En considérant que R0 est très grand (c'est le cas, puisque R0 vaut 500k), le courant I0 est “tiré” depuis les deux
émetteurs de T1 et T2, à travers la source de courant. Les deux bases sont au même potentiel. Ainsi, le courant I0 se
répartit équitablement dans T1 et T2. Autrement dit, c'est la source de courant qui polarise T1 et T2.
Ainsi Ic1=Ic2 = I0/2. Les courants de base valent donc I0/(2.β) = 30µA. Pour un transistor, Rg provoque donc une chute
de Rg.Ib0 = 1,5mV. On peut donc dire que chaque base est portée au potentiel 0V. Chaque transistor étant conducteur,
on en déduit Vbe = 0,6V, soit encore VE=-0,6V.
2. Déterminer et calculer la tension de repos en sortie, Vs0.
Le courant dans chaque collecteur vaut 3mA (I0/2). La résistance Rc1 (ou Rc2) voit donc à ses bornes une chute de
tension de I0/2.Rc = 3. 2,2 = 6,4V. La tension recherchée, Vs0 , est donc la tension d'alimentation ôtée de cette chute de
tension : Vs0 = Vcc - I0/2.Rc = 12-6,4 = 5,4V
B- influence de la partie différentielle