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Transistor bipolaire
Relations fondamentales
I
c
≈
≈≈
≈ I
o
exp(V
BE
/V
T
) avec V
T
= kT/q
K : constante de Boltzman = 1,38 .10
-23
Watt.seconde / °K
q : charge de l'électron = 1,9 .10
-19
C
T : température absolue en °K à température ambiante (300°K) V
T
≈ 25 mV
I
E
= I
C
+ I
B
I
C
= β
ββ
β I
B
si
β >> 1 I
E
≈ I
C
Transconductance (ou pente)
g
m
= I
C
/V
T
à 300°K
g
m
≈ 40 I
C
(m
A
)
Approximation des petits signaux
On applique une tension base - émetteur de la forme:
V
BE
(t) = V
BE
+
v
be
V
BE
: tension de polarisation (constante)
v
be
:
signal (variable en fonction du temps)
Si
v
be
<< V
T
I
C
(t) ≈
≈≈
≈ I
C
+ (I
C
/V
T
)
v
be
I
C
: Courant de polarisation (constant)
i
c
= (I
C
/V
T
)
v
be
=
g
m
v
be
:
partie signal du courant collecteur
i
c
= β
ββ
β i
b
=
g
m
v
be
L'approximation des petits signaux permet de linéariser le fonctionnement du transistor.
Schéma équivalent (émetteur commun)
V
be
= h
11
i
b
+ h
12
V
ce
i
c
= h
21
i
b
+ h
22
V
ce
Dans la pratique h
12
≈ 0 et on néglige souvent h
22
h
11
est la résistance d'entrée du transistor
h
21
= β est le gain en courant du transistor
Base
Emetteur
Collecteur
Emetteur
1/h22
h12 v2
h11
h21 ib