TP N°2 PROJECTEUR DE DIAPOSITIVESR

TP N°2
PROJECTEUR DE DIAPOSITIVESR
PRE-REQUIS
OBJECTIFS
SAVOIR :
•
SAVOIR :
• Valider par le calcul et la mesure, les
performances des fonctions
électroniques.
• Analyser les relations entre les sousensembles.
• Utiliser un logiciel de Simulation afin
de valider le fonctionnement d’une
structure a base de transistor
Principe du transistor NPN ,PNP
SAVOIR-FAIRE :
• Utiliser un banc de mesures.
SAVOIR-FAIRE :
•
•
•
Mettre en œuvre un transistor en
commutation
Vérifier les caractéristiques du
transistor en utilisant un logiciel de
simulation.
Interpréter les résultats de la
simulation
Observations
Chronologie
Moyens mis en œuvre
Durée 2H
•
•
•
•
•
Analyse
fonctionnelle
Simulation du
fonctionnement du •
transistor
•
Mettre en œuvre
un transistor en
commutation
Doc transistor
Documentation sur le
logiciel de simulation
en électronique
(internet)
Mallette de simulation
Ordinateur+Logiciel de
simulation électronique
(ORCAD9) .
page 1/7
Evaluations :
•
•
•
•
•
Autonomie de l’élève.
Lecture de la documentation.
Relevés des mesures.
Interprétations.
Conclusions Réflexions.
1 SCHEMA STRUCTUREL DE LA FONCTION A212 : TRAITER L'INFORMATION
• La structure permettant la commande du moteur à courant continu s'appelle un pont en H.
D'après la documentation technique sur les transistor, préciser la nature des différents transistors
bipolaires Tr1,..,Tr4.
Le pont en H doit permettre la commande du moteur afin que celui-ci puisse tourner dans 2 sens différents
ceci afin d’obtenir le positionnement correct de la diapositive.
1. Préciser quels sont les transistors qui sont commandés dans le SENS 1 (le courant entre par la borne
+ et sort par la borne-) ? et ceux qui sont commandés dans le SENS2 ?
2. Lorsque les deux comparateurs fournissent à leur sortie 0V que se passe-t-il au niveau du moteur ?
2 SIMULATION
•
On se propose à l'aide
du logiciel de simulation
sous ORCAD9 de
relever le réseau de
caractéristique d'un
transistor NPN 2N2222.
Q1
V1
10
Q2N2222
0
I1
1m
1. Ouvrir le projet tp2.opj
0
page 2/7
0
2. Placer un marqueur d’intensité sur le collecteur de Q1.
Vérifier les paramètres du fichier de simulation
(menu PSPICE➴ edit simulation settings)
3. Vérifier la fenêtre de simulation qu’elle corresponde a l’exemple représenté a droite.
Analyse DC
Primary sweep (voltage
source : V1)
Linear source 0 à 15
increment 0.5)
4. ensuite sélectionner
secondary sweep et vérifier
que la fenetre corresponde
a celle représentée a droite .
5. Tout est enfin prêt pour tracer
la caractéristique IC=f(VCE) à
Ib=cst. Lancer la simulation. il
apparaît alors Ic=f(VCE) pour
ib=cst. (Ib variant de 0 à 1mA
par incrément de 0.1mA).
6. Si Ic=68.8mA et VCE=4V
quelle est alors la valeur
correspondante de Ib ?
7. On se propose de tracer la caractéristique IC=f(Ib) pour 3 valeurs de la température(10°,25°,70°).
Placer le marqueur d'intensité permettant de sélectionner IC.
8. Configurer les paramètres de simulation comme présenté à droite.
page 3/7
9. Lancer la simulation. Que remarquez vous?
10. Tracer aussi la
caractéristique Vbe=f(Ib) a
10°,25°70°, pour cela enlever le marqueur d'intensité et placer un marqueur de tension sur le signal
Vbe. Donner à 25°C la valeur de vbe correspondant à IC=68.8mA?
3 MISE EN ŒUVRE D'UN TRANSISTOR NPN
2N2222
On veut faire fonctionner ce transistor en commutation.
Rc
Q2N2222
VDC
Rb
GBF
page 4/7
(les
Matériel nécessaire :
Un GBF générant un carré 0, 5V (F=100KHz)
Une alimentation continue réglée à VDC=10V
Un oscilloscope pour visualiser les signaux
Un transistor 2N2222 et 2 résistances
1 mallette de simulation pour servir de support de réalisation du montage
connexions restent ainsi aisées).
On donne Rc=100Ω
1. Tracer sur les caractéristiques obtenues en simulation la droite de charge Ic =
VDC − Vce
Rc
Préciser sur cette caractéristique les paramètres du point de fonctionnement correspondant au début de la
saturation a 25°C (ibsat,icsat,vcesat,vbesat)
2. On se fixe Ib=1mA Sachant que le signal d'entrée est un signal carré compatible TTL (c'est à dire
Vemax=5V et Vemin=0). Déterminer la valeur de Rb qui permet d’obtenir la saturation du transistor.
3. Réaliser le montage représenté ci-dessus (Rc=100Ω et RB=valeur calculée) .La brochage du
transistor vous est donné document page 6/6
4. Relever à l'aide de l'oscilloscope le signal Ve et Vs en concordance de temps. Déduire de vos
mesures les paramètres dynamiques du transistor (Ton et Toff)
5. Donner à RB la valeur 40*RB refaire la mesure précédente. Conclusion (saturation du
transistor) ?
page 5/7
page 6/7
page 7/7