Méthodes expérimentales de la physique Microscopie électronique 3. Microscopie électronique à balayage Jean-Marc Bonard [email protected] Année académique 08-09 3.1. Introduction Flocon de neige, Cryomicroscopie (-170°C) http://www.anri.barc.usda.gov/emusnow/Magnification/Magnification.htm http://remf.dartmouth.edu/images/botanicalPollenSEM/ SEM - pollen Microscope à balayage ! Caractéristiques " Effet “3D”, images très intuitives à appréhender Canon à électrons Lentilles condenseur Écran # Profondeur de champ # Contraste: l’échantillon semble “éclairé” par une “source de lumière” Diaphragme objectif ! Et en plus… " Contraste/analyse chimique Électronique balayage Déflecteurs " Modes d’imagerie avancés # EBSP, cathodoluminescence, EBIC Lentille objectif " Échantillons isolants, hydratés # Basse tension, !scope environnemental, cryo!scopie… Doc Philips Echantillon Détecteur(s) Chambre Schéma A. Hessler-Wyser " Grandissement > 1000x (limite !scopie optique) FIB (Focused Ion Beam) ! SEM avec source ionique " Imagerie avec électrons secondaires ! Permet de modifier la surface (ablation, déposition) avec une haute résolution (<10 nm) " Nanofabrication par décomposition de gaz organométalliques " Attaque sélective en présence de Cl, I… " Préparation de lames minces pour le TEM Partie mémoire d’un circuit intégré http://www.fibics.com http://www.semguy.com/gallery.html 3.2. Formation d’image Interactions électron-matière ! SEM " Énergie 1…30 keV " Échantillon massif ! Interactions élastiques " Électrons primaires rétrodiffusés ! Interactions inélastiques " Électrons “secondaires” # Électrons issus d’une ionisation s’échappent de l’échantillon " Plasmons (<10 eV), phonons (1-100 meV) " Électrons Auger " Rayons X " Dans les semi-conducteurs: paires électron-trou Contraste ! Sources de contraste principales " Électrons rétrodiffusés # Électrons du faisceau éjectés de l’échantillon après une ou plusieurs collisions élastiques ou inélastiques " Électrons secondaires # Électrons arrachés à l’échantillon par les électrons du faisceau # Énergie faible < 50 eV # Libre parcours moyen ! très faible (qq nm) # Principalement émis au point d’impact # …mais également lors de l’éjection d’électrons rétrodiffusés! Electrons secondaires SE Electrons rétrodiffusés BSE Electrons Auger Détecteurs ! Configuration traditionnelle " Détecteur électrons rétrodiffusés # Placé sous la lentille objectif # Capte les électrons rétrodiffusés à ~150…180° Détecteur électrons rétrodiffusés Détecteur électrons Échantillon secondaires # En général, diode p-i-n " Détecteur électrons secondaires # Placé à hauteur de l’échantillon loin de l’axe optique # Détecteur Everhart-Thornley • Grille de collection • Électrons accélérés à 10 keV • Scintillateur: électron $ photons • Photomultiplicateur !%Configurations particulières "%SEM avec lentille objectif “in-lens” #% Échantillon dans le champ magnétique de la lentille #% Détecteur “in-lens” "%SEM environnemental/pression partielle #% Électrons secondaires n’atteignent pas le détecteur traditionnel Contraste I Échantillon poli, surface " faisceau Énergie 5…20 keV ! Contraste " Variation du nombre d’électrons détectés d’un point à l’autre " C = |I(x2)–I(x1)|/I(x1) 0"C"1 BSE ! Taux d’électrons secondaires/ rétrodiffusés dépend de " Composition chimique (densité/ numéro atomique) # Taux augmente avec Z pour électrons rétrodiffusés SE Amalgame Hg, Ag, Cu, Sn, Zn w w w .x r a # Éléments légers seulement pour électrons secondaires Contraste II ! Taux d’électrons secondaires/rétrodiffusés dépend de " Orientation surface faisceau " I(#) # I(#=0)/cos(#) Fracture sur Si www.x-raymicroanalysis.com SE detector SE Contraste III +200V BSE (0V) !Électrons secondaires " Energie faible < 50 eV # Aisément défléchis dans la chambre Détecteur w w w .j e ol u sa .c # Détecteur d’électrons avec grille polarisée à <400V # Facilite la collection des électrons # Nombre d’électrons collectés dépend de l’orientation de la surface par rapport au détecteur! # L’observateur regarde le long de l’axe optique et la “lumière” semble provenir du détecteur… Détecteur " Détecteur “Everhart-Thornley” Effet tension / détection 20 keV, BSE ! C’est le même échantillon! " Papier ! BSE " Contraste chimique fort ! SE " Contraste topographique fort " Beaucoup plus de détails de surface, à cause de la faible énergie des électrons incidents 3 keV, SE 20 !m www.smt.zeiss.com Profondeur de champ I ! Profondeur de champ " Zone de part et d’autre du plan de mise au point où l’image est encore “nette” http://micro.magnet.fsu.edu/ " SEM: distance // à l’axe optique sur laquelle le Ø du faisceau est inférieur à la taille d’un pixel filament de lampe "spot" Profondeur de champ II ! Nettement supérieure en SEM qu’en !scopie optique " Angle de convergence bcp plus faible (typ. 1 mrad & 1 rad) " Conditions d’imagerie “haute résolution” # Faisceau fortement convergent # Petite distance de travail # “Faible” profondeur de champ " Compromis entre profondeur de champ et résolution P.-A. Buffat Effets de charge ! Échantillon isolant Sous vide Papier " Électrons ne sont pas évacués?! " Accumulation de charge # Perturbe les électrons secondaires www.x-raymicroanalysis.com # Perturbe le faisceau incident 20 !m Air, 40 Pa " Solutions # Dépôt d’une fine couche conductrice # Basse énergie des électrons (~1 keV) # Pression partielle www.smt.zeiss.com Microscope “environnemental” ! Pression partielle à l’intérieur de la chambre (typ. 100 Pa) " Échantillons isolants / hydratés " Diaphragmes limiteurs de pression multiples (pompage différentiel) ! Pression ' $ libre parcours moyen ( " Perte d’électrons du faisceau " Perte de signal: électrons secondaires! # Détecteur utilise le gaz dans la chambre pour amplifier le signal # Ions positifs vont neutraliser la charge sur la surface www.feicompany.com Microscope “environnemental” II Oxyde formé in-situ sur un alliage Ba-Ag @ 193°C ! Applications " Échantillons isolants ou mauvais conducteurs " Études d’oxydation / corrosion in situ " Échantillons hydratés " Pas d’EDX quantitative Polymère superabsorbant sec et hydraté http://www.egr.msu.edu/cmsc/esem/gallery/ 3.3. Analyse chimique Si + céramique ZrO2/TiC Détecteur EDX Kratos !EDX1400 Soudure Pb/Sn sur fil Cu nickelé Cu Ni Sn Pb Composition chimique ! Transitions dues aux électrons " Électrons de cœur: énergie de liaison caractéristique de l’élément " Excitation/ionisation par particule sonde (photon, électron, ion, …) # Photoélectron # Après désexcitation: photon X, électron Auger, … # Énergie des produits d’interaction caractéristique de l’élément Photoélectron Photon Electron… Photon UV Rayon X Electron Auger 20 Spectroscopie de rayons X: éléments Goldstein et al., “Scanning Electron Microscopy and X-Ray Microanalysis” (Plenum Press, 1992) Spectroscopie de rayons X: analyse qualitative et quantitative ! Analyse qualitative " Éléments présents (à partir du B) " Seuil de détection: ~0.1% ! Analyse quantitative " Quantification à partir des intensités basée sur des modèles " Composition chimique à l’échelle du !m3 " Précision de ~1% (meilleur avec un standard) ! Résolution latérale et en profondeur: ~1 !m " Pas spécifique à la surface Goldstein et al., “Scanning Electron Microscopy and X-Ray Microanalysis” (Plenum Press, 1992) Spectroscopie de rayons X: cartographie ! Électrons secondaires (SE): topographie ! Électrons rétrodiffusés (BSE): contraste chimique sur échantillon poli ! Cartographie élémentaire " Intensité sur l’image = intensité des rayons X émis en un point à l’énergie caractérisdtique d’un élément donné " Permet de visualiser la répartition des éléments sur la zone analysée " Information qualitative " Identification des phases/ matériaux en présence: analyse du spectre en un point donné ! EDS " Spectrométrie résolue en énergie " Détecteur Si(Li) #charges crées (et mesurées) $ énergie du rayon X Tiré de L. Reimer, TEM Détection des rayons X ! WDS " Spectrométrie résolue en longueur d’onde " Cristal monochromateur # LiF ou cristaux synthétiques www.x-raymicroanalysis.com WDS vs EDS S K% EDS WDS ! EDS " Mesure simultanée de toutes les énergies (un rayon X à la fois) Mo L% " Rapide, mais résolution médiocre Mo L& # Superposition de pics, e.g. Mo et S S K& " Utilisé sur (presque) tous les SEMs 2.2 ! WDS " Mesure une longueur d’onde à la fois " Important pour # Résoudre les superpositions de pics # Détecter les éléments trace # Quantifier les éléments légers 2.4 Caractéristique Efficacité de la collection Courant de faisceau Résolution WDS (longueur d’onde) Basse (0.001 sr) Haut (! 10 nA) Bonne (typ. 5-10 eV) Limite de détection Rapidité <0.01% Lent – un seul élément analysé à la fois Aisée Analyse quantitative 2.6 keV EDS (énergie) Moyenne (0.005-0.1 sr) Bas (!0.1 nA) Dépend de l’énergie, typ. < 100 eV Typ. 0.1- 0.5% Rapide – tous éléments analysés simultanément Complexe (modèles pour la déconvolution des pics et le fond) www.x-raymicroanalysis.com Résolution ! Électrons secondaires " Ø émission # Ø faisceau ! Électrons rétrodiffusés " Ø émission # Ø volume d’interaction ! Analyse chimique? " Ø émission? www.x-raymicroanalysis.com " Taille du volume d’interaction? Volume de génération I C Fe ! Dépend " De l’énergie E0 des électrons incidents " Du numéro atomique (de la densité ') " Profondeur moyenne de pénétration: rayon de Grün Rg = 0.0457/' E01.75 Trajectoires # A 10 keV: Fe: 0.32 !m C: 1.75 !m Simulation Monte-Carlo des trajectoires des électrons et de la génération de rayons X http://www.nsknet.or.jp/~kana/soft/sfmenu.html Volume de génération II Rayons X générés 10 keV Source: P.-A. Buffat Eionisation [keV] ! Nomogramme pour déterminer la taille du volume de génération des rayons X Fe ! La génération n’est pas tout… Eel [keV] volume size [µm] density C Source: P.-A. Buffat Volume de génération III ! Comparison de la génération et de l’émission dans WC à 4 et 25 keV " Très forte absorption des lignes K du C 25 keV W C # Faible énergie: coefficient d’absorption plus élevé " 4 keV a l’air plus favorable, mais… # Lignes K et L de beaucoup d’éléments sont à des énergies plus élevées # Microanalyse avec lignes à basse énergie (L et M) peu précise et souvent ambiguë 4 keV W C ! Profondeur sondée " Dépend de l’énergie des électrons et de l’énergie des rayons X Source: P.-A. Buffat Résolution en microanalyse EDX ! Zone d’émission des électrons secondaires: qq nm ! Zone d’émission des rayons X: $ 1!m " Matériaux de basse densité (2 g/cm3) " Matériaux de haute densité (10 g/cm3) " Lignes de basse énergie (" 1keV) " Lignes de haute énergie (" 10keV) " Résolution dépend de # Énergie des électrons incidents # Énergie des rayons X émis # Densité du matériau www.x-raymicroanalysis.com