UAS-ESIET: Ecole Supérieure privée d’Ingénieures et des Etudes Technologiques Enseignante : Mme. Dhekra ESSAIDANI ASSEKRA Electronique 1 - 1ère Ingénieur TD 3 Transistor bipolaire en régime statique ou de polarisation Exercice 1 Un transistor NPN au silicium est polarisé par pont de base selon le schéma ci-dessous. On donne β 100 , Vcc 10V , VCE0 = 5V, IC0 1mA, VBE0 0.7V et IR1 = 10 IB0 et RC = 4 RE. 1. Calculer les éléments de polarisation. 2. Déterminer l’équation de la droite d’attaque. Tracer cette droite 3. Déterminer l’équation de la droite de charge statique. Tracer cette droite Exercice 2 Le transistor dans le montage ci-contre travaille en régime de commutation : 1. Déterminer le courant de saturation ICsat. 2. Quelle est la valeur de IBs nécessaire pour produire la saturation. UAS-ESIET: Ecole Supérieure privée d’Ingénieures et des Etudes Technologiques Enseignante : Mme. Dhekra ESSAIDANI ASSEKRA Electronique 1 - 1ère Ingénieur 3. Quelle est la valeur minimale de Ve nécessaire pour produire la saturation On donne : β 150 , Vcc 5V , RB 1MΩ , RC 10 kΩ, VBE0 0.7V. Exercice 3 Un transistor NPN au silicium est utilisé dans le montage suivant : On donne β 120 , EC = 12V, VBE 0.7V, RB 50 kΩ , RC 1kΩ . La FEM EB croit lentement de -5V à +15V. 1. Déterminer à partir de quelles valeurs de EB le transistor cesse d’être bloqué, puis le transistor commence à être saturé. 2. Construire les graphes de IC = f (EB) et VCE = f (EB)