Description du schéma
Le procédé de modulation utilise un transistor
PNP en régime de résistance variable. Il est
similaire à celui montré plus haut. L'ensemble
est constitué d'un oscillateur à quartz dont la
fréquence de valeur fixe est comprise dans la
bande CB. Cet oscillateur attaque un
amplificateur H.F. qui est modulé en
amplitude par le biais d'un signal B.F. issu
d'un microphone et amplifié par un
amplificateur B.F. La sortie de l'amplificateur
H.F. alimente l'antenne.
L'amplificateur B.F.
Le schéma de l'amplificateur basse fréquence des
signaux issus du microphone à cristal montre
qu'il est constitué de trois étages. Le premier
étage est un amplificateur source commune
utilisant un transistor 2N3819. L'entrée est
connectée avec un potentiomètre de 1 MΩ: elle
bénéficie d'une forte impédance, ce qui convient
à une utilisation avec un microphone à cristal. La
liaison avec le
deuxième étage est capacitive, elle utilise une capacité de forte valeur de façon à ne pas filtrer
les fréquences les plus basses. Le deuxième étage est un amplificateur émetteur commun qui
fournit une forte amplification en tension. Il utilise un classique 2N2222. La liaison avec le
troisième étage est directe et les tensions de polarisation sont calculées de façon à amener sur
la sortie du dernier étage une tension continue de l'ordre de 6V. Cela permet de délivrer sur la
sortie un signal Crête à Crête maximum de 12V, sans écrêtage. Ce dernier étage est un
amplificateur collecteur commun à faible impédance de sortie. La résistance de 22 kΩ placée
sur la sortie et qui est en liaison directe avec la base du transistor modulateur est calculée de
façon à ce que la conduction de ce transistor soit médiane lorsqu'aucun signal n'est appliqué à
l'entrée microphone.