Session 1972 - Première Partie - Deuxième Problème
+
1. Le transistor T, utilisé dans le montage représenté sur la
R2
figure 1, est défini par ses paramètres en montage émetteur
C
i
iB
e
commun :
T
B
h11 = 1200 , h21 = 100, h12 = 0, h22 = 0.
E
Vcc
RG
Pour le point de repos choisi, on a relevé les valeurs suivantes :
Ic = 4 mA, VCE = 3 V, VBE = 0,7 V.
R1
ve
Le montage est alimenté sous une tension continue VCC de 9 V.
RE
RL
vs
eG
Le générateur G dont la f.é.m. est sinusoïdale présente une
résistance interne RG = 13 k et il fournit un courant dont
l'intensité instantanée sera appelée ie. L'influence des
figure 1
condensateurs est supposée négligeable à la fréquence de
fonctionnement.
1.1. Calculer RE et tracer les droites de charge en continu et en alternatif sur le même
graphique IC(VCE) lorsque RL est égale à 750 . On négligera l'intensité IB du courant de base de
repos devant IC.
1.2. R1 = 100 k. Déterminer R2 en admettant que l'on ait : IC = 100 IB.
V
V
1.3. Calculer la résistance d'entrée du montage re  e et la résistance d'entrée re1  e pour
IB
Ie
le générateur G. Comparer la valeur de re1 à celle de Rg.
1.4. Calculer la valeur de la résistance de sortie du montage vue des bornes de la charge RL.
V
1.5. Déterminer l'amplification en tension A V  S .
Ve
2. Le transistor T est associé au transistor T’ dans le
montage dont le schéma est représenté sur la figure 2.
Les paramètres du transistor T' ont les valeurs
suivantes :
h'11 = 400, h'21 = 49, h'12 = O, h'22 = 0.
+
R3
i'B
ie
T'
C
T
RG
E
Les paramètres du transistor T ont les mêmes
valeurs qu'au paragraphe précédent.
eG
ve
RE
On donne :
R3 = 700 k, RE = 1,5 k, RL = 750 .
2.1. Calculer les résistances d'entrée r ' e 
RL
vs
-
figure 2
Ve
V
et r ' e1  e .
I' B
Ie
Quel est l'intérêt du montage ?
2.2. Calculer l'amplification en tension A' V 
Vcc
VS
.
Ve