 3.3.1 Introduction Pour pouvoir réaliser une étude de la stabilité des régulateurs LDO, nous partirons d’un régulateur LDO intégré, utilisant un transistor MOSFET P. La structure de ce régulateur est illustrée à la Figure 3-15. Figure 3-15 : Régulateur LDO, schéma électrique fonctionnel simplifié Dans ce schéma, le transistor ballast est un MOSFET canal P, les condensateurs de sortie sont d’une part un condensateur électrolytique de capacité élevée (CT ≥ 10μF) et un condensateur céramique de faible valeur (C < 470nF). La charge est représentée par une source de courant Ich. 3.3.2 Modèle simplifié par accroissement des composants du régulateur LDO Selon le modèle par accroissement choisi pour les divers composants constituant l’alimentation, la complexité des calculs peut devenir inutilement compliquée. Nous allons donc choisir des modèles simples mais représentatifs du fonctionnement réel du régulateur. Le modèle par accroissement dynamique du transistor MOSFET est représenté la Figure 3-16. Figure 3-16 : Modèle dynamique petit signaux du transistor MOSFET canal P Ce modèle correspond au fonctionnement du MOSFET en source de courant. Le modèle simplifié de l’amplificateur différentiel est celui présenté à la Figure 3-17. La fonction de transfert du gain en tension est du premier ordre. SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I , 1ÈRE PARTIE CHAPITRE 3 : RÉGULATEURS LINÉAIRES DE TENSION Page 3-13 Ra AVVdiff Vdiff Vout Figure 3-17 : Modèle simplifié de l’amplificateur opérationnel Le condensateur électrolytique est présenté par un condensateur idéal C et une résistance équivalente série RESR. Toujours dans un but de simplification, on admet que la l’inductance série équivalente LESL est négligeable. De même la résistance d’isolation Risol peut être considérée comme infinie. Figure 3-18 : Modèle du condensateur électrolytique 3.3.3 Modèle petits signaux du régulateur LDO A partir des modèles simplifiés des composants du régulateur LDO, il est possible de construire le modèle petits signaux du régulateur complet. On rappelle, si besoin est, que les sources non contrôlées peuvent être : − remplacé par un court-circuit s’il s’agit d’une source de tension constante, − remplacé par un circuit ouvert s’il s’agit d’une source de courant constant. Figure 3-19 : Modèle petits signaux du régulateur LDO SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I , 1ÈRE PARTIE CHAPITRE 3 : RÉGULATEURS LINÉAIRES DE TENSION Page 3-14 Du modèle petits signaux, on peut déterminer le schéma bloc d’asservissement (régulation de maintien) du régulateur LDO. La consigne de tension correspond à la tension de référence alors que la grandeur à régler est la tension de sortie. L’étude de la stabilité du système est réalisée par l’observation de la fonction de transfert en boucle ouverte. Le signe (+) de la dans la boucle signifie qu’un des blocs contient un signe (-), soit un déphasage de 180°. Figure 3-20 : Schéma bloc de la boucle d’asservissement de la tension de sortie 3.3.4 Etude de la fonction de transfert en boucle ouverte. 3.3.4.1 Fonction de transfert de l’amplificateur opérationnel La fonction de transfert liant la tension de sortie de l’amplificateur différentiel à la tension différentielle d’entrée correspond à l’amplification en tension dudit amplificateur. Ga ( s ) = 3.3.4.2 V0 ( s ) AV = Vdiff ( s ) 1 + sTC 3.8 Fonction de transfert liant IG à VGS pour le MOSFET La source de tension commandée de l’amplificateur différentiel est connectée à la résistance Ra en série avec le condensateur CGS, la sortie correspond à la tension VGS aux bornes du condensateur GGS ( s) = 3.3.4.3 VGS ( s) 1 = V0 ( s) 1 + sRa CGS 3.9 Fonction de transfert de la transconductance du MOSFET Le courant circulant dans le MOSFET est issu d’une source de courant contrôlée par la tension VGS. Il s’agit en fait de la transconductance gm du MOSFET. Attention pour un MOSFET P la conductance gm est négative. GMOS ( s) = I D ( s) = gm VGS ( s ) SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I , 1ÈRE PARTIE 3.10 CHAPITRE 3 : RÉGULATEURS LINÉAIRES DE TENSION 3.3.4.4 Page 3-15 Fonction de transfert liant IDS du MOSFET à la tension de sortie Vout Le courant issu de la source contrôlée du MOSFET passe aux travers des divers composants du circuit RDS//(R1+R2)//(1/SCT+RESR)//SC. Sachant que R1+R2 >> RDS, on peut écrire Z 0 ( s) = RDS 1 + sCT RESR 1 + s(CT RESR + (CT + C ) RDS ) + s 2 (RDS RESRCT C ) 3.11 CT est un condensateur électrolytique alors que C est un condensateur céramique. On peut donc affirmer que CT >> C. De plus la pratique montre que RDS > RESR. Par conséquent la relation précédente prend la forme suivante : Z 0 ( s) ≅ RDS 3.3.4.5 1 + sCT RESR ⎛ (1 + sCT ( RESR + RDS ) )⎜⎜1 + sC RDS RESR RESR + RDS ⎝ ⎞ ⎟⎟ ⎠ 3.12 Fonction de transfert de l’organe de mesure L’organe de mesure correspond à un diviseur de tension constitué des résistances R1 et R2 Gm ( s) = 3.3.4.6 Vm ( s) R2 = Vout ( s ) R1 + R2 3.13 Fonction de transfert en boucle ouverte La fonction de transfert en boucle ouverte est donnée par la relation G0 ( s ) = Vm ( s ) = Ga ( s )GGS ( s )GMOS ( s ) Z 0 ( s )Gm ( s ) Vdiff ( s ) ≅ AV g m R2 RDS R1 + R2 1 + sCT RESR 3.14 ⎛ (1 + sRaCGS )(1 + sCT ( RESR + RDS ))⎜⎜1 + sC ⎝ 3.3.4.7 RDS RESR RESR + RDS ⎞ ⎟⎟ ⎠ Exemple numérique Pour illustrer les conditions de stabilité des régulateurs LDO, on prendra un composant fabriqué par Texas Instruments. Il s’agit du TPS76433, dont les caractéristiques sont données ci-dessous : VREF RDS gm RESR = 1.2V = 65Ω = -8 S = 10mΩ … 20Ω CT C = 10μF = 470nF SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I , 1ÈRE PARTIE : : : : tension de référence pour 300°K, résistance en série avec la source de source équivalente, conductance du MOSFET P, résistance équivalente en série avec le condensateur tantale, : condensateur tantale de sortie, : condensateur céramique de sortie, CHAPITRE 3 : RÉGULATEURS LINÉAIRES DE TENSION CGS Ra AV FC = 200pF = 300kΩ = 56 = 160kHz : : : : Page 3-16 condensateur Gate – Source du MOSFET P, résistance de sortie de l’amplificateur, gain en tension de l’amplificateur, fréquence de coupure de l’amplificateur de tension (système du 1er ordre). La Figure 3-21 montre les diagrammes de Bode d’amplitude et de phase pour les valeurs extrêmes et une valeur nominale de la résistance RESR. On voit que pour des résistances équivalentes séries de 10mΩ et 20Ω et les marges de phase sont trop faibles. La stabilité de l’asservissement n’est pas garantie. Par contre pour une résistance RESR de 2Ω, la marge de phase est de plus de 60°. Dans ce dernier cas la stabilité est assurée. La Figure 3-22 met en évidence la réponse fréquentielle du système asservi (boucle fermée). On voit effectivement que des résonnances se produisent pour les valeurs extrêmes de la résistance RESR alors que une valeur intermédiaire, la réponse est optimale. La Figure 3-23 fait partie intégrante des données fournies par le fabricant. On voit que les conditions de stabilité sont peu dépendantes du courant de sortie. Il en est de même pour les valeurs des condensateurs céramiques. Fonction de transfert G0(f) en boucle ouverte |G0(f)| [dB] 50 RESR=20Ω 0 RESR=10mΩ RESR=2Ω -50 1 10 2 3 10 10 4 5 10 6 10 10 7 10 arg(G0(f)) [Degrés] 0 RESR=20Ω RESR=2Ω -90 -180 RESR=10mΩ -270 1 10 2 10 3 10 4 10 f [Hz] 5 6 10 10 7 10 Figure 3-21 : Diagramme de Bode en boucle ouverte Fonction de transfert G (f) en boucle fermée ω 40 RESR=20Ω 20 |Gomega(f)| [dB] 0 -20 RESR=2Ω -40 RESR=10mΩ -60 -80 1 10 2 10 3 10 4 10 f [Hz] 5 10 6 10 7 10 Figure 3-22 : Diagramme de Bode en boucle fermée SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I , 1ÈRE PARTIE CHAPITRE 3 : RÉGULATEURS LINÉAIRES DE TENSION Page 3-17 TYPICAL REGIONS OF STABILITY TYPICAL REGIONS OF STABILITY COMPENSATION SERIES RESISTANCE (CSR)† vs OUTPUT CURRENT COMPENSATION SERIES RESISTANCE (CSR)† vs ADDED CERAMIC CAPACITANCE 100 CSR – Compensation Series Resistance – Ω CSR – Compensation Series Resistance – Ω 100 Region of Instability 10 CO = 10 μF 1 0.1 Region of Instability 0.01 0 50 100 150 IO – Output Current – mA 200 250 Region of Instability 10 CO = 10 μF 1 0.1 Region of Instability 0.01 0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1 Added Ceramic Capacitance – μF Figure 3-23 : Condition sur la résistance RESR pour assurer la stabilité de l’asservissement 3.3.5 Paramètres des régulateurs LDO 3.3.5.1 Tension d’entrée La tension d’entrée Vin minimale doit être supérieure à la tension de sortie Vout + VLDO, indépendamment de la valeur minimale donnée dans le tableau de sélection. 3.3.5.2 Rendement En négligeant le courant de repos (Iq) du LDO, le rendement peut se calculer ainsi : Vout/Vin. 3.3.5.3 Dissipation de puissance (PD) PD = (Vin – Vout) Iout; PD est limité par le boîtier, TA et Tjmax. Pour une dissipation de puissance supérieure ou des besoins de rendement plus élevé, il est recommande d’utiliser des convertisseurs/contrôleurs abaisseurs CC/CC de tension (Buck). 3.3.5.4 Besoin en condensateurs Certains LDO nécessitent des condensateurs polarisés au tantale, avec ESR élevé. Si un LDO est stable sans condensateur polarisé ou avec des condensateurs polarisés céramiques à faible ESR, il est en général stable avec tous les modèles de condensateurs. Les LDO les plus récents sont stables avec des condensateurs polarisés céramiques à prix modiques. 3.3.5.5 Bruit et PSRR Sélectionner un LDO avec un taux de réjection des variations d’alimentation élevé (PSRR) pour une immunité au bruit provenant de l’alimentation d’entrée et un faible bruit en sortie (< 50 μVrms). Certains LDO sont dotés d’une broche de bypass pour améliorer la performance de filtrage du bruit en sortie. 3.3.5.6 PG/SVS Les circuits tels que les microprocesseurs, DSP et FPGA requièrent une tension minimum pour fonctionner correctement. La fonction de contrôle de l’alimentation (SVS) surveille les tensions du système et émet un signal lorsque les tensions chutent au-dessous d’une certaine valeur, permettant une réinitialisation du système tout en évitant un dysfonctionnement. La fonction SVS confirme le signal SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I , 1ÈRE PARTIE CHAPITRE 3 : RÉGULATEURS LINÉAIRES DE TENSION Page 3-18 de réactivation après un laps de temps spécifié alors qu’une fonction PG (Power-Good) n’intègre pas de temporisateur. 3.3.5.7 Protection du courant de fuite inverse Dans des applications spéciales, où la tension en sortie du LDO est supérieure à la tension d’entrée, la fonction de protection du courant de fuite inverse empêche le courant de passer de la sortie du LDO vers l’entrée ; ce qui peut endommager l’alimentation d’entrée, en particulier dans le cas d’une batterie. SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I , 1ÈRE PARTIE CHAPITRE 3 : RÉGULATEURS LINÉAIRES DE TENSION Page 3-19 3.4 LIMITATION DU COURANT DE SORTIE 3.4.1 Généralités Pour des raisons évidentes de fiabilité, les régulateurs linéaires de tension sont protégés par la limitation du courant de sortie. En principe le composant doit être capable de supporter la charge thermique lors d’une limitation de courant permanente. Le pire cas correspond à un court circuit de la sortie. Si la température de jonction devient trop élevée, la plupart des composants on une protection thermique permettant la désactivation du composant. 3.4.2 Caractéristique rectangulaire de la limitation de courant 3.4.2.1 Première méthode : Description de la limitation La Figure 3-24 illustre un exemple de limitation de courant avec une caractéristique rectangulaire. En effet lorsque le courant traversant la résistance R1 provoque une chute de tension de 0.7V environ, le transistor Q1 se met à conduire. Le potentiel de la source VS du MOSFET canal P va décroitre alors que le potentiel de la grille VG augmente. La diminution résultante de la tension VGS place le MOSFET en mode source de courant. Figure 3-24 : Caractéristique rectangulaire de la limitation de courant (I) 3.4.2.1.1 Dimensionnement Les caractéristiques externes du régulateur sont les suivants : − − − − Tension d’entrée Tension de sortie Tension de référence Courant maximum : Vin =12V : Vout = 5V : VREF = 2.5V : 1A La résistance shunt (R1) est dimensionnée de manière à avoir une chute de tension de 0.7V à ces bornes lorsque le courant maximum la traverse. SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I , 1ÈRE PARTIE CHAPITRE 3 : RÉGULATEURS LINÉAIRES DE TENSION Rsh = 3.4.2.2 Page 3-20 VJ 0.7 = = 0.7Ω / 1W I LIM 1 3.15 Deuxième méthode : Description de la limitation La Figure 3-25 montre une autre possibilité de réaliser une limitation rectangulaire. Dans ce cas, la tension aux bornes de la résistance shunt (Rsh) est mesurée à l’aide d’un amplificateur différentiel. Le comportement est approximativement le même que pour la méthode précédente mais la chute de tension aux bornes de la résistance shunt peut être limitée à une tension plus basse que la tension de jonction. Figure 3-25 : Caractéristique rectangulaire de la limitation de courant (II) Le réseau de résistances R1, R2, R3, R4 est choisi de manière à ce que la tension différentielle entre les bornes (+) et (-) de l’amplificateur U1 soit négatif pour des courants inférieurs au courant limite et positif au-delà. Par conséquent, pour les faibles courants (I < ILIM), la sortie de l’amplificateur est en limitation inférieure (saturation) et la diode D est bloquée. L’asservissement de la tension de sortie fonctionne normalement. Au moment ou la tension sur les entrées de l’amplificateur change de signe (I ≥ ILIM), la diode devient conductrice et pas conséquent la tension VGS du MOSFET canal P est limitée provoquant du même coup une limitation du courant de sortie. 3.4.2.2.1 Dimensionnement Les caractéristiques externes du régulateur sont les suivants : − − − − − Tension d’entrée Tension de sortie Tension de référence Courant maximum Chute de tension maximale sur R1 : Vin =12V : Vout = 5V : VREF = 2.5V : ILIM = 1A : VR1MAX = 0.1V La résistance shunt (Rsh) est dimensionnée de manière à avoir une chute de tension de 0.1V à ses bornes lorsque le courant maximum la traverse. SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I , 1ÈRE PARTIE CHAPITRE 3 : RÉGULATEURS LINÉAIRES DE TENSION Rsh = Page 3-21 VRMMAX 0.1 = = 0.1Ω / 1 4W I LIM 1 3.16 Les résistances R1, R3, R4 sont choisies de manière à avoir un courant négligeable par rapport au courant à limiter, par exemple R1=R3=R4=10kΩ. R2 est alors déterminé par la relation suivante R2 = 1 2Vin − Rsh I LIM R4 1 2Vin ( R2 = 9.8kΩ) 3.17 En principe R5 doit être le plus grand possible. En pratique cette valeur doit être ajustée en fonction du type d’amplificateur opérationnel choisi. La limitation de courant est fonction de la tension d’entrée Vin. Il faut vérifier que pour les extrêmes de Vin, la limitation de courant reste dans des limites acceptables. 3.4.2.3 Désavantage de la caractéristique rectangulaire de limitation de courant Lors d’un court-circuit permanent, la puissance dissipée par le MOSFET canal P est égale à PQ1 = Vin I LIM 3.18 Le transistor doit être dimensionné pour tenir cette charge thermiquement. Il faudra donc choisir un boitier relativement gros ou ajouter un radiateur. Dans les cas ou la place disponible doit être minimisée, il est important d’utiliser une autre approche pour la limitation de courant. Caractéristique rectangulaire de la limitation de courant 10 PQ1MAX 9 8 PQ1 [W] 6 Vout [V] 7 4 5 Vout=f(I) 3 PQ1=f(I) 2 1 0 0 0.2 0.4 0.6 I [A] 0.8 1 Figure 3-26 : Caractéristique rectangulaire de la limitation de courant SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I , 1ÈRE PARTIE CHAPITRE 3 : RÉGULATEURS LINÉAIRES DE TENSION Page 3-22 3.4.3 Caractéristique réentrante (foldback) de la limitation de courant 3.4.3.1 Description de la limitation En plaçant la limitation sur la mesure de courant sur la sortie, la caractéristique de la limitation est de type réentrante. En effet lorsque le courant de limitation est proportionnel à la tension de sortie tension de sortie. Grâce à ce comportement, la puissance dissipée dans le transistor MOSFET canal P diminue. S R6 Rsh D G Q2 R1 R2 R8 R5 C Vin Vout R7 U1 R3 U2 R4 R9 VREF Figure 3-27 : Caractéristique réentrante de la limitation de courant 3.4.3.1.1 Dimensionnement Les caractéristiques du régulateur sont identiques au cas de la limitation rectangulaire (§3.4.2). − − − − − Tension d’entrée Tension de sortie Tension de référence Courant maximum Chute de tension maximale sur R1 : Vin : Vout : VREF : ILIM : VR1MAX =12V = 5V = 2.5V = 1A = 0.1V La résistance shunt (Rsh) est dimensionnée de manière à avoir une chute de tension de 0.1V à ces bornes lorsque le courant maximum la traverse. Rsh = VRMMAX 0.1 = = 0.1Ω / 1 4W I LIM 1 3.19 Les résistances R1, R3, R4 sont choisies de manière à avoir un courant négligeable par rapport au courant à limiter, par exemple R1=R3=R4=10kΩ. R2 est alors déterminé par la relation suivante R2 = VoutNom − Rsh I LIM R4 VoutNom + Rsh I LIM avec VoutNOM=5V. SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I , 1ÈRE PARTIE ( R2 = 9.6kΩ) 3.20 CHAPITRE 3 : RÉGULATEURS LINÉAIRES DE TENSION Page 3-23 En principe R5 doit être le plus grand possible. En pratique cette valeur doit être ajustée en fonction du type d’amplificateur opérationnel choisi. En limitation, le lien entre le courant de limitation et la tension de sortie est donné par la relation suivante : VoutLIM = 3.4.3.2 R4 R1 + R4 R3 Rsh I LIM R4 R1 − R3 R2 3.21 Avantage de limitation réentrante du courant On voit que dans le cas de la limitation réentrante, la puissance maximale dissipée par le transistor MOSFET est limitée au point de fonctionnement normal maximum. Caractérisitque réentrante de la limitation de courant 5.5 5 4.5 PQ1 [W] 3.5 Vout [V] 4 2.5 PQ1MAX PQ1=f(I) 3 2 1.5 Droite de limitation 1 0.5 0 0 0.2 0.4 0.6 I [A] 0.8 1 1.2 Figure 3-28 : Caractéristique réentrante de la limitation de courant SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I , 1ÈRE PARTIE CHAPITRE 3 : RÉGULATEURS LINÉAIRES DE TENSION Page 3-24 3.5 PROTECTION THERMIQUE En général les régulateurs sont protégés contre les échauffements excessifs. Une possibilité est de jouer sur la dérive thermique d’une diode Zener (coefficient de température positif ⇒ VZ > 5.1V). La Figure 3-29 montre un tel cas. On voit qu’a 160°C, le transistor Q2 devient conducteur. Q2 dérive le courant de base de Q1 et par conséquent impose une diminution du courant dans le transistor de ballast, ceci jusqu’à ce qu’un équilibre thermique soit atteint. Figure 3-29 : Principe de la protection thermique SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I , 1ÈRE PARTIE CHAPITRE 4 : ALIMENTATIONS À DÉCOUPAGE À INDUCTANCE SIMPLE Page 4-1 4. Alimentations à découpage à inductance simple 4.1 INTRODUCTION 4.1.1 Généralités On distingue en général deux classes de convertisseurs DC/DC : − les convertisseurs qui débitent sur un récepteur destiné à être alimenté sous une tension continue variable, appelés variateur de courant continu à pulsation, − les convertisseurs destinés à fournir à leur sortie une tension continue constante pour servir d'alimentation régulée vis-à-vis de divers équipements. Dans ce chapitre, nous nous intéresserons à la deuxième catégorie qui constitue les alimentations à découpage. Les alimentations à découpage se distinguent des variateurs non seulement par leurs conditions de fonctionnement (tension de sortie constante au lieu de tension de sortie variable), mais surtout par le fait qu'elles incorporent d'ordinaire un transformateur qui assure une isolation galvanique entre l'entrée et la sortie, et qui souvent, intervient dans le principe même de fonctionnement des alimentations à découpage. Le principe de fonctionnement des alimentations à découpage diffère totalement de celui des alimentations à régulateur continu série. En effet dans une alimentation à découpage, le transistor de régulation fonctionne en interrupteur contrôlé (régime de commutation) alors que pour une alimentation continue série, le transistor de régulation fonctionne en régime linéaire. Les avantages liés à la commutation sont : − un rendement élevé, quel que soit l’écart de tension entrée-sortie. − Fonctionnement en abaisseur, élévateur ou inverseur de tension. − Encombrement réduit. Par contre les inconvénients sont : − − − − − − circuit d’asservissement plus complexe Ondulation résiduelle plus élevée Génération de parasites en H.F. (RFI) Bruit résiduel Réponse transitoire lente Nécessite obligatoirement une inductance ou un transformateur H.F. SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I , 1ÈRE PARTIE CHAPITRE 4 : ALIMENTATIONS À DÉCOUPAGE À INDUCTANCE SIMPLE Page 4-2 − Nécessite une charge minimale afin d’éviter le passage entre deux modes de fonctionnement que sont le « mode continu » et « le mode intermittent » Ces alimentations à découpage à inductance simple sont les plus courantes. Elles sont simples à concevoir et peuvent débiter des puissances élevées − − − − Quatre éléments fondamentaux sont utilisés : Une inductance Une diode Un contacteur statique La fréquence de travail, c’est-à-dire la fréquence de commutation du contacteur statique, est assez élevée : 50kHz à 500kHz. Une fréquence de travail élevée permet − de réduire l’encombrement de l’inductance et de la capacité de filtrage − de réduire l’ondulation résiduelle La régulation de tension s’effectue en modulant le rapport cyclique des signaux de commutation. Elle fait souvent appel à un circuit intégré spécifique. Ce chapitre est consacré à la présentation des structures des alimentations à découpage sans transformateur intermédiaire. Nous supposerons tout au long de cette présentation que nous avons à faire à − des sources parfaites − des interrupteurs parfaits − des commutations instantanées 4.1.2 Définition des sources et des récepteurs Pour déterminer si une source ou un récepteur réel doit être considéré comme étant une tension ou un courant et évaluer dans quelle mesure son comportement se rapproche de celui d'une source ou d'un récepteur parfait, il faut considérer deux échelles de temps : − la première, qui est de l'ordre de la microseconde, correspond à la durée des commutations des semiconducteurs d'un état à l'autre (fermeture ou ouverture), − la deuxième, qui est de l'ordre de la centaine de microseconde, correspond à la durée des cycles d'ouverture – fermeture des semiconducteurs au sein de l’alimentation à découpage. C'est l'échelle des temps correspondant aux commutations qui fixe la nature des sources et des récepteurs − Une source ou un récepteur est une source ou un récepteur de courant si on ne peut pas interrompre le courant i qui y circule par une commande à l'ouverture d'un semiconducteur. Cette interruption provoquerait des pics importants dans l'onde de la tension u. Ces pics (Ldi/dt) apparaîtraient dès que la source ou le récepteur aurait une inductance interne non négligeable compte tenu de la rapidité de variation du courant (di/dt). − Une source ou un récepteur est de tension si on ne peut pas faire varier brusquement la tension u à ses bornes par une commande à la fermeture d'un semiconducteur. Cet SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I , 1ÈRE PARTIE CHAPITRE 4 : ALIMENTATIONS À DÉCOUPAGE À INDUCTANCE SIMPLE Page 4-3 enclenchement entraînerait des pics trop importants dans l'onde du courant i. Ces pics (C du/dt) apparaîtraient dès que la source ou le récepteur aurait une capacité d'entrée C non négligeable vu la rapidité de variation de la tension (du/dt) L'échelle des temps liée à la durée des cycles d'ouverture et fermeture des semiconducteurs au sein de des alimentations à découpage, c'est-à-dire l'échelle des temps liée à la fréquence de commutation, indique dans quelle mesure on peut considérer une source ou un récepteur comme parfait. En effet, c'est la fréquence de commutation de l’alimentation à découpage qui fixe − la fréquence de la composante parasite présente sur la tension u aux bornes d'une source ou d'un récepteur de courant. Celui-ci est d'autant plus parfait que son impédance est plus élevée à cette fréquence, − la fréquence de la composante parasite présente dans le courant qui traverse une source ou un récepteur de tension. Celui-ci est d'autant plus parfait que son impédance est plus faible à cette fréquence. 4.1.3 Semiconducteurs disponibles comme fonction interrupteur. Les deux types de semiconducteurs les plus utilisés dans les alimentations à découpage sont la diode et le transistor MOSFET associé à une diode de conduction ou l'IGBT dont les caractéristiques sont représentées à la Figure 4.1 iQ iQ ouverture et fermeture spontanée fermeture commandée ouverture comandée uQ Diode uQ {MOSFET+Diode de conduction} ou IGBT Figure 4.1: Représentation schématique des interrupteurs disponibles SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I , 1ÈRE PARTIE CHAPITRE 4 : ALIMENTATIONS À DÉCOUPAGE À INDUCTANCE SIMPLE Page 4-4 4.2 NOTATIONS UTILISÉES 4.2.1 Définition Dans l'analyse des alimentations à découpage en régime permanent (signaux périodiques), il est important de faire une distinction entre valeurs instantanées, valeurs moyennes (valeurs DC) et valeurs alternatives (valeurs AC). La Figure 4.2 illustre ces propos x(t) Δx X [te] Δx ΔX [te] X [td] Δx [td] X te td te td t Figure 4.2 : Représentation symbolique des divers paramètres d'une variable Les notations choisies sont les suivantes : valeur continue (DC) de la variable x : point de fonctionnement. valeur moyenne de la variable x sur un intervalle de temps ti. valeur alternative (AC) instantanée de la variable x. variation de la variable x sur un intervalle de temps ti. Ondulation de la variable x. valeur instantanée de la variable x : x = X + Δx X X [ti ] Δx Δx [ t i ] ΔX x avec X= 1 ⋅ Tp t +Tp ∫ x(t ) ⋅ dt = t 1 Tp ( Tp ⎞ ⎛ te ⎜ x(t ) ⋅ dt + x(t ) ⋅ dt ⎟ ∫ ⎟ ⎜ ∫0 te ⎠ ⎝ ) = 1 [T −t ] ⋅ t e X [ te ] + (T p − t e ) X p e Tp = te t [ T −t ] ⋅ X [te ] + (1 − e ) ⋅ X p e = D ⋅ X [te ] + (1 − D) ⋅ X [td ] Tp Tp D= te et t d = T p − t e Tp SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I , 1ÈRE PARTIE 4.1 4.2 CHAPITRE 4 : ALIMENTATIONS À DÉCOUPAGE À INDUCTANCE SIMPLE Page 4-5 4.3 ALIMENTATIONS À DÉCOUPAGE NON RÉVERSIBLES À LIAISON DIRECTE 4.3.1 Généralités 4.3.1.1 Propriétés communes Les alimentations à découpage à liaison directe à deux interrupteurs ont toutes le même schéma de fonctionnement − le premier interrupteur Q1 permet de relier l'entrée à la sortie, − le second interrupteur Q2 court-circuite la source de courant quand Q1 est ouvert. Les états des deux interrupteurs doivent être complémentaires pour que la source de courant ne soit jamais en circuit ouvert et que la source de tension ne soit jamais court-circuitée. Pour régler le transfert d'énergie, on applique aux interrupteurs une commande périodique. La période de pulsation Tp de celle-ci peut-être choisie arbitrairement dans la mesure où la source et le récepteur que relie l’alimentation à découpage se comportent comme des circuits à fréquence de commutation nulle. − La tension aux bornes de la source ou du récepteur. Cette tension est constante durant la période de pulsation Tp de fonctionnement de l’alimentation à découpage − Le courant relatif à la source ou au récepteur de tension. − Le courant traversant la source ou le récepteur de courant. Ce courant est constant durant la période de pulsation Tp de fonctionnement de l’alimentation à découpage − La tension relative à la source ou au récepteur de courant. i iQ1 Q1 iQ2 U Q2 I' u' Figure 4.3 : Représentation schématique d'une alimentation à découpage à liaison directe à deux interrupteurs 4.3.1.2 Hacheur série Le hacheur série commande le débit d'une source de tension U dans un récepteur de courant I. 4.3.1.3 Hacheur parallèle Le hacheur parallèle permet de varier le courant fourni par une source de courant I dans un récepteur de tension U. SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I , 1ÈRE PARTIE CHAPITRE 4 : ALIMENTATIONS À DÉCOUPAGE À INDUCTANCE SIMPLE Page 4-6 4.4 ALIMENTATION SÉRIE OU ABAISSEUSE DE TENSION Cette alimentation (Buck converter ou step-down converter) utilise un contacteur statique série qui doit être alimenté par une source de tension et débiter sur une source de courant. La charge R et le condensateur C apparaissant comme un récepteur de tension, il faut ajouter une inductance L série pour rétablir le caractère de récepteur de courant vis-à-vis de la sortie de l’alimentation à découpage proprement dite. On arrive ainsi au schéma de la Figure 4.4 Récepteur de courant Source de tension i iL iD L Q U uD D iR iC R uC C Figure 4.4 : Représentation schématique d'une alimentation abaisseuse de tension 4.4.1 Conduction continue 4.4.1.1 Relations générale pour la conduction continue 0 ≤ t < te=D⋅TP Q conduit, D ouvert i D⋅TP =te ≤ t < Tp Q ouvert, D conduit L iL i iD U iR iC uD C uC L iL iD R U iR iC uD C uC Hypothèse : uc=UC ⇒ Δuc=0, l'ondulation de la tension aux bornes du condensateur est nulle Tension aux bornes de l'inductance U L[te ] = U − U C = L ⋅ ΔiL[te ] te U L[td ] = −U C = L ⋅ ΔiL[td ] td Courant moyen dans le condensateur UC U + IL I C[ td ] = − I R[ td ] + I L[ td ] = − I R + I L = − C + I L R R Courant moyen fournit par l'alimentation (courant moyen dans le transistor Q) I C[ te ] = − I R[ te ] + I L[ te ] = − I R + I L = − I [te ] = I L[te ] = I L I [ td ] = 0 Courant moyen dans la diode I D[te ] = 0 SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I , 1ÈRE PARTIE I D[ td ] = I L[ td ] = I L R CHAPITRE 4 : ALIMENTATIONS À DÉCOUPAGE À INDUCTANCE SIMPLE Page 4-7 Valeurs moyennes pondérées D 1-D D ⋅ U L[te ] + (1 − D) ⋅U L[td ] = D ⋅ (U − U C ) − (1 − D) ⋅U C = 0 ⇒ U C = D ⋅U D ⋅ I C[ te ] + (1 − D) ⋅ I C[ td ] = D ⋅ (− I R + I L ) + (1 − D) ⋅ (− I R + I L ) = 0 ⇒ IR = IL I = D ⋅ I [ te ] + (1 − D) ⋅ I [td ] = D ⋅ I L ⇒ I = D ⋅ IL I D = D ⋅ I D[te ] + (1 − D) ⋅ I D[td ] = (1 − D) ⋅ I L ⇒ I D = (1 − D ) ⋅ I L 4.4.1.2 Ondulation de courant dans le domaine de la conduction continue Le courant circulant dans l'inductance présente l'ondulation suivante : 0 ≤ t < te=D⋅TP D⋅TP =te ≤ t < Tp Q conduit, D ouvert Q ouvert, D conduit i L iL i iD U iR iC uD C iD R uC L iL U iR iC uD C uC R Ondulation de courant aux bornes de l'inductance ΔiL[te ] = U −UC U L[te ] ⋅ te = ⋅ te L L UL = 0 ΔiL[td ] = ⇒ ΔI L = iL MAX − iLMIN = −UC U L[td ] ⋅ td = ⋅ td L L ΔI L = Δi L[ te ] = − Δi L[ td ] U ⋅ Tp L ⋅ (1 − D) ⋅ D = U C ⋅ Tp L ⋅ (1 − D) La Figure 4.5 donne les formes d'ondes des principales grandeurs dans les conditions normales de fonctionnement, c'est-à-dire quand le courant iL diffère de zéro tout au long de la période de hachage ou quand on est en conduction continue. SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I , 1ÈRE PARTIE CHAPITRE 4 : ALIMENTATIONS À DÉCOUPAGE À INDUCTANCE SIMPLE Page 4-8 uD U t iMAX uL, iL iR iMIN iL U-Uc t -Uc i iMAX iMIN t iD iMAX iMIN t iC t te Tp Figure 4.5 : Conduction continue En conduction continue, l'alimentation abaisseuse de tension est équivalente à un transformateur DC ou le rapport du nombre de spires de ce transformateur peut être continuellement contrôlé électroniquement entre 0 et 1 par variation du rapport cyclique D. Pour un rapport cyclique donné, la tension de sortie est très peu dépendante de la charge. SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I , 1ÈRE PARTIE CHAPITRE 4 : ALIMENTATIONS À DÉCOUPAGE À INDUCTANCE SIMPLE 4.4.2 Ondulation du courant iL et de la tension uC. Choix de L et de C 4.4.2.1 Ondulation du courant iL et choix de L Page 4-9 Grâce à la relation ΔI L = iL MAX − iL MIN = U ⋅ Tp L ⋅ (1 − D) ⋅ D 4.3 donnant l'ondulation de courant dans l'inductance en conduction continue et du rapport cyclique D, et sachant que l'ondulation de courant est maximale pour D = 0.5 on peut écrire pour un courant d'ondulation maximum désiré L≥ T p ⋅U 4.4 4 ⋅ ΔI L max La valeur maximum admissible pour ΔIL résulte d'un compromis : − une valeur trop faible de ΔIL conduit à une valeur excessive de l'inductance L, − une valeur trop élevée de ΔIL augmente la valeur maximale de courant que les interrupteurs Q et D doivent supporter, le maximum correspond en outre au courant que Q doit pouvoir interrompre, − une valeur trop élevée de ΔIL augmente aussi la largeur de la zone correspondant à la conduction discontinue, c'est-à-dire de la zone où, à rapport cyclique D donné, la tension de sortie de l'alimentation varie fortement en fonction du courant débité. 4.4.2.2 Ondulation de la tension de sortie uC, choix de C Dans l'analyse précédente, nous avons fait l'hypothèse que le condensateur de sortie C avait une capacité suffisamment grande pour assurer une tension de sortie constante, soit uC=U. Cependant, l'ondulation peut être estimée en admettant que le courant dans le condensateur est égal à l'ondulation de courant de l'inductance. Autrement dit, on fait l'hypothèse que l'ondulation dans la charge (R) est nulle. A l'aide de la Figure 4.6 on peut voir que pour chaque demi-période de pulsation Tp, le condensateur emmagasine ou restitue une charge conduisant à une variation de la tension aux bornes du condensateur estimée à ΔU C = ΔQ 1 1 ΔI L T p = ⋅ ⋅ ⋅ C C 2 2 2 4.5 sachant que ΔI L = U ⋅Tp L ⋅ (1 − D) ⋅ D = on peut écrire SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I , 1ÈRE PARTIE U C ⋅ Tp L ⋅ (1 − D ) 4.6 CHAPITRE 4 : ALIMENTATIONS À DÉCOUPAGE À INDUCTANCE SIMPLE ΔU C = U ⋅ T p2 8⋅C ⋅ L Page 4-10 ⋅ (1 − D ) ⋅ D 4.7 ou encore en valeur relative Tp ΔU C = ⋅ (1 − D) UC 8⋅C ⋅ L 2 4.8 l'ondulation absolue maximale a lieu pour un rapport cyclique D = 0.5 ΔU C max = U ⋅ T p2 4.9 32 ⋅ C ⋅ L et par conséquent C≥ U ⋅ T p2 4.10 32 ⋅ ΔU c max ⋅ L La relation 4.8 montre que l'ondulation relative est indépendante de la charge. iL ΔIL 2 ΔQ Tp 2 IL = IR t uC Δ UC UC t Figure 4.6 : Ondulation de la tension de sortie uC 4.4.3 Analyse fréquentielle En analysant attentivement l'alimentation abaisseuse de tension, on remarque que l'inductance et le condensateur forme un filtre du 2ème ordre ou la résistance de charge joue le rôle d'amortissement. En posant pour la fréquence de pulsation SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I , 1ÈRE PARTIE CHAPITRE 4 : ALIMENTATIONS À DÉCOUPAGE À INDUCTANCE SIMPLE fp = 1 Tp Page 4-11 4.11 et pour le filtre, une fréquence de coupure donnée par fc = 1 4.12 2 ⋅π ⋅ L ⋅ C on obtient, à l'aide de la relation 4.8, pour l'ondulation relative de tension ⎛ f ⎞ ΔU C π 2 = ⋅ (1 − D ) ⋅ ⎜ c ⎟ ⎜f ⎟ 2 UC ⎝ p⎠ 2 4.13 Cette relation montre que l'ondulation de tension peut être minimisée en fixant la fréquence de coupure du filtre passe-bas à une valeur très inférieure à la fréquence de pulsation fp. 4.4.4 Frontière entre le mode continu et intermittent Lorsque le courant moyen dans la charge est égal à la moitié de l'ondulation de courant dans l'inductance, on se trouve à la limite entre la conduction continue et la conduction intermittente. I RLIM = ΔI L U C ⋅ T p = ⋅ (1 − D) 2 2⋅ L 4.14 Le courant moyen maximum IRLIM(MAX) dans la charge est obtenu lorsque D = 0. On peut donc écrire la relation I RLIM ( MAX ) = U C ⋅ Tp 2⋅ L 4.15 et I RLIM = I RLIM ( MAX ) ⋅ (1 − D) 4.4.5 4.16 Conduction intermittente Dans le cas de la conduction intermittente, le courant dans l'inductance s'annule pendant les intervalles de déclenchement de l'interrupteur Q. L'ondulation de courant dans l'inductance vaut ΔI L = U −UC −UC ' ⋅ te = − ⋅ td L L d'où l'on tire SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I , 1ÈRE PARTIE 4.17 CHAPITRE 4 : ALIMENTATIONS À DÉCOUPAGE À INDUCTANCE SIMPLE t d' = ( Page 4-12 U − 1) ⋅ t e UC 4.18 uD uD U UC t uL ,iL iL U-UC iMAX iR t -UC i iMAX t iD iMAX t iC te t t'd Tp Figure 4.7 : Conduction intermittente SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I , 1ÈRE PARTIE CHAPITRE 4 : ALIMENTATIONS À DÉCOUPAGE À INDUCTANCE SIMPLE Page 4-13 Le courant moyen de sortie IR, correspondant au courant moyen dans l'inductance IL s'obtient en faisant un calcul de surface moyenne (amplitude – temps) à partir de la Figure 4.7 IR = IL = 1 U −UC ⋅ ⋅ t e ⋅ (t e + t d' ) Tp 2⋅L 4.19 en utilisant les relations 4.15 et 4.18, et après quelques calculs ⎛t U IR = ⋅( − 1) ⋅ ⎜ e ⎜T 2⋅ L UC ⎝ p U ⋅Tp 4.4.6 2 ⎞ ⎟ = I RLIMMAX ⋅ U ⋅ ( U − 1) ⋅ D 2 ⎟ UC UC ⎠ 4.20 Caractéristique statique avec tension de sortie constante. Dans des conditions normales d'utilisation, la tension de sortie UC est asservie par modification du rapport cyclique D et maintenue à une valeur constante même lors de fluctuation de la tension d'entrée (par exemple sortie d'un pont redresseur monophasé).De la relation 4.20 on peut écrire IR D= I RLIM ( MAX ) U (1 − C ) U UC ⋅ U 4.21 La Figure 4.8 illustre la caractéristique statique correspondant au cas où la tension de sortie est maintenue constante D 1 UC = 0.8 U 0.9 0.8 Conduction continue 0.7 0.6 UC = 0.5 U I RLIM I RLIM ( MAX ) 0.5 0.4 UC = 0.2 U 0.3 Conduction intermittente 0.2 0.1 0 0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1 IR I RLIM ( MAX ) Figure 4.8 : Caractéristique statique à tension de sortie constante : UC=cte SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I , 1ÈRE PARTIE CHAPITRE 4 : ALIMENTATIONS À DÉCOUPAGE À INDUCTANCE SIMPLE Page 4-14 En conduction intermittente, la tension de sortie est fortement dépendante de la charge pour un rapport cyclique D constant. Dans ce cas, c'est la boucle de réglage qui doit intervenir de manière efficace pour corriger le rapport cyclique D. 4.4.7 Diagramme structurel Dans un premier temps écrivons les équations du système dans les deux topologies définies par l'état des contacteurs statiques. − Q : ON, D : OFF ⎧ di L (t ) ⎪⎪ L dt = U − u C (t ) L ⎯⎯→ ⎨ du t u t ( ) ( ) ⎪i (t ) = C C + C ⎪⎩ L dt R I L ( 0) 1 ⎧ ⎪⎪iL ( s ) = sL (U − u C ( s )) + s ⎨ ⎪u ( s ) = 1 (i (t ) − u C ( s ) ) + U C (0) L ⎪⎩ C sC R s 4.22 − Q : OFF, D : ON (iL(t)>0) on a U=0 ⎧ di L (t ) ⎪⎪ L dt = −uC (t ) L ⎯⎯→ ⎨ ⎪i (t ) = C du C (t ) + u C (t ) ⎪⎩ L dt R I L ( 0) 1 ⎧ i s = − u s + ( ) ( ( )) L C ⎪⎪ sL s ⎨ ⎪u ( s ) = 1 (i (t ) − u C ( s ) ) + U C (0) L ⎪⎩ C sC R s 4.23 − Q : OFF, D : OFF (iL(t)=0) on a uL(t)=0 ⎧ ⎪i L (t ) = 0 ⎪ diL (t ) ⎪ L =0 ⎯⎯→ ⎨u L (t ) = L dt ⎪ du C (t ) uC (t ) ⎪ ⎪⎩i L (t ) = C dt + R Tension d'entree ⎧ ⎪iL ( s ) = 0 ⎪ ⎨u L ( s ) = 0 ⎪ u ( s ) U ( 0) 1 ⎪uC ( s ) = (− C ) + C sC R s ⎩ Courant initial dans l'inductance 4.24 Tension initiale aux bornes du condensateur U iL0 U(s) uC0 iL(0) d uL'(s)=U(s)*d(s)-uC(s) d(s) d\ Generateur PWM if (iL>0 or uL'>0) ON else OFF uL(s) 1 iL(s) iC(s) Ls 1 Cs uC(s) iR(s) 1 R Diode Figure 4.9 : Diagramme structurel SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I , 1ÈRE PARTIE uC(0) CHAPITRE 4 : ALIMENTATIONS À DÉCOUPAGE À INDUCTANCE SIMPLE Page 4-15 4.5 ALIMENTATION DE TYPE PARALLÈLE OU ÉLÉVATRICE DE TENSION Cette alimentation (Boost converter ou Step-up converter) utilise un contacteur statique parallèle qui doit être alimenté par une source de courant et débiter dans une source de tension. Le récepteur proprement dit, constitué par la résistance R et le condensateur de filtrage C monté en parallèle à ses bornes, a le comportement d’une source de tension exigée par l’alimentation à découpage. Par contre il faut placer une inductance L en série avec la source d'alimentation de tension UC pour la transformer en source de courant. On aboutit ainsi au schéma de la Figure 4.10 Source de courant Récepteur de tension i iD iQ L U R uC C uQ Q iR iC D Figure 4.10 : Représentation schématique d'une alimentation élévatrice de tension 4.5.1 Conduction continue 4.5.1.1 Relation générale en conduction continue i 0 ≤ t < te=D⋅TP D⋅TP =te ≤ t < Tp Q conduit, D ouvert Q ouvert, D conduit L iL iD i iQ U iR iC uQ C uC L iL iD iQ R U uQ iR iC D C uC Hypothèse : uc=UC ⇒ ΔuC=0, l'ondulation de la tension aux bornes du condensateur est nulle Tension aux bornes de l'inductance ΔiL[te ] ΔiL[td ] [ te ] [ td ] UL =U = L⋅ U L = U −UC = L ⋅ te td Courant moyen dans le condensateur U U I C[ td ] = − I R[ td ] + I L[ td ] = − I R + I L = − C + I L I C[te ] = − I R[ te ] = − I R = − C R R Courant moyen fournit par l'alimentation I [ te ] = I L[te ] = I L I [td ] = I L[td ] = I L Courant moyen dans la diode I D[te ] = 0 SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I , 1ÈRE PARTIE I D[td ] = I L[td ] = I L R CHAPITRE 4 : ALIMENTATIONS À DÉCOUPAGE À INDUCTANCE SIMPLE Page 4-16 Valeurs moyennes pondérées D 1-D U 1− D D ⋅U L[te ] + (1 − D) ⋅U L[td ] = D ⋅ (U ) − (1 − D ) ⋅ (U − U C ) = 0 ⇒ UC = D ⋅ I C[ te ] + (1 − D) ⋅ I C[td ] = D ⋅ (− I R ) + (1 − D) ⋅ (− I R + I L ) = 0 ⇒ I R = (1 − D ) ⋅ I L I = D ⋅ I [te ] + (1 − D) ⋅ I [td ] = D ⋅ I L + (1 − D) ⋅ I L ⇒ I = IL I D = D ⋅ I D[te ] + (1 − D) ⋅ I D[td ] = (1 − D) ⋅ I L ⇒ I D = (1 − D ) ⋅ I L 4.5.1.2 Ondulation de courant dans le domaine de la conduction continue Le courant circulant dans l'inductance présente l'ondulation suivante : i 0 ≤ t < te=D⋅TP D⋅TP =te ≤ t < Tp Q conduit, D ouvert Q ouvert, D conduit L iL iD iQ U L i iR iC C uQ iL uC iD iQ R U uQ iR iC D C uC Ondulation de courant aux bornes de l'inductance ΔiL[te ] = U L[te ] U ⋅ te = ⋅ te L L UL = 0 ΔiL[td ] = ⇒ ΔI L = iL MAX − iL MIN = U −UC U L[td ] ⋅ td = ⋅ td L L ΔI L = Δi L[te ] = −Δi L[td ] U ⋅ Tp L ⋅D = U C ⋅Tp L ⋅ (1 − D) ⋅ D La Figure 4.11 donne les formes d'ondes des principales grandeurs dans les conditions normales de fonctionnement, c'est-à-dire quand le courant iL diffère de zéro tout au long de la période de hachage ou quand on est en conduction continue. SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I , 1ÈRE PARTIE R CHAPITRE 4 : ALIMENTATIONS À DÉCOUPAGE À INDUCTANCE SIMPLE Page 4-17 uQ uQ Uc t uL, iL iMAX U iMIN iL t U-Uc iQ iMAX iMIN t iD iMAX iR iMIN t iC t te Tp Figure 4.11 : Conduction continue En conduction continue, l'alimentation élévatrice de tension est équivalente à un transformateur DC ou le rapport du nombre de spires de ce transformateur peut être continuellement contrôlé électroniquement entre 1 et "∞" par variation du rapport cyclique D. Pour un rapport cyclique donné, la tension de sortie est indépendante de la charge. SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I , 1ÈRE PARTIE CHAPITRE 4 : ALIMENTATIONS À DÉCOUPAGE À INDUCTANCE SIMPLE 4.5.2 Ondulation du courant iL et de la tension uC. Choix de L et de C 4.5.2.1 Ondulation du courant iL et choix de L Page 4-18 Grâce à la relation ΔI L = iL MAX − iL MIN = U ⋅ Tp L ⋅D 4.25 donnant l'ondulation de courant dans l'inductance en conduction continue et du rapport cyclique D, et sachant que l'ondulation de courant est maximale pour D = 1 on peut écrire pour un courant d'ondulation maximum désiré L≥ T p ⋅U 4.26 ΔI L max La valeur maximum admissible pour ΔIL résulte d'un compromis identique à celui de l'alimentation série ou abaisseuse de tension (voir § 4.4.2.1) 4.5.3 Ondulation de la tension uC. Choix de C L'ondulation de la tension de sortie (tension aux bornes du condensateur) peut être calculée en considérant que le courant IR dans la charge est constant et égal au courant moyen dans la diode ID. Il est donc possible de tracer la forme du courant iC circulant dans le condensateur. La forme du courant circulant dans le condensateur et de la tension à ses bornes sont illustrés à la Figure 4.12. iC ΔQ t ΔQ te Tp uC ΔUC UC t te Tp Figure 4.12 : Ondulation de la tension de sortie En régime permanent, l'ondulation de tension aux bornes du condensateur vaut SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I , 1ÈRE PARTIE CHAPITRE 4 : ALIMENTATIONS À DÉCOUPAGE À INDUCTANCE SIMPLE ΔU c = ΔQ I R ⋅ t e U c D ⋅ T p = = ⋅ C C R C Page 4-19 4.27 L'ondulation relative découle directement de la relation précédente ΔU c D ⋅ T p = Uc R ⋅C 4.5.4 4.28 Frontière entre le mode continu et intermittent Lorsque le courant moyen IL dans l'inductance L est égal à la moitié de l'ondulation ΔIL, on atteint la limite de la conduction continue. On peut écrire pour le courant limite moyen dans L 1 1 U C ⋅ Tp I L LIM = ⋅ ΔI L = ⋅ ⋅ D ⋅ (1 − D) 2 2 L 4.29 Le courant moyen maximum ILLIM(MAX) dans l'inductance est obtenu lorsque D = 0.5. On peut donc écrire la relation I LLIM ( MAX ) = U C ⋅ Tp 8⋅ L 4.30 Sachant que le courant dans l'inductance est identique au courant d'entrée, il est possible de calculer la valeur du courant moyen de sortie IR à la limite de la conduction continue. A l'aide de la relation liant le courant dans la résistance de charge au courant dans l'inductance et de la relation 4.29, on a 1 U C ⋅ Tp I R LIM = I L LIM ⋅ (1 − D) = ⋅ ⋅ D ⋅ (1 − D) 2 2 L 4.31 Le courant moyen maximum IRLIM(MAX) dans la charge est obtenu lorsque D = 1/3. On peut donc écrire la relation I RLIM ( MAX ) = 2 ⋅U C ⋅ T p 27 ⋅ L 4.32 En terme de leur maximum, les courants à la limite de la conduction continue s'expriment par les relations suivantes I LLIM = 4 ⋅ D ⋅ (1 − D ) ⋅ I LLIM ( MAX ) I R LIM = 27 ⋅ D ⋅ (1 − D ) 2 ⋅ I R LIM ( MAX ) 4 SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I , 1ÈRE PARTIE 4.33 4.34 CHAPITRE 4 : ALIMENTATIONS À DÉCOUPAGE À INDUCTANCE SIMPLE 4.5.5 Page 4-20 Conduction intermittente La conduction est dite intermittente lorsque le courant s'annule dans l'inductance pendant le laps de temps où le transistor Q est ouvert. Ce cas se produit lorsque pour un rapport cyclique donné, la charge représentée par R diminue (R augmente). Le courant moyen IR diminue alors que l'ondulation reste constante, ceci jusqu'à ce que le courant s'éteigne dans l'inductance avant la fin de la période de pulsation. uQ Uc U t uL , iL iL U iLMAX t U-Uc iQ iLMAX t iD iR iLMAX t iC t te t'd Tp Figure 4.13 : Conduction intermittente SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I , 1ÈRE PARTIE CHAPITRE 4 : ALIMENTATIONS À DÉCOUPAGE À INDUCTANCE SIMPLE Page 4-21 Comme pour le cas de la conduction continue, en régime permanent la tension moyenne aux bornes de l'inductance UL est nulle te t d' U ⋅ + (U − U C ) ⋅ = 0 Tp Tp 4.35 et donc on obtient pour le temps d'extinction t d' = 1 UC −1 U ⋅ te 4.36 Le courant moyen dans la charge peut être exprimé à l'aide de la relation suivante Tp t d' 1 1 IR = ⋅ i L (t ) ⋅ dt = ⋅ i LMAX ⋅ T p t∫ 2 Tp 4.37 e avec i LMAX = U ⋅ te L 4.38 et finalement IR = 4.5.6 iL MAX t d' 1 U t d' ⋅ t e U C ⋅ T p U ⋅ D2 ⋅ ⋅ ⋅ = ⋅ = 2 Tp 2 ⋅ L Tp 2⋅ L UC UC −1 U 4.39 Caractéristique statique avec tension sortie constante Dans la plupart des applications utilisant des alimentations élévatrices de tension, la tension de sortie UC est maintenue constante. Par conséquent, avec UC constante, on peut tracer les courant ILLIM et IRLIM en fonction du rapport cyclique. La variation du rapport cyclique est en relation directe avec les variations de la tension d'entrée U. La Figure 4.13 montre donc les courants moyens correspondant à la limite de la conduction continue. Les courants moyens supérieurs aux courbes respectives de ILLIM et IRLIM pour IL et IR entraîne un fonctionnement en conduction continue alors que des valeurs inférieures correspondent à une conduction discontinue. De la relation 4.39 on peut écrire IR = 27 U 1 ⋅ I RLIM ( MAX ) ⋅ ⋅ D2 ⋅ UC 4 UC −1 U puis SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I , 1ÈRE PARTIE 4.40 CHAPITRE 4 : ALIMENTATIONS À DÉCOUPAGE À INDUCTANCE SIMPLE Page 4-22 IR 4 UC UC ⋅ ⋅( − 1) ⋅ U I RLIM ( MAX ) 27 U D= 4.41 IRLIM I , LLIM UC⋅Tp/2⋅L UC⋅Tp/2⋅L 0.25 ILLIM =D(1-D) UC⋅Tp/2⋅L 0.2 0.15 1/4 IRLIM =D(1-D)2 UC⋅Tp/2⋅L 0.1 4/27 0.05 0 0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1 D Figure 4.14 : Courants moyens dans l'inductance et dans la charge correspondant à la limite de la conduction continue pour UC=cte D 1 0.9 Conduction continue UC =4 U 0.8 0.7 0.6 I R LIM 0.5 I R LIM ( MAX ) UC =2 U 0.4 0.3 Conduction intermittente 0.2 UC = 1.25 U 0.1 IR 0 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 I R LIM ( MAX ) Figure 4.15 : Caractéristique statique à tension sortie constante UC=cte SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I , 1ÈRE PARTIE CHAPITRE 4 : ALIMENTATIONS À DÉCOUPAGE À INDUCTANCE SIMPLE Page 4-23 Comme pour l'alimentation abaisseuse de tension, la tension de sortie est fortement dépendante de la charge pour un rapport cyclique D constant. Dans ce cas, c'est la boucle de réglage qui doit intervenir de manière efficace pour corriger le rapport cyclique D. 4.5.7 Diagramme structurel Dans un premier temps écrivons les équations du système dans les deux topologies définies par l'état des contacteurs statiques − Q : ON, D : OFF ⎧ di L (t ) ⎪⎪ L dt = U L ⎯⎯→ ⎨ ( ) ( ) du t u t ⎪0 = C C + C ⎪⎩ dt R I L ( 0) 1 ⎧ ⎪⎪i L ( s ) = sL U + s ⎨ ⎪u ( s ) = 1 ( − uC ( s ) ) + U C (0) ⎪⎩ C sC R s 4.42 − Q : OFF, D : ON (iL(t)>0) on a U=0 ⎧ di L (t ) ⎪⎪ L dt = U − u C (t ) L ⎯⎯→ ⎨ ⎪i (t ) = C du C (t ) + u C (t ) ⎪⎩ L dt R I L ( 0) 1 ⎧ ( ) ( ( )) i s U u s = − + L C ⎪⎪ sL s ⎨ ⎪u ( s ) = 1 (i (t ) − u C ( s ) ) + U C (0) L ⎪⎩ C sC R s 4.43 − Q : OFF, D : OFF (iL(t)=0) on a uL(t)=0 ⎧ ⎪iL (t ) = 0 ⎪ diL (t ) ⎪ L = 0 ⎯⎯→ ⎨u L (t ) = L dt ⎪ du C (t ) uC (t ) ⎪ ⎪⎩0 = C dt + R ⎧ ⎪i L ( s ) = 0 ⎪ ⎨u L ( s ) = 0 ⎪ u ( s ) U (0) 1 ⎪uC ( s ) = (− C ) + C sC R s ⎩ Tension d'entree Courant initial dans l'inductance 4.44 Tension initiale aux bornes du condensateur U iL0 U(s) uC0 Diode iL(0) uC(0) d d(s) d\ Generateur PWM uL'(s)=U(s)-uC(s)*d\(s) if (iL>0 or uL'>0) ON else OFF uL(s) iC(s) 1 Ls uC(s) iL(s) iR(s) 1 R Diode Figure 4.16 : Diagramme structurel SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I , 1ÈRE PARTIE 1 Cs CHAPITRE 4 : ALIMENTATIONS À DÉCOUPAGE À INDUCTANCE SIMPLE Page 4-24 4.6 ALIMENTATION À DÉCOUPAGE NON RÉVERSIBLE A LIAISON INDIRECTE 4.6.1 Généralités Les alimentations à découpage indirect ne sont guères utilisées en moyenne et en forte puissance. Leur domaine d'application quasi exclusif est celui des alimentations à découpage de faible puissance fonctionnant à des fréquences ultrasonores. Par conséquent, nous nous limiterons à l'étude de l’alimentation à découpage à stockage inductif. 4.6.2 Hacheur à stockage inductif La structure du hacheur à stockage inductif exige que les circuits connectés à ses accès soient des sources de tension, on peut directement relier − à son entrée, la source d'alimentation, − à sa sortie, l'ensemble filtre capacitif-récepteur. La principale imperfection à considérer est liée à l'ondulation du courant dans l'inductance de stockage L. Cette alimentation (Buck-Boost converter ou step-down/up converter) peut être obtenue par une connexion en cascade d'une alimentation abaisseuse de tension suivie d'une alimentation élévatrice de tension. En régime permanent, le rapport de conversion de tension entre la sortie et l'entrée est le produit des rapports de conversion de tension des deux alimentations en cascade, ceci en supposant que le rapport cyclique de commutation des transistors est identique pour les deux alimentations. UC 1 = D⋅ U 1− D 4.45 Un tel rapport de conversion permet à la tension de sortie d'être supérieure ou inférieure à la tension d'entrée, ceci en fonction de la valeur du rapport cyclique D La mise en cascade de ces deux alimentations (abaisseuse et élévatrice) peut être remplacée par une alimentation dite à stockage inductif L L U C R U U C C R R L Figure 4.17 : Combinaison des alimentations abaisseuse et élévatrice de tension SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I , 1ÈRE PARTIE CHAPITRE 4 : ALIMENTATIONS À DÉCOUPAGE À INDUCTANCE SIMPLE Page 4-25 De la combinaison mentionnée au-dessus, on obtient le schéma de la Figure 4.18 Récepteur de tension Source de tension D iD i iL Q L U iR iC C uL R uC Figure 4.18 : Représentation schématique d'une alimentation à stockage inductif 4.6.3 Conduction continue 4.6.3.1 Relations générales en conduction continue 0 ≤ t < te=D⋅TP D⋅TP =te ≤ t < Tp Q conduit, D ouvert Q ouvert, D conduit iD i iL U L iD i iR iC uL C uC iL R U L iR iC uL C uC Hypothèse : uc=UC ⇒ Δuc=0, l'ondulation de la tension aux bornes du condensateur est nulle Tension aux bornes de l'inductance Δi [te ] U L[te ] = U = L ⋅ L te U L[td ] = U C = L ⋅ ΔiL[td ] td Courant moyen dans le condensateur U U I C[td ] = − I R[ td ] − I L[ td ] = − I R − I L = − C − I L I C[ te ] = − I R[ te ] = − I R = − C R R Courant moyen fournit par l'alimentation (courant moyen dans le transistor Q) I [te ] = I L[te ] = I L I [ td ] = 0 Courant moyen dans la diode I D[te ] = 0 SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I , 1ÈRE PARTIE I D[td ] = I L[td ] R CHAPITRE 4 : ALIMENTATIONS À DÉCOUPAGE À INDUCTANCE SIMPLE Page 4-26 Valeurs moyennes pondérées D 1-D D ⋅U 1− D D ⋅U L[te ] + (1 − D) ⋅U L[td ] = D ⋅ (U ) + (1 − D) ⋅U C = 0 ⇒ UC = − D ⋅ I C[ te ] + (1 − D) ⋅ I C[ td ] = D ⋅ (− I R ) + (1 − D) ⋅ (− I R − I L ) = 0 ⇒ I R = −(1 − D ) ⋅ I L I = D ⋅ I [te ] + (1 − D) ⋅ I [td ] = D ⋅ I L ⇒ I = D ⋅ IL I D = D ⋅ I D[te ] + (1 − D) ⋅ I D[td ] = (1 − D) ⋅ I L ⇒ I D = (1 − D ) ⋅ I L 4.6.3.2 Ondulation de courant dans le domaine de la conduction continue Le courant circulant dans l'inductance présente l'ondulation suivante : 0 ≤ t < te=D⋅TP D⋅TP =te ≤ t < Tp Q conduit, D ouvert Q ouvert, D conduit iD i iL L U iD i iR iC uL C uC iL R L U iR iC uL C uC Ondulation de courant aux bornes de l'inductance ΔiL[te ] = U L[te ] U ⋅ te = ⋅ te L L UL = 0 ΔiL[td ] = ⇒ ΔI L = iL MAX − iL MIN = U U L[ td ] ⋅ td = C ⋅ td L L ΔI L = Δi L[ te ] = − Δi L[ td ] U ⋅Tp L ⋅D = − U C ⋅Tp L ⋅ (1 − D) La Figure 4.19 donne les formes d'ondes des principales grandeurs dans les conditions normales de fonctionnement, c'est-à-dire quand le courant iL diffère de zéro tout au long de la période de hachage ou quand on est en conduction continue. SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I , 1ÈRE PARTIE R CHAPITRE 4 : ALIMENTATIONS À DÉCOUPAGE À INDUCTANCE SIMPLE Page 4-27 uQ U-UC t uL ,iL iL U t Uc iQ t iD t iR iC t te Tp Figure 4.19 : Conduction continue En conduction continue, l'alimentation à stockage inductif est équivalente à un transformateur DC ou le rapport du nombre de spires de ce transformateur peut être continuellement contrôlé électroniquement entre 1 et "∞" par variation du rapport cyclique D. Pour un rapport cyclique donné, la tension de sortie est indépendante de la charge. SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I , 1ÈRE PARTIE CHAPITRE 4 : ALIMENTATIONS À DÉCOUPAGE À INDUCTANCE SIMPLE 4.6.4 Ondulation du courant iL et de la tension uC. Choix de L et de C 4.6.4.1 Ondulation du courant iL et choix de L Page 4-28 Grâce à la relation ΔI L = iL MAX − iL MIN = U ⋅ Tp L ⋅D 4.46 donnant l'ondulation de courant dans l'inductance en conduction continue et du rapport cyclique D, et sachant que l'ondulation de courant est maximale pour D = 1 on peut écrire pour un courant d'ondulation maximum désiré L≥ T p ⋅U 4.47 ΔI L max Ce résultat est identique à celui de l'alimentation élévatrice de tension La valeur maximum admissible pour ΔIL résulte d'un compromis identique à celui des alimentations série et parallèle (voir § 4.4.2.1, § 4.5.2.1) 4.6.4.2 Ondulation de la tension uC. Choix de C L'ondulation de la tension de sortie (tension aux bornes du condensateur) peut être calculée en considérant que le courant IR dans la charge est constant et égal au courant moyen dans la diode ID. Il est donc possible de tracer la forme du courant iC circulant dans le condensateur. La forme du courant circulant dans le condensateur et de la tension à ses bornes sont illustrés à la Figure 4.20. iC ΔQ ΔQ t te Tp uC t ΔUC UC te Tp Figure 4.20 : Ondulation de la tension de sortie SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I , 1ÈRE PARTIE CHAPITRE 4 : ALIMENTATIONS À DÉCOUPAGE À INDUCTANCE SIMPLE Page 4-29 En régime permanent, l'ondulation de tension aux bornes du condensateur vaut ΔU c = I ⋅t U D ⋅ Tp ΔQ =− R e =− c ⋅ C C R C 4.48 L'ondulation relative découle directement de la relation précédente D ⋅Tp ΔU c =− Uc R ⋅C 4.49 La situation est identique à celle de l'alimentation élévatrice de tension. 4.6.5 Frontière entre le mode continu et intermittent Lorsque le courant moyen IL dans l'inductance L est égal à la moitié de l'ondulation ΔIL, on atteint la limite de la conduction continue. Le courant moyen limite dans l'inductance vaut 1 1 U C ⋅ Tp I L LIM = ⋅ ΔI L = − ⋅ ⋅ (1 − D) 2 2 L 4.50 De l'expression donnant la relation entre le courant moyen dans l'inductance et le courant de sortie (dans la charge), il est possible de calculer la valeur du courant moyen de sortie IR à la limite de la conduction continue, soit 1 U C ⋅ Tp I R LIM = − I L LIM ⋅ (1 − D) = ⋅ ⋅ (1 − D) 2 2 L 4.6.6 4.51 Conduction intermittente La conduction est dite intermittente lorsque le courant s'annule dans l'inductance pendant le laps de temps où le transistor Q est ouvert. Comme pour le cas de la conduction continue, en régime permanent la tension moyenne aux bornes de l'inductance UL est nulle UL =U ⋅ te t' +UC ⋅ d = 0 Tp Tp 4.52 et donc on obtient pour le temps d'extinction t d' = − U ⋅ te UC SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I , 1ÈRE PARTIE 4.53 CHAPITRE 4 : ALIMENTATIONS À DÉCOUPAGE À INDUCTANCE SIMPLE Page 4-30 uQ U-UC U t uL ,iL iL U t Uc iQ t iD iR t iC t te t'd Tp Figure 4.21 : Conduction intermittente Le courant moyen dans la charge peut être exprimé à l'aide de la relation suivante Tp IR = − t' 1 1 ⋅ ∫ iL (t ) ⋅ dt = − ⋅ iLMAX ⋅ d 2 Tp T p te 4.54 avec i LMAX = U ⋅ te L SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I , 1ÈRE PARTIE 4.55 CHAPITRE 4 : ALIMENTATIONS À DÉCOUPAGE À INDUCTANCE SIMPLE Page 4-31 et finalement ⎛U U t d' ⋅ t e U C ⋅ T p IR = − ⋅ = ⋅ D 2 ⋅ ⎜⎜ 2 ⋅ L Tp 2⋅ L ⎝UC 4.6.7 ⎞ ⎟⎟ ⎠ 2 4.56 Caractéristique statique avec tension de sortie constante Le courant moyen maximum dans l'inductance et à la sortie en fonction de UC est obtenu lorsque D = 0 I L LIM ( MAX ) = − I R LIM ( MAX ) = − U C ⋅ Tp 2⋅ L 4.57 En terme de leur maximum, les courants à la limite de la conduction continue s'expriment par les relations suivantes I LLIM = (1 − D ) ⋅ I LLIM ( MAX ) 4.58 I RLIM = (1 − D ) 2 ⋅ I RLIM ( MAX ) 4.59 Dans la plupart des applications utilisant des alimentations élévatrices de tension, la tension de sortie UC est maintenue constante. Par conséquent, avec UC constante, on peut tracer les courants ILLIM et IRLIM en fonction du rapport cyclique. La variation du rapport cyclique est en relation directe avec les variations de la tension d'entrée U. La Figure 4.22 montre donc les courants moyens correspondant à la limite de la conduction continue. Les courants moyens supérieurs aux courbes respectives de ILLIM et IRLIM pour IL et IR entraîne un fonctionnement en conduction continue alors que des valeurs inférieures correspondent à une conduction discontinue. De la relation 4.56 on peut écrire I R = I RLIM ( MAX ) ⎛U ⋅ ⎜⎜ ⎝ UC 2 ⎞ ⎟⎟ ⋅ D 2 ⎠ 4.60 puis D= −UC IR ⋅ U I RLIM ( MAX ) SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I , 1ÈRE PARTIE 4.61 CHAPITRE 4 : ALIMENTATIONS À DÉCOUPAGE À INDUCTANCE SIMPLE IR I R LIM ( MAX ) Page 4-32 IL I L LIM (MAX ) 1.2 1 0.8 I L LIM 0.6 I L LIM (MAX ) 0.4 I R LIM I R LIM (MAX ) 0.2 0 D 0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1 Figure 4.22 : Courants moyens dans l'inductance et dans la charge correspondant à la limite de la conduction continue pour UC=cte D 1 0.9 UC = −3.0 U Conduction continue 0.8 0.7 UC = −1.0 U 0.6 0.5 I R LIM I R LIM (MAX ) 0.4 UC = −1 / 3 U 0.3 0.2 Conduction intermittente 0.1 IR 0 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 I R LIM ( MAX ) Figure 4.23 : Caractéristique statique à tension d'entrée constante UC=cte Comme pour les alimentations abaisseuse et élévatrice de tension, la tension de sortie est fortement dépendante de la charge pour un rapport cyclique D constant. Dans ce cas, c'est la boucle de réglage qui doit intervenir de manière efficace pour corriger le rapport cyclique D. SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I , 1ÈRE PARTIE CHAPITRE 4 : ALIMENTATIONS À DÉCOUPAGE À INDUCTANCE SIMPLE 4.6.8 Page 4-33 Diagramme structurel Dans un premier temps écrivons les équations du système dans les deux topologies définies par l'état des contacteurs statiques − Q : ON, D : OFF ⎧ di L (t ) ⎪⎪ L dt = U L ⎯⎯→ ⎨ ⎪0 = C du C (t ) + u C (t ) ⎪⎩ dt R I L ( 0) 1 ⎧ ⎪⎪i L ( s ) = sL U + s ⎨ ⎪u ( s ) = 1 ( − uC ( s ) ) + U C (0) ⎪⎩ C sC R s 4.62 − Q : OFF, D : ON (iL(t)>0) on a U=0 ⎧ di L (t ) ⎪⎪ L dt = uC (t ) L ⎯⎯→ ⎨ ( ) ( ) du t u t ⎪i (t ) = −C C − C ⎪⎩ L dt R I L ( 0) 1 ⎧ ⎪⎪iL ( s ) = sL u C ( s ) + s ⎨ ⎪u ( s ) = 1 (−i (t ) − u C ( s ) ) + U C (0) L ⎪⎩ C sC R s 4.63 − Q : OFF, D : OFF (iL(t)=0) on a uL(t)=0 ⎧ ⎪i L (t ) = 0 ⎪ di L (t ) ⎪ L = 0 ⎯⎯→ ⎨u L (t ) = L dt ⎪ du C (t ) u C (t ) ⎪ ⎪⎩0 = C dt + R ⎧ ⎪i L ( s ) = 0 ⎪ ⎨u L ( s ) = 0 ⎪ u ( s ) U (0) 1 ⎪u C ( s ) = (− C ) + C sC R s ⎩ 4.64 Tension d'entree Courant initial dans l'inductance U U(s) Tension initiale aux bornes du condensateur iL0 uC0 Diode iL(0) d uC(0) d(s) d\ Generateur PWM uL'(s)=U(s)*d(s)-uC(s)*d\(s) if (iL>0 or uL'>0) ON else OFF uL(s) iC(s) 1 Ls uC(s) iL(s) Diode iR(s) 1 R Figure 4.24 : Diagramme structurel SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I , 1ÈRE PARTIE 1 Cs SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I , 1ÈRE PARTIE CHAPITRE 5 : TRANSFORMATEURS POUR ALIMENTATIONS À DÉCOUPAGE Page 5-1 5. Transformateurs pour alimentations à découpage 5.1 INTRODUCTION Cette section, est consacrée à une revue des bases nécessaires à la modélisation des transformateurs d'impulsions utilisés dans le domaine des alimentations à découpage 5.1.1 Relations de base La force magnétomotrice entre deux points x1 et x2 est donnée par l'intégrale du produit scalaire du champ magnétique H sur un chemin quelconque liant les deux points. x2 F = ∫ H ⋅ dl 5.1 x1 où dl est un vecteur de longueur élémentaire tangent au chemin allant de x1 à x2 en un point donné x. Si le champ magnétique H est uniforme et parallèle au chemin de longueur l, la relation devient F = H ⋅l 5.2 Le flux magnétique totalisé passant au travers d'une surface S d'aire Ac est égal à l'intégrale du produit scalaire du champ d'induction magnétique B par unité de surface élémentaire représentée par un vecteur normal n à cette dernière. ∫ B ⋅ dA Φ= SurfaceS 5.3 Si le champ d'induction magnétique est uniforme et perpendiculaire à la surface, on peut écrire Φ = B ⋅ Ac 5.4 La loi de Faraday permet d'exprimer la tension induite dans une spire en fonction du flux Φ(t) traversant l'aire Ac délimitée par la spire u(t ) = dΦ ( t ) dt où les polarités de u(t) et Φ(t) sont définies à la Figure 5-1. SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I , 1ÈRE PARTIE 5.5 CHAPITRE 5 : TRANSFORMATEURS POUR ALIMENTATIONS À DÉCOUPAGE Page 5-2 nAc Flux Φ (t) _ u(t) + Figure 5-1 : Tension induite dans une spire Pour une distribution uniforme du champ d'induction magnétique perpendiculaire à la surface, on peut écrire u (t ) = Ac ⋅ dB (t ) dt 5.6 La loi de Lenz établi que la tension u(t) induite par la variation de flux Φ(t) a une polarité qui tend à induire un courant dans la spire concernée de manière à s'opposer à la variation du flux. La tension divisée par l'impédance de la spire conductrice induit un courant i(t). Ce courant i(t) induit à son tour un flux Φ'(t) , lequel tend à s'opposer à la variation de Φ(t) . i(t) : courant induit Spire court-circuitée Flux Φ(t) _ u(t) + Flux induit Φ'(t) Figure 5-2 : Illustration de la loi de Lenz La loi d'Ampère relie le courant circulant dans une spire à la force magnétomotrice F. La FMM sur un contour fermé de longueur lm est égale au courant totalisé passant au travers du contour fermé. ∫ contourfermé ∑i H ⋅ dl = Surface dé lim itée par le contour fermé 5.7 Si le champ magnétique est uniforme et d'amplitude H, l'intégrale précédente de vient F (t ) = H (t ) ⋅ l m = ∑ i (t ) Ainsi le champ magnétique H(t) est une fonction du courant de circulation i(t) SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I, 1ÈRE PARTIE 5.8 CHAPITRE 5 : TRANSFORMATEURS POUR ALIMENTATIONS À DÉCOUPAGE Page 5-3 H(t) i(t) Contour fermé lm Figure 5-3 : Illustration de la loi d'Ampère La relation liant le champ d'induction B au champ magnétique H est fonction des caractéristiques magnétiques du milieu considéré. Dans l'air on a B = μ0 ⋅ H 5.9 où μ0 est la perméabilité de l'air (4π 10-7 [Henry/m] ). La Figure 5-4 illustre la caractéristique B-H typique d'un matériau magnétique utilisé pour la fabrication des transformateurs HF. Cette caractéristique est non linéaire puisqu'elle présente à la fois une hystérèse et de la saturation. B μ H Figure 5-4 : Caractéristique B-H d'un matériau magnétique classique Pour l'analyse, la caractéristique du matériau est modélisée par sa partie linéaire seulement. La caractéristique B – H est donc donnée par B = μ ⋅ H = μ r ⋅ μ0 ⋅ H 5.10 La perméabilité du matériau μ peut-être exprimée comme le produit de la perméabilité relative μr par μ0. Les valeurs typiques de μr sont comprises entre 103 et 105. La Figure 5-5 résume les relations existantes entre les grandeurs électriques et magnétiques d'un matériau. La tension induite u(t) est reliée au flux Φ(t) et au champ d'induction magnétique B(t) par la SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I, 1ÈRE PARTIE CHAPITRE 5 : TRANSFORMATEURS POUR ALIMENTATIONS À DÉCOUPAGE Page 5-4 loi de Faraday. Le courant circulant dans les spires du bobinage est relié au champ magnétique du matériau reliant B à H. u(t) Loi de Faraday B(t), Φ(t) Caractéristiques électriques Caractéristiques du noyau magnétique i(t) H(t), F(t) Loi d'Ampère Figure 5-5 : Etapes pour la détermination des caractéristiques électriques d'un noyau magnétique Il est possible maintenant de déterminer la caractéristique électrique d'une simple inductance. Un bobinage de n spires est placé autour d'un noyau magnétique de perméabilité μ, la loi de Faraday permet d'écrire la relation liant le flux Φ(t) dans le noyau magnétique à la tension induite sur chaque spires du bobinage u (t ) spire = dΦ ( t ) dt 5.11 La tension induite totalisée sur l'ensemble du bobinage vaut u (t ) = n ⋅ u (t ) spire = n ⋅ dΦ ( t ) dt 5.12 que l'on peut écrire en fonction du champ d'induction magnétique u (t ) = n ⋅ Ac ⋅ dB (t ) dt 5.13 où B(t) est la valeur moyenne du champ d'induction magnétique sur la section transversale du noyau magnétique B(t ) = Φ (t ) Ac 5.14 La loi d'Ampère est illustrée à la Figure 5-6. Un chemin fermé est choisi de manière à suivre le parcours moyen d'une ligne de champ magnétique à l'intérieur du noyau magnétique. Ce chemin à une longueur nommée lm. Si le champ H(t) est uniforme, en se référant à la relation 5.8, on peut écrire H (t ) ⋅ l m = n ⋅ i (t ) SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I, 1ÈRE PARTIE 5.15 CHAPITRE 5 : TRANSFORMATEURS POUR ALIMENTATIONS À DÉCOUPAGE Page 5-5 φ(t) i(t) Section AC du noyau n spires u(t) Noyau Noyau de perméabilité μ H(t) i(t) u(t) n spires Contour fermé lm Figure 5-6 : Structure d'une inductance En négligeant l'hystérèse, mais en tenant compte de la saturation du noyau magnétique choisi, on a B= Bsat pour H ≥ Bsat / μ μH pour H < Bsat / μ − Bsat 5.16 pour H ≤ − Bsat / μ La pente de la caractéristique B – H dans le cas de la saturation est égale à μ0. La pente étant beaucoup plus petite que μ, on peut l'ignorer. Bsat B μ H -Bsat Figure 5-7 : Approximation de la caractéristique B - H SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I, 1ÈRE PARTIE CHAPITRE 5 : TRANSFORMATEURS POUR ALIMENTATIONS À DÉCOUPAGE Page 5-6 La valeur du courant de saturation Isat peut être trouvée par substitution de H=Bsat/μ. Soit I sat = Bsat ⋅ l m μ ⋅n 5.17 Pour ⎜I⎮ < Isat , B=μH et on peut écrire u (t ) = μ ⋅ n ⋅ Ac ⋅ et en remplaçant H(t) par u (t ) = dH (t ) dt n ⋅ i (t ) on obtient lm μ ⋅ n 2 ⋅ Ac di(t ) ⋅ lm 5.18 dt 5.19 ou encore sous la forme u (t ) = L ⋅ di (t ) dt 5.20 avec L= μ ⋅ n 2 ⋅ Ac 5.21 lm Ainsi le matériau magnétique entouré de n spires se comporte comme une inductance pour ⎜I⎮<Isat. Lorsque ⎜I⎮>Isat , le champ d'induction B(t)=Bsat est constant et la tension induite aux bornes du bobinage vaudra u (t ) = n ⋅ Ac ⋅ dBsat =0 dt 5.22 Lorsque le noyau magnétique est saturé, le comportement de l'inductance approche un court-circuit. En pratique la saturation provoque une forte diminution de l'impédance de l'inductance, provoquant du même coup un accroissement important du courant. 5.1.2 Circuits magnétiques La Figure 5-8 montre un circuit magnétique de perméabilité μ, de longueur finie l et de section AC parcouru par un flux Φ et un champ magnétique H, tous deux uniformes. La force magnétomotrice entre les deux extrémités de ce matériau vaut F = H ⋅l puisque H = B μ 5.23 et B = Φ , on peut exprimer F par Ac SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I, 1ÈRE PARTIE CHAPITRE 5 : TRANSFORMATEURS POUR ALIMENTATIONS À DÉCOUPAGE F= Page 5-7 l Φ μ ⋅ Ac 5.24 Cette relation est de la forme F = ℜ⋅Φ 5.25 l μ ⋅ Ac 5.26 avec ℜ= FMM : F l Section transversale Ac Flux Φ(t) noyau de perméabilité μ R= H(t) Φ(t) l μAc F R Figure 5-8 : Elément de circuit magnétique La relation 5.25 est similaire à la loi d'Ohm. Cette relation montre que le flux magnétique traversant un matériau magnétique est proportionnel à la FMM aux bornes de l'élément. La constante de proportionnalité, appelée réluctance est analogue à la résistance d'un conducteur électrique. Dans un circuit magnétique, tension et courant sont remplacés par FMM et flux. Les équations de Maxwell et plus particulièrement divB=0 montre que les lignes de champ magnétique sont continues et n'ont pas de terminaison. Par conséquent, la somme des flux entrant en un nœud est nulle. Pour un circuit magnétique complexe, on peut donc appliquer les mêmes lois de Kirchoff que pour un circuit électrique. Considérons une inductance avec un entrefer, illustrée à la Figure 5-9. Le chemin moyen au travers du noyau magnétique et de l'entrefer est constitué d'un matériau de perméabilité μ et de longueur Lm et d'un entrefer de perméabilité μ0 et de longueur δ. SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I, 1ÈRE PARTIE CHAPITRE 5 : TRANSFORMATEURS POUR ALIMENTATIONS À DÉCOUPAGE Page 5-8 Noyau de perméabilité μ Φ(t) Section AC du noyau i(t) n spires u(t) u(t) Entrefer δ Contour fermé lm Figure 5-9 : Inductance avec entrefer dans son circuit magnétique En faisant l'hypothèse que la section normale au champ magnétique est identique pour le matériau et pour l'entrefer, l'application de la loi d'ampère sur le chemin fermé conduit à la relation Fc + Fδ = n ⋅ i 5.27 avec Fc et Fδ les FMM aux bornes respectivement du noyau et de l'entrefer. Φ(t) Rc Fc ni(t) Rδ Fδ Figure 5-10 : Modèle électrique Le noyau et l'entrefer peuvent être représentés par les réluctances respectives ℜc = ℜδ = lc μ ⋅ Ac δ μ ⋅ Aδ Les réluctances du noyau ℜc et de l'entrefer ℜδ sont en série. On peut donc écrire SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I, 1ÈRE PARTIE 5.28 5.29 CHAPITRE 5 : TRANSFORMATEURS POUR ALIMENTATIONS À DÉCOUPAGE Page 5-9 n ⋅ i = Φ ⋅ (ℜ c + ℜδ ) 5.30 Pour le flux au travers du bobinage, on peut grâce à la loi de Faraday, écrire u (t ) = n ⋅ dΦ ( t ) dt 5.31 en éliminant Φ(t) u (t ) = n2 di(t ) ⋅ ℜ c + ℜδ dt 5.32 par conséquent l'inductance L vaut n2 L= ℜ c + ℜδ 5.33 L'entrefer accroît la réluctance totale du circuit magnétique et diminue l'inductance résultante. L'entrefer est utilisé en pratique pour deux raisons. Sans entrefer, l'inductance est directement proportionnelle à la perméabilité μ du matériau, laquelle est fortement dépendante de la température et du point de fonctionnement et par conséquent est difficile à contrôler. L’adjonction d'un entrefer de réluctance ℜδ supérieure à ℜc rend la valeur de l'inductance moins sensible aux variations de μ. De plus l'entrefer permet de travailler avec des courants i(t) plus élevés sans atteindre la saturation. La Figure 5-11 illustre ces propos. Φ = BAc BsatAc 1/Rc 1/(Rc+Rg) nIsat1 nIsat2 ni -BsatAc Figure 5-11 : Effet d'un entrefer sur la caractéristique Φ (ni) En effet lorsque le noyau est saturé, le flux Φ est égal à Φ sat = Bsat ⋅ Ac et le courant de saturation Isat prend la forme SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I, 1ÈRE PARTIE 5.34 CHAPITRE 5 : TRANSFORMATEURS POUR ALIMENTATIONS À DÉCOUPAGE Page 5-10 Bsat ⋅ Ac ⋅ (ℜ c + ℜ δ ) n 5.35 I sat = On peu donc voir que Isat a été augmenté grâce à l'entrefer. 5.2 MODÈLE DU TRANSFORMATEUR 5.2.1 Généralités Considérons le transformateur de la Figure 5-12. i1(t) u1(t) i2(t) n1 spires n2 spires u2(t) noyau Figure 5-12 : Transformateur à deux bobinages Le noyau magnétique à une section transversale Ac, une longueur moyenne des lignes de champ lm et une perméabilité μ. Φ Rc Fc n1i1 n2i2 Figure 5-13 : Modèle du transformateur Comme le montre la Figure 5-13 le circuit équivalent du transformateur, la réluctance du noyau magnétique vaut Les FMM sont sommées car les courants i1 et i2 passent la surface de la fenêtre dans le même sens. La Figure 5-13 conduit à la relation ℜ ⋅ Φ = n1 ⋅ i1 + n2 ⋅ i2 SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I, 1ÈRE PARTIE 5.36 CHAPITRE 5 : TRANSFORMATEURS POUR ALIMENTATIONS À DÉCOUPAGE 5.2.2 Page 5-11 Transformateur idéal Dans un transformateur idéal, la réluctance du noyau magnétique est proche de zéro. La FMM, Fc = ℜ ⋅ Φ est donc nulle en première approximation 0 = n1 ⋅ i1 + n 2 ⋅ i2 5.37 Par la loi de Faraday, on a dΦ dt dΦ u 2 (t ) = n 2 ⋅ dt u1 (t ) = n1 ⋅ 5.38 Il est à noter que le flux est identique pour les deux bobinages, l'élimination du flux conduit à dΦ u1 (t ) u 2 (t ) = = dt n1 n2 5.39 En résumé, on a les deux relations principales d'un transformateur idéal u1 (t ) u2 (t ) = n1 n2 et n1 ⋅ i1 + n2 ⋅ i2 = 0 5.40 Le transformateur idéal peut être illustré par la Figure 5-14 et la relation 5.40 i1 n1 : n2 i2 u1 u2 Idéal Figure 5-14 : Transformateur idéal 5.2.3 Modélisation du transformateur idéal Le transformateur idéal peut être représenté par un modèle (utile pour la simulation) dont la structure est celle de la figure suivante SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I, 1ÈRE PARTIE CHAPITRE 5 : TRANSFORMATEURS POUR ALIMENTATIONS À DÉCOUPAGE Page 5-12 Source de tension contrôlée en tension n i1 = − 2 i2 n1 n1:n2 i1 n i2 = − 1 i1 n2 i2 n2 u1 n1 V u1 = n1 u2 n2 n u 2 = 2 u1 n1 u1 − n2 i2 n1 u2 A Source de courant contrôlée en courant Figure 5-15 : Transformateur idéal : modèle de simulation 5.2.4 Transformateur avec inductance magnétisante Dans le cas réel, la réluctance ℜ du noyau magnétique est non nulle. On peut écrire les relations ℜ ⋅ Φ (t ) = n1 ⋅ i1 (t ) + n2 ⋅ i2 (t ) et u1 (t ) = n1 ⋅ dΦ (t ) dt 5.41 L’élimination du flux Φ conduit à u1 (t ) = ⎤ n12 d ⎡ n ⋅ ⎢i1 (t ) + 2 ⋅ i2 (t )⎥ ℜ dt ⎣ n1 ⎦ 5.42 Cette équation est de la forme u1 (t ) = Lh ⋅ dih (t ) dt 5.43 où n12 Lh = R n ih = i1 + 2 ⋅ i2 n1 5.44 sont l'inductance magnétisante et le courant magnétisant rapportés au primaire du transformateur. Le circuit équivalent est illustré à la Figure 5-16. SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I, 1ÈRE PARTIE CHAPITRE 5 : TRANSFORMATEURS POUR ALIMENTATIONS À DÉCOUPAGE n2 i n1 2 i1 n1 : n2 Page 5-13 i2 i1+ n2 i2 n1 u1 Lh = n12 R u2 Idéal Figure 5-16 : Modèle du transformateur avec inductance magnétisante L'existence du courant magnétisant entraîne un rapport des courants primaire et secondaire différent du rapport du nombre de spires. La saturation du transformateur apparaît lorsque le champ d'induction magnétique B(t) excède le niveau de saturation Bsat défini pour le noyau donné. Dans ce cas le courant magnétisant ih (t) augmente car l'impédance de l'inductance magnétisante diminue. Les bobinages du transformateur deviennent des courts-circuits. Il convient de noter qu'une grande augmentation des courants i1(t) et i2(t) n'entraîne pas nécessairement l'apparition d'une saturation. La saturation d'un transformateur est plutôt une fonction du produit volt-secondes appliqué aux bobinages. En effet le courant magnétisant est donné par ih (t ) = 1 ⋅ u1 (t ) ⋅ dt Lh ∫ 5.45 ou encore, en terme de champ d'induction B(t ) = 1 ⋅ u1 (t ) ⋅ dt n1 ⋅ Ac ∫ 5.46 Le champ d'induction et le courant magnétisant deviennent suffisamment grands pour saturer le noyau magnétique lorsque l'intégrale volt-secondes λ1 devient trop grande. t2 λ1 = ∫ u1 (t ) ⋅ dt 5.47 t1 Pour un niveau de saturation donné, le champ d'induction devrait diminuer en accroissant le nombre de spires, ou la section transversale du noyau magnétique. Ajouter un entrefer n'a aucun effet sur la saturation puisqu'il n’y a pas modification de la relation 5.46. Un entrefer rendra simplement le transformateur moins idéal car l'inductance de magnétisation Lh va décroître, entraînant un accroissement du courant magnétisant ih(t) sans changement de B(t). Le mécanisme de saturation d'un transformateur diffère de celui d'une inductance car pour le transformateur la saturation est déterminée par la forme de la tension appliquée aux bobinages plutôt que le courant comme c'est le cas pour une inductance. SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I, 1ÈRE PARTIE CHAPITRE 5 : TRANSFORMATEURS POUR ALIMENTATIONS À DÉCOUPAGE 5.2.4.1 Page 5-14 Inductances de fuites En pratique la totalité du flux couplé a chaque bobinage ne passe pas entièrement au travers des autres bobinages. Chaque bobinage est donc entouré de flux de fuite conduisant à une inductance de fuite, laquelle est en série avec le bobinage. La Figure 5-17 illustre ce comportement. ΦΜ i1(t) i2(t) Φ1σ u1(t) Φ2σ u2(t) Figure 5-17 : Transformateur avec flux de fuite et couplage partiel La Figure 5-18 montre le modèle électrique équivalent du transformateur intégrant les inductances de fuite L1σ et L2σ. Ces inductances de fuites font que le rapport u1 (t)/u2(t) diffère du rapport du nombre de spires entre les deux bobinages n1/n2. Reste à ajouter les résistances des bobinages primaire R1 et secondaire R2. i1 Lσ1 R1 u1 Lh = n2 i n1 2 n1 : n2 n1 L n2 12 Lσ2 R2 i2 u2 i1+ n2 i2 n1 Idéal Figure 5-18 : Modèle du transformateur avec inductance magnétisante et inductances de fuites (1) Ou après transformation, c'est à dire en ramenant l'inductance de fuite Lσ2 et la résistance de bobinage R2 du secondaire au primaire, on obtient le schéma équivalent de la Figure 5-19. avec : 2 ⎛n ⎞ R = ⎜⎜ 1 ⎟⎟ R2 ⎝ n2 ⎠ ' 2 2 ⎛n ⎞ L'2 = ⎜⎜ 1 ⎟⎟ L2 ⎝ n2 ⎠ SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I, 1ÈRE PARTIE 5.48 CHAPITRE 5 : TRANSFORMATEURS POUR ALIMENTATIONS À DÉCOUPAGE i1 Lσ1 R1 u1 Lh = n2 i n1 2 L'σ2 Page 5-15 R'2 n1 : n2 i2 n1 L n2 12 u2 i1+ n2 i2 n1 Idéal Figure 5-19 : Modèle du transformateur avec inductance magnétisante et inductance de fuite (2) Les éléments L12 = L21 sont appelés inductances mutuelles et sont données par la relation L12 = L21 = n1 ⋅ n2 n2 = ⋅ Lh n1 ℜ 5.49 Les éléments L11 et L22 sont appelés inductances propres du primaire respectivement du secondaire et obéissent à la relation L11 = L1σ + L22 = L2σ n1 ⋅ L12 n2 n + 2 ⋅ L12 n1 5.50 Ces relations ne donnent pas explicitement le rapport de transformation n1/n2. Le rapport de transformation effectif est donné par la relation ne = L22 L11 5.51 et le coefficient de couplage par k= L12 L11 ⋅ L22 5.52 Le coefficient de couplage k se trouve dans l'intervalle 0 ≤ k ≤ 1 et représente le degré de couplage magnétique entre le primaire et le secondaire du transformateur. Dans un transformateur à couplage parfait, les inductances de fuite L1σ et L2σ sont nulles, le coefficient de couplage k est égal à 1. La construction de transformateurs basse tension ayant un coefficient de couplage k jusqu'à 0.99 sont parfaitement réalisables. Lorsque le coefficient de couplage est proche de 1, le rapport de transformation effectif ne est approximativement égal au rapport du nombre de spires n1/n2. SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I, 1ÈRE PARTIE CHAPITRE 5 : TRANSFORMATEURS POUR ALIMENTATIONS À DÉCOUPAGE Page 5-16 5.3 PERTES DANS LES CIRCUITS MAGNÉTIQUES 5.3.1 Généralités L'apport d'énergie est nécessaire pour effectuer une modification de la magnétisation d'un noyau magnétique. La totalité de cette énergie n'est pas convertie en énergie électrique, une fraction de cette dernière constitue des pertes par effet joule. La puissance correspondant à une partie de cette énergie est dissipée dans le parcours du cycle d'hystérèse de la caractéristique B-H. Considérons une inductance constituée de n spires parcourues par un courant présentant une périodicité de fréquence f. L'énergie transitant dans le noyau magnétique sur un cycle est W= ∫ u(t ) ⋅ i(t ) ⋅ dt 5.53 Un cycle En utilisant les caractéristiques B-H du noyau magnétique et ne substituant B(t) à u(t) et H(t) à i(t), on peut écrire W= dB(t ) ⎞ ⎛ H (t ) ⋅ l m ⎞ ⎛ ⎟ ⋅ dt ⎜ n ⋅ Ac ⋅ ⎟⋅⎜ dt ⎠ ⎝ n ⎠ Un cycle ⎝ ∫ = ( Ac ⋅ l m ) ⋅ ∫ H ⋅ dB 5.54 Un cycle Le terme Ac⋅lm représente le volume du noyau magnétique, alors que l'intégrale n'est rien d'autre que la surface du cycle d'hystérèse parcouru. ( Energie perdue par cycle) = ( volume du noyau magnétique) ⋅ ( surface du cycle B − H ) 5.55 Les pertes par hystérèse B-H sont égales à l'énergie perdue par cycle multipliée par la fréquence de parcours du cycle PH = ( f ) ⋅ ( Ac ⋅ l m ) ⋅ ∫ H ⋅ dB Un cycle SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I, 1ÈRE PARTIE 5.56 Page 6-1 CHAPITRE 6 : ALIMENTATIONS A DECOUPAGE A TRANSFORMATEUR 6. Alimentations à découpage à transformateur 6.1 CONVERTISSEUR À STOCKAGE INDUCTIF AVEC ISOLATION GALVANIQUE 6.1.1 Montage FLYBACK 6.1.1.1 Généralités Le montage Flyback est basé sur celui du hacheur à stockage inductif (Buck-Boost converter ou stepdown/up converter), comme l’illustre la Figure 6.1 D Q U L C R C R C R (a) D Q U L 1:1 (b) D Q U Lh 1:1 (c) SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I , 1ÈRE PARTIE Page 6-2 CHAPITRE 6 : ALIMENTATIONS A DECOUPAGE A TRANSFORMATEUR D n1 : n2 C R U Q (d) Figure 6.1 : Dérivation du hacheur Flyback La fonction de base de l’inductance est inchangée et la mise en parallèle des bobinages (Figure 6.1 (b)) est équivalente à un bobinage unique. A la Figure 6.1 (c), la connexion entre les deux bobinages est rompue. Un des bobinages est utilisé lorsque le transistor Q conduit tandis que le second est actif lorsque la diode D est conductrice. Le courant totalisé est inchangé entre les Figure 6.1 (b) et (c), cependant le courant est distribué de manière différente. Le courant magnétisant dans le matériau magnétique est en tout point identique dans les deux cas. La Figure 6.1 (d) est fonctionnellement identique à la Figure 6.1 (c). Pour des raisons de simplification pratique, le transistor Q est placé de manière à pouvoir utiliser le retour de l’alimentation comme référence. De plus, pour facilité la compréhension, le bobinage secondaire est retourné ainsi que la polarité de la diode. Pour l’analyse de ce montage, on utilisera le modèle défini dans à la section précédente, illustré à la Figure 6.2. i=i1 n1 : n2 ih u1 D1 i2 iD n2 n1 i2 Lh iC u2 iR uC U Transformateur Q1 Figure 6.2 : Montage Flyback avec modèle du transformateur réel Lorsque le transistor Q1 conduit, l’énergie délivrée par la source est stockée dans l’inductance magnétisante Lh. Lorsque la diode conduit, l’énergie stockée est transférée à la charge avec une tension et un courant dont le niveau est défini par le rapport de transformation n1/n2. SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I , 1ÈRE PARTIE CHAPITRE 6 : ALIMENTATIONS A DECOUPAGE A TRANSFORMATEUR 6.1.2 Conduction continue 6.1.2.1 Relations générales en conduction continue i=i1 u1 0 ≤ t < te=D⋅TP D⋅TP =te ≤ t < Tp Q conduit, D ouvert Q ouvert, D conduit n1 : n2 i2 i=i1 D : OFF iD n2 n1 i2 ih Page 6-3 iC Lh u2 U n1 : n2 uC u1 D : ON iD n2 n1 i2 ih iR i2 iC Lh u2 uC U Transformateur Q : ON Transformateur Q : OFF Hypothèse : uc=UC ⇒ Δuc=0, l’ondulation de la tension aux bornes du condensateur est nulle Tension aux bornes de l’inductance magnétisante [t e ] 1 U =U [t e ] Lh SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I , 1ÈRE PARTIE Δih[t e ] = U = Lh ⋅ te [t d ] 1 U =U [t d ] Lh n1 Δih[t d ] = − U C = Lh ⋅ n2 td iR CHAPITRE 6 : ALIMENTATIONS A DECOUPAGE A TRANSFORMATEUR Page 6-4 Courant moyen dans le condensateur I C[ td ] = I C[te ] = − I R[te ] = − I R n1 I h − I R[ td ] n2 Courant moyen fournit par l’alimentation (courant moyen dans le transistor Q) I = Ih I =0 Courant moyen dans la diode I D[ td ] = I D[te ] = 0 n1 Ih n2 Valeurs moyennes pondérées D [te ] [t d ] D ⋅ U Lh + (1 − D) ⋅ U Lh = D ⋅ (U ) + (1 − D) ⋅ (− 1-D n1 UC ) = 0 n2 D ⋅ I C[ te ] + (1 − D ) ⋅ I C[td ] = D ⋅ (− I R ) + (1 − D ) ⋅ (− I R + n1 Ih ) = 0 n2 ⇒ UC = ⇒ IR = I = D ⋅ I [te ] + (1 − D) ⋅ I [td ] = D ⋅ I h ⇒ I D = D ⋅ I D[te ] + (1 − D) ⋅ I D[td ] = (1 − D) ⋅ I L ⇒ SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I , 1ÈRE PARTIE n2 D ⋅U n1 1 − D n1 (1 − D) ⋅ I h n2 I = D ⋅ Ih ID = n1 (1 − D ) ⋅ I h n2 CHAPITRE 6 : ALIMENTATIONS A DECOUPAGE A TRANSFORMATEUR 6.1.2.2 Page 6-5 Ondulation de courant dans le domaine de la conduction continue i=i1 D⋅TP =te ≤ t < Tp Q conduit, D ouvert Q ouvert, D conduit n1 : n2 i2 i=i1 D : OFF iD n2 n1 i 2 ih u1 0 ≤ t < te=D⋅TP iC Lh u2 n1 : n2 ih iR uC u1 i2 D : ON n2 n1 i2 Lh iC u2 i1 U U Transformateur Transformateur Q : ON Q : OFF Ondulation de courant aux bornes de l’inductance Δih[t e ] = [te ] Lh U U ⋅ te = ⋅ t e Lh Lh Δih[t d ] = U Lh = 0 ⇒ Δih = ih MAX − ih MIN = SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I , 1ÈRE PARTIE Δih = Δih[ te ] = −Δih[td ] U ⋅ Tp Lh ⋅D = n1 U C ⋅ T p ⋅ (1 − D) n2 L iD [t d ] U Lh n U ⋅ td = − 1 C ⋅ t d Lh n2 Lh uC iR CHAPITRE 6 : ALIMENTATIONS À DÉCOUPAGE À TRANSFORMATEUR Page 6-1 La Figure 6.3 montre les divers courants et tensions apparaissant dans le montage Flyback en conduction continue. u1(t) U t -n1 n2 UC ih(t) ihMAX ihMIN t iQ(t) ihMAX ihMIN t iD(t) n1 i n2 hMAX n1 i n2 hMIN t uQ(t) n U+ n1 uC 2 t uD(t) t n uC- n2 U 1 uC(t) uCMAX uCMIN t Figure 6.3 : Conduction continue SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I , 1ÈRE PARTIE CHAPITRE 6 : ALIMENTATIONS À DÉCOUPAGE À TRANSFORMATEUR Page 6-2 Pour des raisons de choix de transistor, il est également important de connaître la tension maximum aux bornes de ce dernier. On peut dire que durant l’intervalle te ≤ t < Tp uQ = U + 6.1.3 n1 U UC = n2 1− D 6.1 Limite de la conduction continue Les résultats peuvent être obtenus par similitude avec le cas du hacheur à stockage inductif. Notons qu’il existe un fonctionnement en régime d’auto-oscillation. Dans ce mode, le transistor est ouvert lorsque le courant magnétisant du transformateur atteint une valeur déterminée. La prochaine fermeture du transistor aura lieu lorsque le courant dans la diode sera nul. Ce mode présente deux avantages et deux inconvénients. − La mise en conduction du transistor et le blocage de la diode se font à courant nul. Cela réduit les pertes de commutation du transistor et les perturbations induites par la charge de recouvrement de la diode. − Les valeurs du flux et, par-là, du courant magnétisant sont réduites. L’énergie stockée dans l’inductance de magnétisation est moins importante, ce qui permet la réduction de la taille du transformateur. − L’ondulation du courant magnétisant est plus forte, ce qui augmente le facteur de dimensionnement du transformateur − Le fonctionnement à fréquence variable rend plus difficile le filtrage SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I , 1ÈRE PARTIE CHAPITRE 6 : ALIMENTATIONS À DÉCOUPAGE À TRANSFORMATEUR 6.1.4 Page 6-3 Fonctionnement en conduction intermittente Dans ce cas également, il existe une similitude avec le hacheur à stockage inductif u1(t) U t -n1U n2 C ih(t) ihMAX t iQ(t) ihMAX t iD(t) n1 n2 ihMAX t uQ(t) n U+ n1 uC 2 U t uD(t) t n uC- n2 U 1 uC uC(t) uCMAX uCMIN t Figure 6.4 : Conduction intermittente SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I , 1ÈRE PARTIE CHAPITRE 6 : ALIMENTATIONS À DÉCOUPAGE À TRANSFORMATEUR 6.1.5 Page 6-4 Considération sur le transfert d’énergie Le montage Flyback travaille selon deux phases distinctes. La première correspond à un stockage d’énergie sous forme de champs magnétique dans le transformateur, le secondaire de ce dernier étant ouvert. La seconde correspond à une restitution de cette énergie au secondaire du transformateur. Deux modes opératoires sont clairement identifiables. − Transfert complet d’énergie (mode de conduction intermittent), mode dans lequel l’énergie stockée lors de la fermeture du transistor est complètement restituée (aux pertes près) au secondaire lors de la phase d’ouverture du transistor. − Transfert partiel d’énergie (mode de conduction continue), mode dans lequel seule une partie de l’énergie stockée dans le transformateur est restituée au secondaire 6.1.5.1 Phase de stockage de l’énergie Lorsque le transistor Q est fermé, le primaire du transformateur est alimenté par la source de tension U. La diode D placée à la sortie du secondaire est en polarisation inverse et par conséquent aucun courant ne circule dans le bobinage secondaire. Durant cette phase de stockage, seul le bobinage primaire est actif et le transformateur peut être traité comme une simple inductance. Le temps d’enclenchement du transistor étant beaucoup plus petit que la constante de temps électrique du bobinage primaire, on peut admettre une croissance linéaire duc courant dans ce dernier. Le champ d’induction magnétique B va donc croître de Br (Induction rémanente) à Bmax (correspondant au courant maximum dans le bobinage primaire). La Figure 6.5 illustre cette phase ih t te B Bsat Bmax Br H Figure 6.5 : Phase de stockage d’énergie 6.1.5.2 Phase de transfert de l’énergie Lorsque le transistor est ouvert, le courant dans le bobinage primaire du transformateur est nul. Le courant magnétisant circule maintenant dans secondaire du transformateur, la diode placée sur la SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I , 1ÈRE PARTIE CHAPITRE 6 : ALIMENTATIONS À DÉCOUPAGE À TRANSFORMATEUR Page 6-5 sortie étant conductrice. Le niveau de ce courant dépend du rapport de transformation alors que son sens est celui défini par la loi de Lenz. Durant la phase « Flyback », le courant magnétisant va décroître jusqu’à la qu’il atteigne zéro dans le cas du transfert complet d’énergie ou jusqu’au moment de la fermeture du transistor dans le cas d’un transfert d’énergie partielle. La Figure 6.6 illustre cette phase ih t td B Bsat Bmax Br H Figure 6.6 : Phase de transfert d’énergie 6.1.5.3 Transfert complet d’énergie Pour un mode de transfert complet d’énergie, le courant magnétisant s’annule, lors de la phase de transfert, avant la fermeture du transistor (origine de la période de commutation suivante). Le champ d’induction magnétique B passe de sa valeur maximum Bmax à sa valeur rémanente Br (valeur correspondant à un courant magnétisant nul). 6.1.5.4 Transfert partiel d’énergie En régime permanent (U = cte et UC = cte), la croissance et la décroissance du courant magnétisant ne peuvent pas varier. Par contre, lors d’une phase transitoire correspondant par exemple à un accroissement du courant de charge, le temps d’enclenchement du transistor Q1 augmente et par voie de conséquence, le temps de transfert d’énergie diminue. Le courant magnétisant ne s’annule plus à la fin d’une période de pulsation. Le mode de conduction est continu et lors du retour en régime permanent, l’énergie transférée de l’entrée vers la sortie est augmentée. Il est important de ne pas faire une confusion sur le terme de transfert partiel d’énergie. En mode de conduction continue, l’énergie fournie par la source est transférée aux pertes près à la sortie. Par contre, le courant magnétisant n’étant jamais nul on peut dire qu’une énergie magnétique subsiste dans le transformateur. La valeur de cette énergie résiduelle est identique à chaque fin de période de pulsation. Elle sera restituée lors du passage du mode de conduction continue au mode de conduction intermittent, par exemple lors d’une diminution du courant de charge. SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I , 1ÈRE PARTIE CHAPITRE 6 : ALIMENTATIONS À DÉCOUPAGE À TRANSFORMATEUR 6.1.5.5 Page 6-6 Capacité de transmission d’énergie d’un transformateur Le courant magnétisant d’un montage Flyback est unipolaire. Le transformateur travaille donc dans le quadrant I uniquement. On peut montrer que pour un même transformateur, il est possible d’augmenter le transfert d’énergie. La Figure 6.7 montre qu’en ajoutant un entrefer, il est possible pour un transformateur de transmettre plus de puissance en conduction continue (transfert partiel d’énergie) que ce même transformateur sans entrefer le ferait en conduction discontinue (transfert complet d’énergie). B B Bmax1 Bmax2 Energie transferée Energie dissipée dans le noyau magnétique Bmin2 Br H H Figure 6.7 : Influence d’un entrefer sur le transfert d’énergie 6.1.6 Dimensionnement du transformateur d’un montage Flyback Dans ce paragraphe, nous allons utiliser une approche itérative pratique pour le dimensionnement du transformateur utilisé dans un montage Flyback. Les points principaux sont la sélection du noyau magnétique (taille et matériau), dimensionnement de l’inductance de champ principal, de l’entrefer, le nombre de spires au primaire. 6.1.6.1 Paramètre du noyau et effet de l’entrefer La Figure 6.8 montre l’allure typique du cycle d’hystérèse B/H pour un noyau en ferrite, sans et avec entrefer. Il faut noter que la perméabilité (pente) du cycle d’hystérèse varie avec la longueur de l’entrefer. Par contre le niveau de saturation du champ d’induction magnétique Bsat reste le même. Le niveau du champ magnétique H est beaucoup plus élevé et le champ d’induction magnétique rémanent est beaucoup plus petit dans le cas d’un entrefer non nul. L’adjonction d’un entrefer est donc largement profitable dans le cas d’un transformateur pour montage Flyback, lequel travaille uniquement dans le premier quadrant de la caractéristique B/H. SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I , 1ÈRE PARTIE CHAPITRE 6 : ALIMENTATIONS À DÉCOUPAGE À TRANSFORMATEUR BDC ΔBAC Page 6-7 ΔΗAC BDC Cycle d'hysterese du noyau magnétique sans entrefer Cycle d'hysterese du noyau magnétique avec entrefer HDC1 HDC1 H ΔΗAC Figure 6.8 : Caractéristiques magnétiques typiques d’un transformateur utilisé dans un montage Flyback 6.1.6.2 Effet d’un entrefer sur les conditions AC La Figure 6.9 montre clairement que l’augmentation de l’entrefer entraîne une diminution de la pente de la caractéristique B/H mais ne change pas la valeur crête-crête du champ d’induction magnétique ΔBAC. En effet ΔBAC est proportionnel au produit de la tension appliquée au primaire par le temps d’enclenchement du transistor, et par conséquent ΔBAC est défini par les conditions AC extérieures, et non pas par la taille de l’entrefer. Par contre cette augmentation de l’entrefer provoque une augmentation de la valeur crête-crête du champ magnétique ΔHAC. Ceci correspond à une diminution effective de la perméabilité du circuit magnétique et par conséquent une diminution de l’inductance de champ principal.. On peut donc dire que les conditions AC appliquées agissent sur l’axe vertical des caractéristiques B/H, provoquant une modification du champ magnétique ΔHAC. Dans ce cas H doit être considéré comme une variable dépendante. Une erreur classique est de croire qu’un circuit magnétique saturé, suite à un nombre de spires primaire insuffisant ou un produit U⋅te excessif, peut être corrigé par l’adjonction d’un entrefer. Ceci est faux car l’entrefer ne modifie pas le niveau du champ d’induction magnétique de saturation Bsat. Par contre l’introduction d’un entrefer réduit la valeur du champ d’induction magnétique rémanent Br et par conséquent permet d’augmenter la plage de travail de ΔBAC, ce qui peut être intéressant dans le cas de la conduction intermittente. SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I , 1ÈRE PARTIE CHAPITRE 6 : ALIMENTATIONS À DÉCOUPAGE À TRANSFORMATEUR 6.1.6.3 Page 6-8 Effet d’un entrefer sur les conditions DC Un courant continu dans le bobinage (conduction continue) produit un champ magnétique HDC proportionnel. Pour un courant de charge donné, HDC est parfaitement défini. On voit donc que pour les conditions DC, BDC doit être considérée comme une variable dépendante. La Figure 6.8 montre que l’adjonction d’un entrefer permet au circuit magnétique de supporter un champ magnétique HDC beaucoup plus important sans apparition de saturation. Par conséquent, un entrefer est très efficace pour prévenir la saturation du circuit magnétique lorsque qu’il y a une composante de courant DC (amélioration de la plage de conduction continue). 6.1.6.4 Conclusions Le produit de la tension appliquée au primaire par le temps d’enclenchement du transistor Q1 et la section du circuit magnétique Ae définissent la valeur AC crête-crête du champ d’induction magnétique ΔBAC. Le courant continu (charge), le nombre de spires et la longueur équivalente du circuit magnétique définissent la valeur du champ magnétique HDC. Ou en d’autres mots, un nombre de spires et une section du circuit magnétique suffisante doivent être assurés pour supporter les conditions AC alors qu’un entrefer suffisant permet d’éviter la saturation du circuit magnétique en accord avec les conditions DC. SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I , 1ÈRE PARTIE CHAPITRE 6 : ALIMENTATIONS À DÉCOUPAGE À TRANSFORMATEUR Page 6-9 6.2 CONVERTISSEUR DE TYPE SÉRIE AVEC ISOLATION GALVANIQUE 6.2.1 Montage FORWARD Le montage Forward est dérivé du montage Buck. La continuité du courant de sortie, comme pour tous les montages dérivés du montage Buck, fait que le convertisseur Forward est très bien adapté aux applications demandant de fort courant de sortie. iD2 n1 : n2 : n3 i D2 L i iC u1 u3 D3 iR uD3 uC U Q D1 Figure 6.9 : Montage Forward 6.2.2 Etude du fonctionnement La Figure 6.10 illustre le montage Forward avec le modèle équivalent du transformateur D2 n1 : n2 : n3 i iD2 i1 L ih u1 iC Lh U u3 D3 uD3 uC D1 Figure 6.10 : Montage Forward avec modèle du transformateur réel SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I , 1ÈRE PARTIE iR R C i3 i2 Q iL CHAPITRE 6 : ALIMENTATIONS À DÉCOUPAGE À TRANSFORMATEUR 6.2.2.1 Page 6-10 Intervalle de conduction du transistor Durant le premier intervalle de la période de pulsation Tp, le transistor Q1 est conducteur. La diode D2 est polarisée dans le sens passant alors que les diodes D1 et D3 sont bloquées. La tension U de la source est appliquée aux bornes du bobinage primaire du transformateur et le courant magnétisant ih croît linéairement pour atteindre un maximum à la fin du temps d’enclenchement ihMAX = ih (t e ) = U ⋅ Tp U ⋅ te = ⋅D Lh Lh 6.2 la tension aux bornes de D3 vaut n3 U n1 uD3 = 6.3 i n1 : n2 : n3 L iD2 D2 : ON i1 i ih iC u3 u1 Lh U i2 D3 : OFF uD3 uC iR R C i3 D1 : OFF Q : ON Figure 6.11 : Montage Forward avec Q1 et D2 conducteurs 6.2.2.2 Extinction du courant magnétisant Le second intervalle commence lorsque le transistor Q1 est déclenché. La Figure 6.12 illustre les parties actives dans cet intervalle. Le courant magnétisant ih(t) est positif et doit continuer de circuler. Puisque le transistor Q1 est ouvert, le circuit équivalent montre que le courant magnétisant ih en conjonction avec le sens des bobinages primaire et auxiliaire entraîne la polarisation de la diode D1 dans le sens direct et par conséquent la circulation d’un courant dans le bobinage auxiliaire. Le courant dans le bobinage auxiliaire vaut i2 (t ) = n1 ih ( t ) n2 La tension aux bornes du bobinage auxiliaire est égale à SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I , 1ÈRE PARTIE 6.4 CHAPITRE 6 : ALIMENTATIONS À DÉCOUPAGE À TRANSFORMATEUR Page 6-11 u 2 (t ) = U 2 = −U 6.5 et par conséquent, la tension aux bornes de l’inductance magnétisante, référée au primaire du transformateur est exprimée par la relation u1 (t ) = n1 n ⋅ u 2 (t ) = − 1 ⋅ U n2 n2 6.6 Cette tension négative aux bornes de l’inductance magnétisante entraîne une décroissance de courant magnétisant dont la dérivée vaut n U d ih (t ) = − 1 ⋅ dt n2 Lh 6.7 La tension aux bornes du bobinage connecté au circuit de sortie est également négative u 3 (t ) = n3 n ⋅ u 2 (t ) = − 3 ⋅ U n2 n2 6.8 puisque la diode D2 est bloquée, c’est la diode D3 qui assure la continuité du courant dans l’inductance L. n1 : n2 : n3 i1 i D2 : OFF L ih iL iC u1 Lh u3 U D3 : ON uD3 uC iR R C i3 n1 i2 = n ih 2 Q : OFF D1 : ON Figure 6.12 : Montage Forward avec D1 et D3 conducteurs 6.2.2.3 Intervalle à courant magnétisant nul Lorsque le courant magnétisant s’annule, la diode D1 se trouve en polarisation inverse. Les semiconducteurs Q1, D1 et D2 se trouve dans l’état bloqué. Le courant magnétisant reste nul jusqu’à la fin de la période de pulsation. En appliquant le principe que la valeur moyenne de la tension aux bornes de l’inductance magnétisante est nulle en régime permanent, on peut affirmer que la tension moyenne aux bornes du primaire du transformateur (c’est à dire aux bornes de l’inductance magnétisante) est nulle SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I , 1ÈRE PARTIE CHAPITRE 6 : ALIMENTATIONS À DÉCOUPAGE À TRANSFORMATEUR U 1 = D ⋅ U + D2 ⋅ ( − Page 6-12 n1 ⋅ U ) + D3 ⋅ (0) = 0 n2 6.9 Avec D, rapport cyclique d’enclenchement, D1, temps d’extinction du courant rapporté à la période de pulsation Tp et D3 temps pendant lequel le courant magnétisant est nul, rapporté à la période de pulsation Tp. De la relation 6.9 on en déduit le rapport cyclique d’extinction du courant D2 D2 = n2 ⋅D n1 6.10 Le courant magnétisant doit impérativement est nul avant le prochain enclenchement du transistor. En effet, afin d’éviter la saturation du circuit magnétique du transformateur, l’inductance de champ principal Lh, en conjonction avec la diode D1, doit travailler dans en mode de conduction discontinu. Par conséquent, le rapport cyclique D3 ne peut pas être négatif. Sachant que D3 = 1 − D − D2 ≥ 0 6.11 on peut écrire D3 = 1 − D ⋅ (1 + n2 )≥0 n1 6.12 et donc la condition sur le rapport cyclique d’enclenchement de Q1 devient D≤ 1 n 1+ 2 n1 6.13 L’inductance de sortie L relation avec la diode D3 peut fonctionner en mode continu ou discontinu. n1 : n2 : n3 i D2 : OFF i1 L ih u1 iL iC u3 Lh D3 : ON uD3 uC R C U i2 Q : OFF i3 D1 : OFF Figure 6.13 : Montage Forward avec Q1, D1, D2, D3 bloqués SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I , 1ÈRE PARTIE iR CHAPITRE 6 : ALIMENTATIONS À DÉCOUPAGE À TRANSFORMATEUR 6.2.2.4 Page 6-13 Allures temporelles des tensions et courants La Figure 6.14 illustre les allures des principales grandeurs électriques du montage FORWARD. Les grandeurs de sortie, c’est-à-dire les courants dans la charge IR, dans le condensateur ic, dans l’inductance iL ainsi que les tensions correspondantes se calculent de la même manière que pour le montage BUCK. u1 U t n1 n2 U ih n1 U n2 L h U Lh t uD3 n3 n1 U DTp D2Tp D3Tp t Tp Figure 6.14 : Montage Forward : allures des grandeurs électriques principales 6.2.2.5 Rapport de transformation global Pour obtenir la tension de sortie du montage Forward, il suffit d’appliquer le principe de la tension moyenne nulle aux bornes de l’inductance L du filtre de sortie en régime permanent u D3 = U C = U 3 ⋅ D = n3 ⋅ D ⋅U n1 6.14 Cette relation est valable pour le mode de conduction continue. 6.2.2.6 Facteur dimensionnant du transistor Q1 La relation 6.14 montre que le rapport cyclique D maximum pourrait être augmenté en diminuant le rapport du nombre de spires n2/n1. En effet dans ce cas la décroissance du courant magnétisant durant la phase d’extinction se trouve augmentée. Malheureusement, une diminution de n1/n2 entraîne une augmentation de la tension aux bornes du transistor Q1. La tension maximum appliquée aux bornes du transistor durant l’intervalle d’extinction du courant magnétisant est exprimée par la relation SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I , 1ÈRE PARTIE CHAPITRE 6 : ALIMENTATIONS À DÉCOUPAGE À TRANSFORMATEUR uQ1 = U ⋅ (1 + n1 ), n2 ce qui corrobore l’affirmation qui précède. SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I , 1ÈRE PARTIE Page 6-14 6.15 CHAPITRE 6 : ALIMENTATIONS À DÉCOUPAGE À TRANSFORMATEUR Page 6-15 6.3 CONVERTISSEUR DE TYPE SYMÉTRIQUE AVEC ISOLATION GALVANIQUE 6.3.1 Montage PUSH-PULL (pont complet) Comme pour le montage Forward, le montage Push-Pull est dérivé du montage Buck. Ce type de convertisseur est particulièrement bien adapté pour les basses tensions de sortie avec forts courants. Le bobinage secondaire avec point milieu peut être vu comme deux bobinages séparés et donc être traité comme un transformateur à trois bobinages dont le rapport du nombre de spires est défini comme n1:n2:n2. Q1 D1 Q3 D3 D5 n1:n2:n2 i iD5 iC u2 D2 Q4 iR uC u1 Q2 iL us u2 U L iD6 D6 D4 Figure 6.15 : Montage Push-Pull 6.3.2 Etude de fonctionnement Lorsque le transformateur est remplacé par son modèle équivalent réel, on obtient le schéma illustré à la Figure 6.16. Q1 D1 Q3 D3 i i1 n1:n2:n'2 i2 ih D5 L iD5 uC Lh u'2 Idéal Q2 D2 Q4 iD6 i'2 D4 Transformateur D6 Figure 6.16 : Montage Push-Pull avec modèle du transformateur réel L’allure des grandeurs électriques principales sont montrées à la Figure 6.17. SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I , 1ÈRE PARTIE iC us u2 u1 U iL iR CHAPITRE 6 : ALIMENTATIONS À DÉCOUPAGE À TRANSFORMATEUR Page 6-16 ih(t) t u1(t) U t iL(t) ΔiL I t us(t) n2 n1 U t iD5(t) i(t) 0.5 i(t) t iD6(t) i(t) 0.5 i(t) t DTP TP Q1 Q4 D5 D5 D6 Q2 Q3 D6 D5 D6 Figure 6.17 : Montage Push-Pull : allures des grandeurs électriques principales La sortie du convertisseur est similaire à un montage Buck si l’on compare la tension us(t) et i(t) à uD(t) et iL(t). SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I , 1ÈRE PARTIE CHAPITRE 6 : ALIMENTATIONS À DÉCOUPAGE À TRANSFORMATEUR Page 6-17 Durant le premier intervalle 0 ≤ t < DTp, Q1 et Q4 sont conducteurs et la tension U se trouve aux bornes du primaire du transformateur, soit u1 (t ) = U 6.16 Le courant magnétisant ih va donc croître selon la relation ih ( t ) = U ⋅t Lh 6.17 La tension apparaissant au secondaire entre le point milieu et chaque sortie vaut u 2 (t ) = n n2 ⋅ u1 (t ) = 2 ⋅ U n1 n1 6.18 ceci avec le signe défini par les points de polarité. La diode D5 est donc conductrice, alors que D6, polarisée dans le sens inverse, est bloquée. La tension de sortie vaut donc uC ( t ) = u 2 ( t ) = n2 ⋅U . n1 6.19 Le courant i circulant dans l’inductance du filtre de sortie passe par D5. Plusieurs scénarios sont possibles pour le second intervalle DTp ≤ t < Tp. Dans la plupart des cas, les quatre transistors sont ouverts fixant la tension aux bornes de l’inductance magnétisante Lh à u1 ( t ) = 0 . 6.20 Durant ce second intervalle, le courant dans les diodes D5 et D6 est fonction du courant circulant dans l’inductance L du filtre de sortie et su courant magnétisant ih. Dans le cas idéal (sans courant magnétisant), les courants iD5 et iD6 sont égaux (i1(t)=0). Ils assurent la continuité du courant dans l’inductance L iD 5 (t ) + iD 6 (t ) = iL (t ) 6.21 En pratique, les courants circulant dans les diodes D5 et D6 sont légèrement différents si l’on tient compte du courant magnétisant. La partie idéale du transformateur obéit à la loi n1 ⋅ i1 (t ) − n2 ⋅ iD 5 (t ) + n2 ⋅ iD 6 (t ) = 0 6.22 La somme des courants au nœud d’entrée du transformateur vaut i(t ) = ih (t ) + i1 (t ) 6.23 En éliminant i1(t) des deux équations précédentes, on obtient n1 ⋅ i (t ) − n2 ⋅ iD 5 (t ) + n2 ⋅ iD 6 (t ) = n1 ⋅ ih (t ) 6.24 Cette relation décrit, dans le cas général, la liaison entre les courants circulant de part et d’autre du transformateur durant le second intervalle. La répartition du courant magnétisant dans les trois SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I , 1ÈRE PARTIE CHAPITRE 6 : ALIMENTATIONS À DÉCOUPAGE À TRANSFORMATEUR Page 6-18 bobinages du transformateur dépend des caractéristiques i,v des transistors conducteurs et des diodes. Dans le cas ou i(t)=0, on peut écrire en admettant que les caractéristiques des diodes D5 et D6 sont identiques iD 5 (t ) = 1 1 n ⋅ iL (t ) − ⋅ 1 ⋅ ih (t ) 2 2 n2 1 1 n iD 6 (t ) = ⋅ iL (t ) + ⋅ 1 ⋅ ih (t ) 2 2 n2 6.25 Dans un cas de charge nominal, le courant dans la charge et par conséquent dans l’inductance L du filtre de sortie est beaucoup plus grand que le courant magnétisant. La prochaine période de pulsation Tp est similaire à la précédente, exception faite que la tension appliquée au primaire du transformateur est de polarité opposée. En effet durant l’intervalle Tp ≤ t < (Tp+D⋅Tp), ce sont les transistors Q2 et Q3 et la diode D6 qui sont conducteurs. La tension appliquée au primaire vaut u1(t) = -U, laquelle provoque une décroissance du courant magnétisant ih selon la pente –U/Lh. Les diodes D5 et D6 redeviennent les deux conductrices durant l’intervalle (Tp+D⋅Tp) ≤ t < 2Tp. La fréquence de l’ondulation de courant dans l’inductance est égale à fp alors que celle du courant magnétisant est de ½ fp, réduisant du même coup les pertes fer du transformateur. En appliquant le principe de la tension moyenne nulle aux bornes de l’inductance magnétisante du transformateur en régime permanent, on peut écrire (U − {ΔU Q1 + ΔU Q4 })⋅ (D ⋅ T p ) − (U − {ΔU Q2 + ΔU Q3 })⋅ (D ⋅ T p ) = 0 . 6.26 En pratique, les asymétries du pont (dispersion des caractéristiques des composants) font qu’il est difficile voir impossible d’assurer une tension moyenne nulle aux bornes du transformateur. Il y a donc risque de voir le courant magnétisant moyen augmenter et donc provoquer la saturation du noyau magnétique du transformateur. Un moyen d’éviter ce phénomène est d’ajouter un condensateur en série avec le primaire du transformateur. Puisqu’en régime permanent, le courant moyen aux bornes du condensateur est nul, nous avons la certitude que dernier aura à ces bornes la tension résultante des asymétries du pont.. Il existe une topologie de demi-pont où une branche du pont du montage push-pull est remplacée par deux condensateurs. Le montage Push-Pull est en principe utilisé pour des puissances supérieures à 750W. Pour des puissances inférieures on lui préfère des montages moins gourmands en composants. SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I , 1ÈRE PARTIE CHAPITRE 6 : ALIMENTATIONS À DÉCOUPAGE À TRANSFORMATEUR Page 6-19 6.4 ÉVALUATION ET DIMENSIONNEMENT DES CONVERTISSEURS DC-DC 6.4.1 Généralités Il n’existe pas de choix définitif et absolu de topologie de convertisseurs DC-DC qui conviennent à toutes les applications. Pour chaque application et ses spécifications propres, une étude comparative devrait être effectuée avant le choix d’une topologie. Plusieurs solutions dont le résultat est conforme aux spécifications doivent être considérées, pour chaque approche, il est important de définir des critères tels que la tension maximum apparaissant aux bornes du transistor, le courant efficace, la taille du transformateur, etc … Ce type de comparaison quantitatif peut conduire à la sélection de la meilleure topologie en évitant l’avis subjectif du concepteur. 6.4.2 Stress et taux d’utilisation des semiconducteurs (transistor) Ce sont souvent les semiconducteurs qui représentent le coût le plus élevé des convertisseurs DC-DC. De plus, les pertes associées à la conduction et à la commutation des semiconducteurs sont dominantes. Ces affirmations suggèrent donc une évaluation du niveau de stress imposé aux semiconducteurs. La minimisation du stress de ces derniers conduit à une réduction de la surface totale de silicium lors de la réalisation. Il est d’usage de comparer la somme totale du stress imposé à chaque semiconducteur. Dans un bon design, les tensions et courants dédicacés à chaque semicondcteur doivent être minimisés, alors que la puissance est maximisée. Si un convertisseur DC-DC contient k semiconducteurs, le stress global S peut être défini par k S = ∑U j ( peak ) ⋅ I j ( rms ) j =1 6.27 où Uj(peak) est la pointe de tension appliquée aux bornes du semiconducteur et Ij(rms) le courant efficace qui le traverse. Si la puissance consommée par la charge est vaut Pcharge, le taux d’utilisation du composant est défini comme TC = Pch arg e 6.28 S Le taux d’utilisation TC est plus petit que 1 dans les convertisseurs DC-DC et sa valeur doit être maximisée. 6.4.2.1 Pointe de tension sur les transistors pour les montages étudiés Les pointes de tension rencontrées pour chaque montage avec isolation galvanique sont rappelées cidessous. 6.4.2.1.1 Montage Flyback uQ1( peak ) = U + n1 D U = UC = U +U ⋅ 1− D 1− D n2 SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I , 1ÈRE PARTIE 6.29 CHAPITRE 6 : ALIMENTATIONS À DÉCOUPAGE À TRANSFORMATEUR 6.4.2.1.2 Montage Forward uQ1( peak ) = U ⋅ (1 + 6.4.2.1.3 Page 6-20 n1 ) n2 6.30 Montage Push-Pull uQ1,2,3,4 ( peak ) = U 6.4.2.2 6.31 Courant efficace sur les transistors pour les montages étudiés Pour la détermination des courants efficaces on peut négliger l’ondulation de courant dans les inductances. En effet on peut montrer que − pour un courant continu avec ondulation superposée à croissance et décroissance linéaire i(t) Δi I t DTp Tp Figure 6.18 : Courant continu avec ondulation superposée I ( rms ) = I ⋅ 1 + 1 ⎛ Δi ⎞ ⋅⎜ ⎟ 12 ⎝ I ⎠ 2 6.32 − pour un courant pulsé avec croissance linéaire du courant i(t) Δi I t DTp Tp Figure 6.19 : Courant pulsé avec ondulation superposée SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I , 1ÈRE PARTIE CHAPITRE 6 : ALIMENTATIONS À DÉCOUPAGE À TRANSFORMATEUR I ( rms ) = I ⋅ D ⋅ 1+ 1 ⎛ Δi ⎞ ⋅⎜ ⎟ 12 ⎝ I ⎠ Page 6-21 2 6.33 Le tableau comparatif ci-dessous permet d’estimer l’erreur faite lorsque l’on s’affranchit de l’ondulation superposée Ondulation de courant Courant continu avec ondulation Courant pulsé rapportée au courant I Δi = 0 ⋅ I I D ⋅I Δi = 0.2 ⋅ I 1.00167⋅ I 1.00167 ⋅ D ⋅ I Δi = 0.5 ⋅ I 1.01036⋅ I 1.01036 ⋅ D ⋅ I Δi = 1⋅ I 1.04083⋅ I 1.04083 ⋅ D ⋅ I Δi = 2 ⋅ I 1.15470⋅ I 1.15470 ⋅ D ⋅ I 6.4.2.2.1 Montage Flyback Tp I Q ( rms ) 1 1 = ⋅ ∫ iQ 2 ⋅ dt = ⋅ Tp 0 Tp 1 ≅ ⋅ Tp = 6.4.2.2.2 D⋅T p ∫ 0 D⋅T p ∫ (iQ (t )) 2 ⋅ dt 0 2 ⎞ ⎛ n2 1 ⎜⎜ ⋅ ⋅ I R ⎟⎟ ⋅ dt ⎠ ⎝ n1 1 − D 6.34 n2 D ⋅ ⋅ IR n1 1 − D Montage Forward Tp I Q ( rms ) 1 1 = ⋅ ∫ iQ 2 ⋅ dt = ⋅ Tp 0 Tp 1 ≅ ⋅ Tp = D⋅T p ∫ 0 2 D⋅T p ⎛ n3 ⎞ ⎜⎜ ⋅ I R ⎟⎟ ⋅ dt ⎝ n1 ⎠ n3 ⋅ D ⋅ IR n1 SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I , 1ÈRE PARTIE ∫ (iQ (t )) 2 ⋅ dt 0 6.35 CHAPITRE 6 : ALIMENTATIONS À DÉCOUPAGE À TRANSFORMATEUR 6.4.2.2.3 Montage Push-Pull I Q1,2,3,4 ( rms ) 1 = ⋅ 2 ⋅ Tp 1 ≅ ⋅ 2 ⋅Tp = 6.4.2.3 6.4.2.3.1 Page 6-22 D⋅T p ∫ 0 2⋅T p ∫ iQ 0 2 1 ⋅ dt = ⋅ 2 ⋅Tp D⋅T p ∫ (iQ (t ) ) 2 ⋅ dt 0 2 ⎛ n2 ⎞ ⎜⎜ ⋅ I R ⎟⎟ ⋅ dt ⎝ n1 ⎠ 6.36 n2 D ⋅ ⋅ IR 2 n1 Taux d’utilisation des transistors pour les montages étudiés Montage Flyback Le stress global s’exprime par la relation S= U D U n2 D ⋅ ⋅ ⋅ IR = C ⋅ ⋅ IR = 1 − D n1 1 − D D 1− D PLOAD D ⋅ (1 − D ) 6.37 et par conséquent le taux d’utilisation peut être défini comme TC = 6.4.2.3.2 PLOAD = D ⋅ (1 − D ) S 6.38 Montage Forward Le stress global s’exprime par la relation S = U ⋅ (1 + U n 2 n3 n ) ⋅ ⋅ D ⋅ I R = C ⋅ (1 + 2 ) ⋅ D ⋅ I R n1 n1 D n3 n 1 = ⋅ (1 + 2 ) ⋅ PLOAD n1 D 6.39 et par conséquent le taux d’utilisation peut être défini comme TC = PLOAD = S 1 ⋅ D n2 1+ n1 SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I , 1ÈRE PARTIE 6.40 CHAPITRE 6 : ALIMENTATIONS À DÉCOUPAGE À TRANSFORMATEUR 6.4.2.3.3 Page 6-23 Montage Push-Pull Le stress global s’exprime par la relation S =U ⋅ U P n2 D D ⋅ ⋅ IR = C ⋅ ⋅ I R = LOAD n1 D 2 2 2⋅ D 6.41 et par conséquent le taux d’utilisation peut être défini comme TC = PLOAD = 2⋅D S SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I , 1ÈRE PARTIE 6.42 SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I , 1ÈRE PARTIE CHAPITRE 7 : DIMENSIONNEMENT DES ÉLÉMENTS D’UNE ALIMENTATION À DÉCOUPAGE Page 7-1 7. Dimensionnement des éléments des alimentations à découpage 7.1 INTRODUCTION Les alimentations à découpage sont essentiellement constituées, en dehors des interrupteurs statiques, de composants magnétiques fonctionnant en haute fréquence et de condensateurs. Le choix et le bon dimensionnement de ces composants est un élément essentiel lors de l’avant projet d’une alimentation à découpage. 7.2 LES CONDENSATEURS 7.2.1 Principe de fonctionnement Deux conducteurs séparés par un isolant constituent un condensateur. dielectrique (εr) anode cathode S d Figure 7-1 : Structure du condensateur La valeur de ce condensateur, ou sa capacité, s'exprime de façon générale par : C = ε rε 0 avec : S d ε=εrε0 S d 7.1 : permittivité diélectrique ou constante diélectrique ε0=8.85⋅10-8 [As/Vm] : surface des armatures : épaisseur de l’isolant (distance entre les plaques) La valeur de capacité étant directement proportionnelle à εr, il est de première importance de rechercher des isolants à forte constante diélectrique. SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I , 1ÈRE PARTIE CHAPITRE 7 : DIMENSIONNEMENT DES ÉLÉMENTS D’UNE ALIMENTATION À DÉCOUPAGE 7.2.2 Page 7-2 Paramètres caractéristiques d’un diélectrique Les principaux paramètres d’un diélectrique sont les suivants : − la permittivité relative du diélectrique: ε r = ε ε 0 , − la rigidité diélectrique (k) La rigidité diélectrique ainsi que l'épaisseur de l'isolant vont limiter la tension maximale d'utilisation: Umax= k d. Ce paramètre est directement lié au niveau d'humidité du milieu où fonctionne le composant. L'énergie maximale stockée dans un diélectrique ne dépend que des caractéristiques du volume du diélectrique. 1 1 2 Wmax = CU max = ε rε 0 S{ d k2 2 2 Volume 7.2 − les pertes diélectriques : elles sont représentatives des pertes dans le diélectrique lors de son utilisation en régime alternatif, − la résistance d'isolement : le diélectrique n'a pas une résistance statique infinie (impureté, humidité...). De plus l'enveloppe du composant influe sur ce paramètre. − la stabilité du diélectrique vis-à-vis : de la température : elle dépend de la nature du diélectrique, de l'humidité : elle dépend de la nature du diélectrique, du temps : les propriétés du diélectrique varient dans le temps. 7.2.3 Modèle équivalent Les remarques précédentes nous amènent à modéliser le condensateur de la façon suivante : − C est la valeur du condensateur idéal, − LESL est l'inductance des armatures et des connections. Elle est liée à la technologie de fabrication, − RESR est la résistance des armatures et connections. Elle rend compte également des pertes diélectriques, − Risol est la résistance représentant les défauts d'isolement. Elle dépend de la technologie de fabrication. L ESL R ESR C Risol Figure 7-2 : Schéma équivalent du condensateur SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I , 1ÈRE PARTIE CHAPITRE 7 : DIMENSIONNEMENT DES ÉLÉMENTS D’UNE ALIMENTATION À DÉCOUPAGE Page 7-3 ⎛ L ⎞ R s 2 LESL C + s⎜⎜ RESR C + ESL ⎟⎟ + ESR + 1 Risol ⎠ Risol 1 ⎝ = Z = sLESL + RESR + 1 1 sC + sC + Risol Risol ≅ 7.3 s 2 LESLC + sRESR C + 1 sC Il est alors possible de tracer la caractéristique de l’impédance en fonction de la fréquence, où f0 = 1 7.4 2π LC Z C RESR LESL RESR @-25°C RESR @+25°C Fr F [kHz] Figure 7-3 : Réponse harmonique d’un condensateur 7.2.4 Les principales technologies Elles dépendent de la nature du diélectrique utilisé. Figure 7-4 : Plage de capacité en fonction de la technologie SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I , 1ÈRE PARTIE CHAPITRE 7 : DIMENSIONNEMENT DES ÉLÉMENTS D’UNE ALIMENTATION À DÉCOUPAGE 7.2.4.1 Page 7-4 Diélectriques plastiques. Les armatures sont constituées par deux feuilles d'étain ou d'aluminium dont l'épaisseur (de 5 à 40 ) est déterminée en fonction du courant traversant. Les diélectriques composites associent des films de nature différente dont les caractéristiques spécifiques se complètent. Les condensateurs films possèdent d'excellentes propriétés électriques notamment une bonne tenue en tension et en fréquence. 7.2.4.1.1 Condensateurs films métallisés Les armatures sont constituées par une couche très fine ( 0.02 ) de zinc ou d'aluminium déposée par évaporation sous vide sur le diélectrique film synthétique ou papier (1,5 à 25 ). L'autocicatrisation est une propriété essentielle de ces condensateurs. Lorsqu'un amorçage se produit entre les armatures dû à un défaut du diélectrique, l'arc électrique vaporise localement la métallisation en formant un oxyde métallique isolant. Le condensateur ainsi régénéré redevient opérationnel. La qualité des films plastiques permet de les utiliser en faible épaisseur ( e = 2 µm à 20µm). Il est possible d'obtenir des résistances d'isolement très élevées et constantes dans la gamme d'utilisation de température. De plus les pertes diélectriques à fréquence élevée sont faibles. Il existe quatre types de films plastiques : − − − − polystyrène, polyester (métallisé ou non), polycarbonate (métallisé ou non), polypropylène (métallisé ou non). Diélectrique Facteur de Vol. dissipation factor [%] @ 25°C/1kHz RI [MΩ/μF]@25° C Tmax Propriétés typiques [°C] Polyester 0.83 0.30 50000 150 Polyester métallisé 0.47 0.45 25000 125 Polycarbonate 3.3 0.1 100000 125 Polycarbonate 0.47 métallisé 0.25 100000 125 Polypropylène 4 0.05 200000 105 Polypropylène 0.67 métallisé 0.1 200000 105 Polystyrène 0.025 2500000 85 4.7 Haute température Petite taille Haute résistance d’isolation Haute stabilité Apte pour le haute fréquence Haute résistance d’isolation Faibles pertes Haute stabilité Apte pour le haute fréquence Haute résistance d’isolation Haute résistance d’isolation Faible variation de la capacité en fonction de la température Tableau 7-1 : Propriétés principales des diélectriques plastiques SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I , 1ÈRE PARTIE CHAPITRE 7 : DIMENSIONNEMENT DES ÉLÉMENTS D’UNE ALIMENTATION À DÉCOUPAGE 7.2.4.2 Page 7-5 Condensateurs à diélectrique chimique. Les deux armatures en aluminium pur à 99,99 % du condensateur sont placées dans une solution électrolytique. Lorsqu'on applique une tension, une couche d'alumine isolant de très faible épaisseur se forme (e = 0,01 m), d'où la possibilité de fortes capacités. Le condensateur est polarisé, les électrodes ne jouant pas le même rôle dans l'électrolyse (Anode, Cathode). Il existe deux types d'électrolytes. 7.2.4.2.1 Electrolyte Aluminium Les constructeurs à l’heure actuelle conçoivent deux grandes familles de condensateurs, les condensateurs dits classiques et ceux dits à faible résistance série. Ces derniers sont notamment utilisés en électronique de puissance de par leur meilleure tenue en fréquences et leurs pertes joules beaucoup plus faibles. 7.2.4.2.2 Electrolyte Tantale Le métal de base est une poudre de Tantale de très fine granulométrie. Les anodes sont obtenues par compression dans des moules dont la forme la plus usuelle est cylindrique. Le corps poreux ainsi réalisé présent une grande surface par unité de volume. Ces condensateurs ont pour particularité principale une bonne tenue en fréquence. 7.2.5 Les condensateurs dans les alimentations à découpage. Les condensateurs que nous rencontrons dans les alimentations à découpage remplissent deux rôles distincts : ils servent de réservoir d’énergie lors des variations de commande ou de charge, et ils servent également de condensateur de découplage ou de filtrage vis à vis du fonctionnement haute fréquence de l’alimentation. C’est pourquoi certains constructeurs ont développé une gamme de condensateurs spécifiques pour les alimentations à découpage et autres systèmes d’électronique de puissance. Ce sont les condensateurs chimiques dits à faible résistance série, qui présentent des valeurs de capacité importantes, tout en ayant une excellente tenue en fréquence. Si toutefois les performances de ces condensateurs se trouvaient insuffisantes, il est possible d’associer deux condensateurs de technologies différentes, par exemple un condensateur aluminium en parallèle avec un condensateur polypropylène. SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I , 1ÈRE PARTIE CHAPITRE 7 : DIMENSIONNEMENT DES ÉLÉMENTS D’UNE ALIMENTATION À DÉCOUPAGE Page 7-6 7.3 LES MATERIAUX MAGNETIQUES 7.3.1 Les matériaux Les matériaux utilisés en électrotechnique et en électronique de puissance sont principalement : − l'air, réservé au domaine des très hautes fréquences et des faibles puissances, − les tôles de fer magnétique laminées et assemblées pour constituer des circuits magnétiques, utilisés aux fréquences dites industrielles (16.66, 50, 60 et 400 Hz), − les ferrites : Céramiques magnétiques, moulées selon la forme désirée du circuit magnétique, utilisées en électronique de puissance à haute fréquence. 7.3.2 Grandeurs caractéristiques des matériaux magnétiques 7.3.2.1 La caractéristique magnétique (BH) Un matériau magnétique est défini par sa caractéristique B=f(H) d’induction magnétique en fonction du champ magnétique], sa courbe de 1ère aimantation, ses différents cycles d'hystérésis (en fonction de la fréquence). La caractéristique typique d’un matériau est la suivante : B [T] B [T] Bsat Br A Zone de fonctionnement saturé −H c +H c 0 H [A/m] H [A/m] Zone de fonctionnement saturé Br Zone de fonctionnement non saturé −B sat Figure 7-5 : Caractéristique BH avec : Br HC OA : induction rémanente : champ coercitif : courbe de première aimantation Cette caractéristique est fréquemment idéalisée. On sépare la zone de fonctionnement dite non saturée de la zone de fonctionnement saturée. Dans la zone de fonctionnement non saturée, on définit alors la perméabilité relative du matériau r tel que : B = μ r μ0 H SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I , 1ÈRE PARTIE 7.5 CHAPITRE 7 : DIMENSIONNEMENT DES ÉLÉMENTS D’UNE ALIMENTATION À DÉCOUPAGE 7.3.2.2 Page 7-7 Les pertes magnétiques Un matériau ferromagnétique soumis à un champ magnétique variable est source de pertes ayant deux origines : − Les pertes par courant de Foucault Le matériau est soumis à un champ magnétique variable, il apparaît alors dans ce matériau des tensions induites, donc des courants induits, et donc des pertes joules. Ces pertes sont proportionnelles à : Pf = avec : (Bmax S f )2 Bmax S f ρ 7.6 : induction maximale : section du circuit magnétique : fréquence de fonctionnement : résistivité du matériau − Pertes hystérétiques. Elles sont dues à l'énergie mise en jeu pour parcourir le cycle d'hystérésis. Leur expression est donnée par PH = VACH f avec : 7.3.3 V ACH f 7.7 : volume de circuit magnétique : surface du cycle d’hystérésis du matériau : fréquence de fonctionnement Les matériaux magnétiques et les corps de bobines Les alimentations à découpage fonctionnant à des fréquences élevées, il est impossible d’utiliser des tôles pour la réalisation des composants magnétiques, les pertes devenant trop importantes. Les fabricants utilisent donc des ferrites, mieux adaptées au fonctionnement « haute » fréquence. Ce sont des céramiques magnétiques à haute résistivité (de 102 à 108 cm), donc présentant des pertes par courant Foucault particulièrement faible, et à haute perméabilité (de 2000 à 10000 environ). Leur fabrication par moulage permet de réaliser toutes formes de géométrie, permettant de réaliser une grande variété de circuits magnétiques. L'induction de saturation des ferrites est de l'ordre de 0.4T à 0.5 T. On les emploie généralement hors saturation et l’on retient Bmax = 0.3 T. Les enroulements sont bobinés sur des corps moulés dont les tailles sont directement en relation avec les circuits magnétiques SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I , 1ÈRE PARTIE CHAPITRE 7 : DIMENSIONNEMENT DES ÉLÉMENTS D’UNE ALIMENTATION À DÉCOUPAGE Page 7-8 Figure 7-6 : Elément de base pour la création d’une inductance ou d’un transformateur 7.3.3.1 Paramètres dimensionnels pour les enroulements Si le courant traversant les enroulements constituants des inductances ou des transformateurs « haute » fréquence est alternatif, le courant a tendance à circuler à la périphérie du conducteur, dans une zone caractérisée par son épaisseur, appelée épaisseur de peau. Une valeur couramment admise pour l’épaisseur de peau est donnée par : ep = ρ πμ0 f 7.8 Pour un fil de cuivre e p ≅ 70 f [mm ] , si l’on souhaite utiliser de façon correcte le conducteur, il ne faut pas que son rayon excède l’épaisseur de peau. On peut alors calculer pour différentes fréquences l’intensité maximale admissible dans un fil, en effet la section du fil étant donné par I RMS J 7.9 I RMS [ MAX ] = Jπ e 2p 7.10 S fil = π r 2 = Ce qui signifie que J représente la densité de courant (généralement fixée autour de 5 A/mm²) F [kHz] 5 10 20 50 100 ep [mm] 1.0 0.7 0.5 0.3 0.22 IRMS[MAX] [A] 15 7.5 4 1.5 0.8 Tableau 7-2 : Relation entre fréquence, épaisseur de peau et courants efficaces SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I , 1ÈRE PARTIE CHAPITRE 7 : DIMENSIONNEMENT DES ÉLÉMENTS D’UNE ALIMENTATION À DÉCOUPAGE Page 7-9 Si le courant efficace circulant dans le bobinage est supérieur à ces valeurs limites, il est nécessaire de prévoir l’utilisation de fils divisés (ou fils de litz, fils multi brins dont chaque brin est isolé), de fils méplats ou encore de feuillard. Chaque enroulement occupe une partie de la surface totale de la fenêtre. Emplacement de l’enroulement 1 α1S w Emplacement de α S 2 w l’enroulement 2 { { Surface totale de la fenêtre Sw e tc . Figure 7-7 : Enroulement et remplissage Il existe donc une contrainte sur ces surfaces k ∑α j =1 j 0<αj <1 =1 7.11 Il est impossible de remplir totalement la fenêtre, notamment lorsque le nombre de spires est peu élevé. On définit un coefficient dit de bobinage ou de remplissage (Kbj) pour chaque enroulement j K bj = avec : S cuj S wj Sw Swj αj nj IjRMS Jj SCuj = S cuj α j Sw nj = I j RMS Jj 7.12 α j Sw : surface de la fenêtre pour l’ensemble des enroulements, : surface de la fenêtre de l’enroulement j, : coefficient de contrainte sur la surface de l’enroulement j, : nombre de spires du l’enroulement j (il peut y en avoir plusieurs dans le cas de transformateur ou d’inductances couplées), : courant efficace de l’enroulement j considéré, : densité de courant dans l’enroulement j, : section du fil de l’enroulement j. Le facteur de remplissage Kbj est dépendant de plusieurs paramètres. On citera notamment : − Pour des conducteurs ronds, le coefficient de remplissage Kbj varie entre 0.7 et 0.55. La valeur dépend de la technique de bobinage utilisée. − L’épaisseur de l’isolant autour du conducteur provoque une diminution de Kbj de 65% à 95% selon le diamètre et le type d’isolant. Le corps de la bobine supporte les enroulements. Les dimensions données permettant de définir la section de la fenêtre (Sw) et par conséquent la surface totale prévue pour l’ensemble des enroulements. SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I , 1ÈRE PARTIE CHAPITRE 7 : DIMENSIONNEMENT DES ÉLÉMENTS D’UNE ALIMENTATION À DÉCOUPAGE 1.2 9.25 max. 7.9 max. 4.5 6.5 Page 7-10 3.2 min. 12.7 6.35 max. min. 7.6 CBW006 SW Surface de bobinage Largeur de bobinage (mm 2) (mm) (mm) 15.4 6.5 32.0 lm Longueur moyenne d’une spire Figure 7-8 : Caractéristique du corps de bobine 7.3.3.2 Paramètres dimensionnels pour le circuit magnétique Un circuit magnétique quelconque est défini à partir des grandeurs suivantes : Sw Sf B H δ N : surface prévue pour loger les enroulements, : sections du circuit magnétique, : champ d’induction magnétique, : champ d’excitation magnétique, : épaisseur de l’entrefer dans le cas d’une inductance, : nombre de spires. Sw S f2 δ Sf1=Sδ Sf3 Figure 7-9 : Réponse ne fréquence d’un condensateur La géométrie du circuit magnétique est réalisée de manière à avoir une amplitude du champ d’induction B constante dans tout le matériau. Les grandeurs équivalentes données par les fabricants sont les suivantes : − Ae : surface équivalente du circuit magnétique, − le : longueur équivalente du circuit magnétique, − Ve : volume équivalent du circuit magnétique, SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I , 1ÈRE PARTIE CHAPITRE 7 : DIMENSIONNEMENT DES ÉLÉMENTS D’UNE ALIMENTATION À DÉCOUPAGE − μe Page 7-11 : perméabilité équivalente du circuit magnétique. La reluctance équivalente du circuit magnétique est donnée par la relation ℜe = le μ0 μ e Ae 1 7.13 Plus formellement, pour un circuit magnétique non uniforme ℜe = 1 1 l μ0 μ e ∑A 7.14 L’inductance propre à un enroulement j est alors être déterminée selon la relation Lj = n 2j ℜe = μ0 n 2j 1 7.15 l ∑A μe La surface équivalente est utilisée pour déterminer le flux dans le circuit magnétique provoqué par un courant ij circulant dans l’enroulement j. Bj = φj Ae = ψj n j Ae = L ji j nj = μ0 n j Ae l ∑ μe A ij = μ0 μ e n j le ij 7.16 Le dernier terme de la relation 7.16 ne représente rien d’autre que la loi d’Ampère n j i = H j le = Bj μ0 μe le 7.17 Si la section du circuit magnétique est non uniforme il faut définir l’endroit ou la section est minimum. Cette section est définie comme Amin et est utilisée pour le calcul du champ d’induction magnétique maximum Bmax et par conséquent pour s’assurer que la saturation n’est pas atteinte. C’est aussi aux endroits où la section est minimum que les pertes par hystérésis sont maximums. Pour rendre le calcul de l’inductance encore plus simple, les fabricants donnent un facteur d'inductance du circuit magnétique AL AL = μ0 l ∑ A μe 1 106 [nH ] 7.18 L’inductance est donc définie comme L j = n 2j AL [nH ] 7.19 On peut montrer que l’essentiel de l’énergie est stockée dans l’entrefer. Par définition, l’expression de l’énergie électromagnétique volumique stockée dans un volume V est donnée par la relation : SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I , 1ÈRE PARTIE CHAPITRE 7 : DIMENSIONNEMENT DES ÉLÉMENTS D’UNE ALIMENTATION À DÉCOUPAGE Page 7-12 Wmag = BHV 7.20 Les fabricants de ferrite réalisent, sauf cas spéciaux, leurs circuits magnétiques de telle sorte que le champ d’induction soit constant dans tout le circuit. On peut alors en déduire l’énergie stockée dans la ferrite et l’énergie stockée dans l’entrefer : − dans la ferrite : W f mag = BHV f = 1 B2 1 B2 V f Vf = 2 μ r μ0 2 μ0 μ r 7.21 − dans l’entrefer : Wδ mag = BHVδ = 1 B2 Vδ 2 μ0 7.22 L’énergie magnétique totale s’exprime donc par la relation suivante : Wmag = W f mag + Wδ mag = ⎞ 1 B2 1 B2 ⎛ V f ⎜⎜ + Vδ ⎟⎟ = Ve 2 μ0 ⎝ μ r ⎠ 2 μ0 μ e 7.23 En pratique Vf/μr<<Vδ, ce qui signifie que la majorité de l’énergie magnétique se trouve dans l’entrefer. Les caractéristiques des circuits magnétiques sont données par les fabricants. Un exemple est illustré à la Figure 7-10. La perméabilité équivalente est définie en fonction de l’entrefer sur la partie centrale du circuit magnétique. Valeur Unité Σ(I/A) Facteur géomètrique 1.37 mm-1 Ve Volume équivalent 559 Ie Longueur équivalente 27.7 mm 3 mm Ae Surface équivalente 20.2 mm 2 Amin Surface minimum 20.2 mm 2 m Masse d’un demi circuit 1.4 g Symbole Paramètre AL (nH) μe 12.7 ±0.25 9.5 ±0.25 3.2 ±0.13 Entrefer (μm) 63 ±5% 70 560 100 ±8% 110 310 160 ±8% 175 175 250 ±20% 275 100 315 ±20% 340 75 1950 ±25% 2130 0 Figure 7-10 : Caractéristiques du circuit magnétique SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I , 1ÈRE PARTIE 4.1 ±0.13 6.4 ±0.13 5.7 ±0.13 CHAPITRE 7 : DIMENSIONNEMENT DES ÉLÉMENTS D’UNE ALIMENTATION À DÉCOUPAGE 7.3.4 Dimensionnement d’une inductance 7.3.4.1 Energie maximale stockable dans un circuit magnétique Page 7-13 Par définition, l’énergie magnétique, pour un système linéaire, est définie comme 1 2 1 1 L I MAX = ψ MAX IiMAX = NφMAX I MAX 2 2 2 Wmag MAX = 7.24 En se reportant à la Figure 7-9, on peut déterminer le flux dans l’entrefer φMAX = BMAX S f 7.25 Le courant dans l’enroulement est fonction de la surface totale de cuivre KbSw, du nombre N de spires de l’enroulement et de la densité de courant J 1 K {f I MAX = Kb Sw J N 7.26 Facteur de forme I K f = RMS I MAX Par conséquent W mag MAX = 1 2 1 1 LI MAX = B MAX K b S f S w J 2 2 Kf 7.27 Le terme SfSw est représentatif du volume du circuit magnétique. S f Sw = Kf BMAX K b J 2 LI MAX = I RMS LI MAX BMAX K b J 7.28 Pour être sûr de choisir le bon circuit magnétique, il suffit de sélectionner un pot dans le produit SfSw est légèrement supérieur à celui nécessaire. 7.3.4.2 Procédure de recherche d’un circuit magnétique Pour le dimensionnement d’un circuit magnétique, les grandeurs spécifiées sont les suivantes : ρ IMAX L J Kb BMAX [Ωm] [A] [H] [A/m2] [1] [T] : : : : : : résistivité du conducteur, courant maximum dans l’enroulement, inductance, densité de courant, coefficient de remplissage pour l’enroulement, champ d’induction de saturation. SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I , 1ÈRE PARTIE CHAPITRE 7 : DIMENSIONNEMENT DES ÉLÉMENTS D’UNE ALIMENTATION À DÉCOUPAGE Page 7-14 Nombre de spires de l’enroulement N= SCu J K b S w = S fil I RMS 7.29 Section du circuit magnétique (relation 7.28) Ae = S f = I RMS 1 L I MAX = L I MAX { BMAX K b S w J K b S w J = NI RMS N BMAX 7.30 Perméabilité équivalente du circuit magnétique μe, L doit être donné en [nH], l en [mm] et A en [mm2] μe = L 10−6 l ∑ 2 N μ0 A 7.31 La résistance de l’enroulement est donnée par la relation suivante : ⎛ J Nl J Nlm = ρ ⎜⎜ R=ρ m =ρ SCu I RMS ⎝ I RMS 2 ⎞ ⎛ J ⎟⎟ K b S w lm = ρ ⎜⎜ ⎠ ⎝ I RMS 7.3.5 Dimensionnement d’un transformateur 7.3.5.1 Alimentation Forward ou Push-pull 2 ⎞ ⎟⎟ VCu ⎠ 7.32 Pour un transformateur, la contrainte première est directement liée à la tension aux bornes de l’enroulement primaire et au temps pendant lequel la tension est appliquée. Cette intégrale donne la variation totale de flux dans le circuit magnétique (de la valeur minimum à la valeur maximum). Le champ d’induction magnétique variera de –Bmax à +Bmax ou de 0 à Bmax. Plus généralement on écrit ΔBmax. t2 λ1 = ΔI h1max Lh1 = ∫ u1 (t )dt = ΔBmax n1 Ae t1 Les grandeurs connues lors du dimensionnement du transformateur sont : U1 ΔBMAX UjRMS IjRMS Pj λ1 [V] [T] [V] [A] [W] [Vs] : : : : : : SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I , 1ÈRE PARTIE tension aux bornes de l’enroulement primaire variation maximum du champ d’induction magnétique tension efficace aux bornes de chaque enroulement courant efficace dans chaque enroulement Puissance moyenne de chaque secondaire Produit tension temps appliqué à l’enroulement primaire 7.33 CHAPITRE 7 : DIMENSIONNEMENT DES ÉLÉMENTS D’UNE ALIMENTATION À DÉCOUPAGE Page 7-15 t2 v1(t) λ1 = v1 (t) dt t1 t2 t1 t Figure 7-11 : Intégrale de la tension pour la sélection ou le dimensionnement d’un transformateur De la relation 7.33 on en déduit la section équivalente du fer Ae = λ1 7.34 n1ΔBmax Les nombres de spires des autres enroulements sont donnés par les niveaux des tensions secondaires U U1 U 2 U 3 = = = ... = k n1 n2 n3 nk 7.35 La section du fils de chaque enroulement dépend du courant efficace et de la densité de courant. En supposant que la densité de courant est la même pour chaque enroulement (J=Jj), on peut écrire S Cuj = I j RMS 7.36 J La section totale du cuivre, prend donc la forme suivante : k k n j I j RMS j =1 j =1 J SCu = ∑ n j SCuj = ∑ = n1 U1 RMS k U j RMS I j RMS j =1 J ∑ = n1 U1RMS k Pj ∑J 7.37 j =1 Connaissant la surface totale de cuivre, il est possible de déterminer, à l’aide du coefficient de remplissage, la surface de la fenêtre pour l’ensemble des enroulements. En supposant un coefficient de remplissage identique pour tous les enroulements SW = K b SCu = K b n1 U 1 RMS k Pj ∑J 7.38 j =1 Le choix d’un circuit magnétique et le corps de bobine adapté est obtenu par le produit des surfaces de la fenêtre SW et du fer Sf. SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I , 1ÈRE PARTIE CHAPITRE 7 : DIMENSIONNEMENT DES ÉLÉMENTS D’UNE ALIMENTATION À DÉCOUPAGE S f SW = Ae SW = K b λ1 Pj k U1 RMS ΔBmax Page 7-16 ∑J 7.39 j =1 Une fois le circuit magnétique sélectionné, On peut déterminer le nombre de spires de l’enroulement primaire n1 puis le nombre de spires n2, n3, …de chaque secondaires. n1 = λ1 7.40 ΔBmax Ae L’inductance magnétisante au primaire L1h est directement dépendante du nombre de spires de l’enroulement et de L j = n 2j AL [nH ] 7.41 Pour une alimentation Flyback, le circuit magnétique sélectionné présente un entrefer dans lequel est stocké la majeure partie de l’énergie magnétique. L’inductance est donc la plus petite possible (voir relation 7.24). Pour l’alimentation Forward, le transfert d’énergie est direct. Dans ce cas il faut minimiser l’énergie magnétique en supprimant tout entrefer et par conséquent en choisissant l’inductance magnétisante maximale. La répartition des surfaces de cuivre pour chaque enroulement est définie par αm = nm I m RMS k ∑n I j =1 j = j RMS U m RMS I m RMS k ∑U j =1 j RMS = I j RMS Pm Ptot 7.42 et finalement, la résistance de l’enroulement j est donnée par la relation suivante : Rj = ρ 7.3.5.2 n j le j S Cuj =ρ J n j lej I j RMS ⎛ J = ρ⎜ ⎜Ij ⎝ RMS 2 ⎛ ⎞ ⎟ K bα j S w lej = ρ ⎜ J ⎜Ij ⎟ ⎝ RMS ⎠ 2 ⎞ ⎟ α jVCu ⎟ ⎠ 7.43 Alimentation Flyback La Figure 7-12 illustre le cas d’une alimentation flyback générale. L’enroulement primaire (indice 1) est connecté à une source de tension et à un transistor permettant la mise sous tension de l’enroulement. Les enroulements secondaires (indices 2 à k) permettent la création de tensions continues (DC) séparées galvaniquement les une des autres. L’enroulement (indice 0) sert d’organe de mesure des tensions de sorties. SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I , 1ÈRE PARTIE CHAPITRE 7 : DIMENSIONNEMENT DES ÉLÉMENTS D’UNE ALIMENTATION À DÉCOUPAGE Page 7-17 ID2 GND(PWR) V2 (P2) V3 (P3) Vk (Pk) (mesure 0mW) V0 ID3 Vm I1 (P1) V1 IDk GND(PWR) GND(PWR) Figure 7-12 : Alimentation flyback Pour une alimentation flyback, deux modes de fonctionnement existent. En transfert total d’énergie (mode intermittent) il y a extinction du courant magnétisant à chaque période de commutation. Dans ce cas le calcul est identique à celui des alimentations Forward et Push-pull. Par contre en transfert d’énergie partiel (conduction continue) le courant magnétisant ih(t) ne s’annule pas. On se trouve dans une situation identique à celle du calcul d’une inductance. La Figure 7-13 donne la forme du courant au primaire et le courant magnétisant lors du transfert partiel d’énergie. ⎧Q : ON ⇒ = i1 (t ) ⎪ N ih (t ) = ⎨ nk Q OFF ⇒ = : ik (t ) ∑ ⎪ k = 2 n1 ⎩ 7.44 N nk ∑n k =2 Courant (magnétisant) au primaire (Q : ON) ik (t ) 1 Courant magnétisant (Q=OFF) Figure 7-13 : Courant magnétisant dans le transformateur En général, les paramètres d’entrée d’une alimentation flyback sont les suivants : V1MAX V1NOM V1MIN Vk [V] [V] [V] [V] : : : : tension continue minimum au primaire tension continue nominale au primaire tension continue maximum au primaire tension continue nominale sur chaque secondaire SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I , 1ÈRE PARTIE CHAPITRE 7 : DIMENSIONNEMENT DES ÉLÉMENTS D’UNE ALIMENTATION À DÉCOUPAGE Pk η J Kb BDC BAC F [W] [%] [A/m2] [1] [T] [T] [Hz] : : : : : : : Page 7-18 puissance maximum sur chaque secondaire rendement du transformateur densité de courant dans les conducteurs primaires et secondaires coefficient de remplissage pour les enroulements, champ d’induction continu (valeur moyenne) champ d’induction alternatif (valeur moyenne nulle) Fréquence de commutation La fonction de conversion en transfert partiel d’énergie (conduction continue) est donnée par la relation ci-dessous : Vk nk D = V1 n1 1 − D 7.45 où k représente le kème enroulement secondaire. Le courant moyen au primaire lorsque le transistor est enclenché (Q : ON) dépend du rapport cyclique. I1 = DI h 7.46 Les courants dans les enroulements secondaires ne circulent que lorsque le transistor est déclenché (Q : OFF). N nk ∑n I k =1 Dk = Ih 7.47 1 ou encore I Dk = 1 1 Pk Ik = 1− D 1 − D Vk 7.48 Les courants efficaces circulant dans les k enroulements peuvent être calculés en fonction des paramètres d’entrée de l’alimentation flyback. N Pk ∑ I1 P1 1 ⎛ ΔI h ⎞ k =2 ⎟ ≅ Ih D = D 1 + ⎜⎜ D = D 12 ⎝ I h ⎟⎠ V1 D ηV1 D 2 I RMS 1 = I h 7.49 Pour les enroulements secondaires I RMS Dk = I Dk 1 ⎛ ΔI 1 − D 1 + ⎜⎜ k 12 ⎝ I Dk 2 ⎞ I Pk ⎟⎟ ≅ I Dk 1 − D = k 1 − D = 1− D Vk 1 − D ⎠ 7.50 Le champ d’induction magnétique dans le matériau magnétique peut être décomposé en deux parties, soit une grandeur continue BDC et une partie alternative (valeur moyenne nulle) BAC. SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I , 1ÈRE PARTIE CHAPITRE 7 : DIMENSIONNEMENT DES ÉLÉMENTS D’UNE ALIMENTATION À DÉCOUPAGE Page 7-19 Figure 7-14 : Champ d’induction magnétique dans le transformateur t + DT p ∫ v (t )dt 1 BAC = t n1 Ae = V1DTP V DT ⇒ n1 = 1 P n1 Ae BAC Ae 7.51 La partie AC du champ d’induction magnétique va permettre de définir le nombre de spires au primaire. En effet BAC, pour un matériau magnétique en ferrite, est généralement compris entre 50mT et 100mT. n1 = Vin DTP BAC Ae 7.52 La partie DC du champ d’induction magnétique va permettre de définir, pour un circuit magnétique donné, la valeur de l’entrefer donné sous la forme d’une perméabilité équivalente μe. Pour de la ferrite, la valeur usuelle du champ d’induction magnétique DC est de l’ordre de 200mT. BDC = μe le n1I h = μe le N ∑ nk I Dk = k =1 μe le N ∑n k =1 k 1 Pk 1 − D Vk 7.53 On a donc pour μe μe = BDC le = n1I h BDC l 1 Pk e nk ∑ 1 − D Vk k =1 N 7.54 La surface totale de cuivre (primaire + secondaire) est donnée par la relation N SCu = ∑ SCu k = n1 k =1 I I RMS 1 N + ∑ nk RMS Dk J J k =2 ⎛ N ⎞ ⎜ ∑ Pk ⎟ N n1 ⎜ k = 2 nk Pk ⎟ = +∑ J ⎜ ηV1 D k = 2 n1 Vk 1 − D ⎟ ⎜ ⎟ ⎝ ⎠ Le nombre de spires au primaire n’est pas connu. En utilisant la relation 7.52 SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I , 1ÈRE PARTIE 7.55 CHAPITRE 7 : DIMENSIONNEMENT DES ÉLÉMENTS D’UNE ALIMENTATION À DÉCOUPAGE SCu Page 7-20 ⎛ N ⎞ ⎜ ∑ Pk ⎟ N V1DTP ⎜ k = 2 nk Pk ⎟ = +∑ ⎜ JBAC Ae ηV1 D k = 2 n1 Vk 1 − D ⎟ ⎜ ⎟ ⎝ ⎠ 7.56 La surface de la fenêtre nécessaire pour les enroulements est proportionnelle à la surface active totale de cuivre et inversement proportionnelle au facteur de remplissage. On peur donc écrire Aw = SCu Kb 7.57 et finalement on peut déterminer le produit AwAe ⎛ N ⎞ ⎜ ∑ Pk ⎟ N V1DTP ⎜ k =2 nk Pk ⎟ = TP +∑ Aw Ae = K b JBAC ⎜ ηV1 D k = 2 n1 Vk 1 − D ⎟ K b JBAC ⎜ ⎟ ⎝ ⎠ ⎛ D N ∑ P ⎜⎜ k =2 k ⎝ η + D ⎞ ⎟ 1 − D ⎟⎠ 7.58 En fixant l’amplitude AC du champ d’induction magnétique BAC, de la relation 7.58 il est possible d’extraire le produit AwAe. Enfin, le produit AwAe permet de déterminer le type de circuit magnétique. Une fois le type de circuit magnétique choisi et par conséquent Ae et le connu, le nombre de spires n1 au primaire peut être déterminé à l’aide de la relation 7.52. Il est à définir la perméabilité équivalente, en d’autre terme la valeur de l’entrefer à partir de la relation 7.54. L’ensemble des autres paramètres dimensionnels sont ensuite faciles à calculer. SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I , 1ÈRE PARTIE CHAPITRE 7 : DIMENSIONNEMENT DES ÉLÉMENTS D’UNE ALIMENTATION À DÉCOUPAGE Page 7-21 7.4 LES SEMICONDUCTEURS DE PUISSANCE Les alimentations à découpage sont constituées, pour la partie puissance, de un ou plusieurs semiconducteurs. Les uns sont commandés (transistors) les autres sont à ouverture spontanée (diode) 7.4.1 Les MOFSET 7.4.1.1 Grandeurs nominales de sélection. Dans le but de facilité la sélection d'un composant, trois paramètres et une brève description du composant sont mises en évidence. Figure 7-15 : Description générale 7.4.1.2 Tension Drain-Source : UDS. La valeur UDS@TJmax est donnée pour une tension UGS nulle (court-circuit). Cette valeur est indicative car cette tension diminue fortement avec la température de jonction TJ. 7.4.1.3 Résistance Drain-Source à l'état passant: RDSON. RDSON est une valeur typique, les conditions de mesure ne sont pas données 7.4.1.4 Courant de Drain en DC : ID. Le courant de Drain ID est également une indication. En principe cette valeur est donnée pour une température de boîtier de TC=25°C. 7.4.1.5 Référence sur les caractéristiques des MOSFET Pour plus de renseignement sur les caractéristiques des diodes de puissance voir cours d’électronique de puissances : chapitre 7 : LE MOSFET http://www.iai.heig-vd.ch/cours.php?cours=ep Chapitre 7 - Les semiconducteurs de puissance, le MOSFET.pdf SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I , 1ÈRE PARTIE CHAPITRE 7 : DIMENSIONNEMENT DES ÉLÉMENTS D’UNE ALIMENTATION À DÉCOUPAGE 7.4.2 Les IGBT 7.4.2.1 Grandeurs nominales et caractéristiques importantes de sélection. Page 7-22 Dans le but de facilité la sélection d'un composant, trois paramètres et une brève description du composant sont mises en évidence. Figure 7-16 : Description générale de l'IGBT 7.4.2.2 Tension Collecteur-Emetteur : VCE. La valeur VCE@TJmax est donnée pour une tension VGE nulle (court-circuit). Contrairement au MOSFET, la tension de claquage est peut dépendante de la température de jonction TJ. 7.4.2.3 Courant de Collecteur en DC : IC. Le courant de Collecteur IC est également une indication. Cette valeur est donnée pour une température de jonction TJ=150°C, soit la température maximum de travail. 7.4.2.4 Tension Collecteur-Emetteur en conduction VCE(sat). Par la nature même de l'IGBT, cette tension VCE(sat) est fortement dépendante du courant de Collecteur. Sa dépendance en fonction de la température est faible. 7.4.2.5 Référence sur les caractéristiques des IGBT Pour plus de renseignement sur les caractéristiques des diodes de puissance voir cours d’électronique de puissances : chapitre 8 : L’IGBT http://www.iai.heig-vd.ch/cours.php?cours=ep Chapitre 8 - Les semiconducteurs de puissance, l'IGBT.pdf SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I , 1ÈRE PARTIE CHAPITRE 7 : DIMENSIONNEMENT DES ÉLÉMENTS D’UNE ALIMENTATION À DÉCOUPAGE 7.4.3 Page 7-23 Les diodes A partir de la topologie de l’alimentation, il est relativement simple de déterminer les courants moyens, efficaces et maximum circulant dans les diodes. Il en est de même pour les tensions aux bornes de chacune des diodes. Les diodes doivent commutés très rapidement, il faut donc les choisir dans la catégorie « ultrafast ». La charge de recouvrement doit être aussi faible que possible. 7.4.3.1 Grandeurs nominales et caractéristiques importantes de sélection. Dans le but de facilité la sélection d'un composant, les paramètres principaux et une brève description du composant sont mises en évidence. Figure 7-17 : Description générale de la diode Ces données sont insuffisantes pour la sélection définitive d'un composant. La description s'apparente plus à du marketing qu'à de la technique, néanmoins il est possible avec un peu d'habitude de définir à quelle catégorie appartient le composant et d'en faire une rapide comparaison avec les autres fabricants. 7.4.3.2 Courant moyen dans le sens direct : IF(AV). Il s'agit ici du courant moyen (DC) admissible dans la diode en relation avec la puissance dissipée correspondante permettant de rester, sous certaines conditions, dans l'aire de sécurité. 7.4.3.3 Tenue en tension inverse : VRRM. Cette tension correspond à la limite de la tenue en tension d'une diode polarisée en inverse avant l'apparition du phénomène d'avalanche due à une ionisation par impact. 7.4.3.4 Temps de recouvrement trr. La valeur donnée par le temps de recouvrement permet une rapide estimation du comportement de la diode face aux pertes de commutation. 7.4.3.5 Tension dans le sens direct : VF. La tension de passage dans le sens direct est donnée pour un courant correspondant au courant moyen IF(AV). 7.4.3.6 Référence sur les caractéristiques des DIODES Pour plus de renseignement sur les caractéristiques des diodes de puissance voir cours d’électronique de puissances : chapitre 6 : LA DIODE http://www.iai.heig-vd.ch/cours.php?cours=ep Chapitre 6 - Les semiconducteurs de puissance, la diode.pd SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I , 1ÈRE PARTIE