ELECTRONIQUE DE PUISSANCE 1 - Introduction 2 - Composants passifs condensateur, inductance, transformateur 3 - Composants actifs diode, transistor bipolaire, MOS 4 - Alimentations à découpage comparaison linéaire - découpage convertisseurs de tension sans transformateur convertisseurs de tension avec transformateur 5 - Contrôle et régulation des alim. à découpage - Correction du facteur de puissance 6 - Règles d’implantation (PCB) septembre 2007 U.O. Electronique de Puissance 1 - Introduction But: Prélever de l’énergie sur une source d’entrée (réseau électrique, batterie, ...) La mettre en forme et la transférer vers une charge Conversions possibles: DC - DC DC - AC AC - DC AC - AC (Alimentations à découpage) (Onduleurs) (Redresseurs) (Gradateurs) Contraintes à respecter: - Consommation Pertes dans les composants de puissance à minimiser - Volume Encombrement des dissipateurs (radiateurs) à minimiser - Autonomie des systèmes sur batterie Pertes dans les composants de puissance à minimiser ⇒ Rendement (Pcharge / Pconsommée) doit être optimum septembre 2007 U.O. Electronique de Puissance Comparaison linéaire / commutation Exemple: variation de lumière LINEAIRE COMMUTATION VCC VCC R IB IB ⇒ IC ⇒ Pcharge IC=β.IB R θ.Τ IC P VCC2/R T Psource Pcharge 2 P charge = R × I C P source = V CC × I C Pdissipée VCC/R I C 2 P dissipée = ( VCC × I C ) – R × I C septembre 2007 2 V CC P charge = ------------ × θ R P source = P charge P dissipée = 0 U.O. Electronique de Puissance Electronique linéaire exemple d’une alimentation: un composant (transistor) effectue la régulation en continu entre l’entrée et la sortie Iout Vin Vout P dissipée = V CE × I C = ( V in – V out ) × I out qq. V qq. A ex: Vin = 2 . Vout ⇒ Puissance dissipée = Puissance fournie à la charge Electronique de puissance composants utilisés en commutation (découpage) V BE < V BEon V BE ≥ V BEon Transistor bloqué ⇒ IC = 0 ⇒ Pdissipée = 0 Transistor saturé ⇒ VCE = VCE sat ≈ 0 ⇒ Pdissipée ≈ 0 septembre 2007 ⇒ qq. W U.O. Electronique de Puissance IC VCE t passant Pdissipée ≈ 0 Pdissipée ≠ 0 bloqué Pdissipée = 0 Schématiquement:Transfert d’énergie entrée → sortie en 2 phases 1 - Accumulation d’énergie dans le circuit de puissance 2 - Restitution de cette énergie vers la charge ⇒ 2 types de composants utilisés - composants actifs (commutations); diodes, transistors bipolaires ou MOS, ... - composants passifs (stockage d’énergie) condensateurs, inductances septembre 2007 U.O. Electronique de Puissance 2 - Composants passifs 2-1 - Condensateur IC dV C I C = C × ---------dt VC ⇒ pas de discontinuité de tension aux bornes d’un condensateur • Pendant un intervalle de temps très court: VC VC (inertie de tension) Le sens du courant n’est pas lié au sens d’application de la tension mais au sens de variation de celle-ci. • Puissance moyenne dissipée dans un condensateur parfait = 0 1 2 2 • Energie stockée à un instant t0: E = --- × C × V t0 • Constante de temps d’un circuit R-C: τ = R × C septembre 2007 U.O. Electronique de Puissance 2-2 - Inductance IL dI L V L = L × -------dt VL ⇒ pas de discontinuité de courant dans une inductance • Pendant un intervalle de temps très court: IL IL (inertie de courant) La tension aux bornes n’est pas liée au sens du courant mais au sens de variation de celui-ci. • Puissance moyenne dissipée dans une inductance parfaite = 0 2 1 2 • Energie stockée à un instant t0: E = --- × L × I t0 L R • Constante de temps d’un circuit R-L: τ = --- septembre 2007 U.O. Electronique de Puissance 2-3 - Transformateur • Isolation entrée - sortie Références de potentiel différentes Rôle: • Transformation d’amplitude 2-3-1 Bobine simple (1 enroulement) I V dφ V = N × -----dt φ: flux magnétique (Weber) nombre de spires B: induction magnétique ou densité de flux (Tesla) φ B = --section du S noyau magnétique (m2) H: champ magnétique (Amp . tour / m) B = µ×H perméabilité magnétique (H/m) septembre 2007 φ U.O. Electronique de Puissance Ordres de grandeur: Champ magnétique terrestre près de la surface ⇒ induction = 5 . 10-5 T Electro-aimant ⇒ B = 2 T Perméabilité magnétique de l’air: µ0 = 4π . 10-7 H/m Perméabilité relative: µr = µ / µ0 ≈ 5000 dans les ferrites Calcul du courant dans l’enroulement: ∫ H ⋅ dl = ∑ N i ⋅ I i Théorème d’ampère: C (C : contour fermé) i H I lm: chemin magnétique moyen (m) lignes de champ uniformes dans le matériau: Amp ⋅ tour -------------------------m ⇒ H ⋅ lm = N ⋅ I m tour Amp septembre 2007 U.O. Electronique de Puissance Calcul de l’inductance d’une bobine avec noyau: lm I V S 2 dφ dB dH N ⋅ µ ⋅ S dI V = N ⋅ ------ = N ⋅ S ⋅ ------- = N ⋅ S ⋅ µ ⋅ ------- = ---------------------- ⋅ ----dt dt dt dt lm ⇒ 2 N ⋅µ⋅S L = ---------------------lm (fonction des dimensions du noyau) septembre 2007 U.O. Electronique de Puissance 2-3-2 Transformateur (2 enroulements et plus) a) Principe de fonctionnement I1 (côté générateur) φ V1 I2 (côté charge) dφ V 1 = N 1 × -----dt dφ V 2 = N 2 × -----dt V2 ⇒ N2 V2 ------ = -----V1 N1 La tension primaire fixe la tension secondaire La tension primaire fixe le flux magnétique Théorème d’Ampère: ( N1 ⋅ I1 ) – ( N2 ⋅ I2 ) = H ⋅ lm septembre 2007 ( ≠0 ) U.O. Electronique de Puissance • Secondaire à vide (I2 = 0) H ⋅ lm I 1 = -------------- = I mag N1 courant magnétisant 2 N 1 ⋅ µ ⋅ S dI mag dB dH dφ V 1 = N 1 ⋅ ------ = N 1 ⋅ S ⋅ ------- = N 1 ⋅ µ ⋅ S ⋅ ------- = ---------------------- ⋅ --------------lm dt dt dt dt self primaire ou self magnétisante • Secondaire en charge (I2 ≠ 0) dφ V 1 = N 1 ⋅ -----dt ⇒ La tension V1 fixe f, donc B = φ/S, donc H = B/µ. Pour V1 donnée, que I2 soit nul ou non, on a le même champ magnétique H. ( N1 ⋅ I 1 ) – ( N 2 ⋅ I2 ) = H ⋅ lm ⇒ Si I2 varie, I1 varie en conséquence pour maintenir l’égalité. N2 ⋅ I2 H ⋅ l m N 2 ⋅ I 2 I 1 = -------------- + ---------------- = I mag + ---------------N1 N1 N1 dépend du champ magnétique et donc de V1 courant utile, dépend de la charge au secondaire (courant qui circulerait au primaire si le secondaire était à vide) septembre 2007 U.O. Electronique de Puissance I1 I2 .(N2/N1) I2 Imag V1 Lmag V2 N2 N1 =V1 .(N2/N1) Le courant secondaire fixe le courant primaire Remarque: dI mag le courant magnétisant est donné par la relation V prim = L mag × --------------dt si Lmag élevée (généralement le cas) ⇒ Imag reste faible ⇒ N 2 I 1 ≈ I 2 ⋅ ------- N 1 N 1 comme V 1 = V 2 ⋅ ------- , ( V 1 ⋅ I 1 ) ≈ ( V 2 ⋅ I 2 ) N 2 autrement dit: P out ≈ P in (mais dans tous les cas, P out < P in ) septembre 2007 charge U.O. Electronique de Puissance b) Schéma équivalent d’un transformateur: R1 I1 R2 Lf 2 Lf 1 I2 Imag Lmag V1 c) N1 V2 Transformation d’impédance: N N = -----2N1 I1 V1 N1 I1 Notation: V1 Z I1 V2 V2 V1 Zeq Z Z eq = -----2 N ⇒ I2 I1 I2 N2 V1 ( V2 ⁄ N ) V2 1 Z eq = ------ = ------------------- = ------ × -----I2 ⋅ N I1 I2 N2 d) N2 secondaire ≡ générateur de tension V1 V2 I2 septembre 2007 (impose V, I dépend de la charge) primaire ≡ charge (V imposée par ailleurs, puissance consommée) U.O. Electronique de Puissance e) Limitations des transformateurs: 1: Hypothèse utilisée précédemment: B = µ × H B En réalité: Vprim Bsat Bsat: induction de saturation (typ. 1T) Br Br: induction résiduelle (typ. 0,1T) H Hc Hc: champ cœrcitif (typ. 10Amp.tour/m) Imag dB ------- ≠ 0 dt V primaire ≠ 0 ⇒ Si B → B sat , dB ------- → 0 dt ⇒ dB V 2 = N 2 ⋅ S ⋅ ------- → 0 dt d’autre part, B↑ ⇒ H et Imag ↑↑↑ ⇒ Iprimaire ↑↑↑ (Magnétisation du noyau) Vu du primaire, un transformateur saturé se comporte comme un court-circuit ⇒ À ÉVITER ABSOLUMENT Il est nécessaire de démagnétiser le noyau après chaque magnétisation afin d’éviter sa saturation. 2: dφ V i = N i ⋅ -----dt ⇒ Il faut garantir la continuité du flux septembre 2007 U.O. Electronique de Puissance 3 - Composants actifs 3-1 - Diode 3-1-1 Grandeurs caractéristiques en statique A P N A ID VD P N- ID N+ IF K K FAIBLE PUISSANCE PUISSANCE VBR VR VD VF VR (REVERSE): Tension inverse bloquée VF (FORWARD): Tension directe VBR (BREAKDOWN): Tension d’avalanche I F: Courant direct IFM ou IFP: Courant max. répétitif septembre 2007 U.O. Electronique de Puissance 3-1-2 Commutation a) Ouverture (commutation ON-OFF) Commande à IREVERSE constant ts: tt: temps de stockage (storage time) évacuation des porteurs minoritaires R1 E – VF -----------------R 1 + R2 +E temps de transition établissement de la zone de dépletion ts + tt = trr IF dépend de ID R2 ts – E' – V F ---------------------R2 t rr t ts tt VD -E’ VF tension inverse diode t – E' ID Commande à dID/dt constant R1 dI D – E' – VF de 0 à ts: --------- = ---------------------dt L L E – VF ---------------R1 REVERSE RECOVERY ts t rr +E t Q R (charge recouvrée) VD -E’ t septembre 2007 U.O. Electronique de Puissance Ouverture fonction de → type de diode ID VD t1 t2 t t1 t2 t0 → IF soft recovery snap off t VRM ID t → dID/dt ID t t2 Energie dissipée durant la commutation: W = t2 ∫ ( VD ⋅ ID ) dt ≈ ∫ ( VD ⋅ ID ) dt = f(QR, E') t0 Compromis sur les divers paramètres: t1 VF largeur zone N- VR QR septembre 2007 VF VR QR U.O. Electronique de Puissance b) Fermeture (commutation OFF-ON) R1 établissement du courant ⇓ L +E concentration de porteurs minoritaires dans la zone centrale croît ID ⇓ RD résistance apparente de la zone centrale décroît t ⇓ FORWARD RECOVERY VD VFP pic de tension (VFP), puis chute de tension ohmique décroît VF t septembre 2007 U.O. Electronique de Puissance 3-2 - Transistor bipolaire 3-2-1 Régime statique C C C IC N saturé N B N+ E FAIBLE PUISSANCE détermine la tenue en tension N- P B V CE I ≈ ------------------C R C min V CE I ≈ -------------------C R C max quasisaturé linéaire N- P B N+ VCE E E PUISSANCE IC VCE 0: tenue en tension pour jonction BE non connectée VCE X: tenue en tension pour VBE négatif VCE 0 VCE X septembre 2007 VCE U.O. Electronique de Puissance 3-2-2 Aire de sécurité (S.O.A. - Safe Operating Area) IC (log) ICM IM 10 50 (1) 1m µs µs s impulsions continu (3) (4) (2) VCE0 VCE (log) (1): courant collecteur maximal (2): tension collecteur-émetteur maximale (3): puissance maximale dissipée (4): second claquage (courant + forte tension VCE ⇒ concentration des lignes de courant sur le pourtour de l’émetteur ⇒ “points chauds” ⇒ emballement thermique) septembre 2007 U.O. Electronique de Puissance 3-2-3 Commutation à la fermeture IB Etablissement du courant: td: delay time t IC tr: rise time (1/10 à 9/10 de IC final) t td tr IB Exemple de commutation: VCC t VCE ID IC VD IB IC Energie dissipée: E ≈ VCC × ICmax × tr × 1/2 tr VCE ID risque de sortie de l’aire de sécurité IC I0 VCC t à minimiser VD t PD tON VCE septembre 2007 t U.O. Electronique de Puissance 3-2-4 Commutation à l’ouverture IB IB1 Extinction du courant: t -IB2 I0 IC ts: storage time f ( IB2 , I0 ) tf: fall time (9/10 à 1/10 de IC initial) t ts tf IB Exemple de commutation: t VCC ID IB VCE IC VD IC Energie dissipée: E ≈ VCC × ICmax x tf x 1/2 tf VCE ID risque de sortie de l’aire de sécurité I0 VCC à minimiser t VD IC t PD tOFF VCE septembre 2007 t U.O. Electronique de Puissance 3-2-5 Réduction du temps de commutation fermeture ouverture IB t IC dispositif anti-saturation VCEmin = VBE t IB > IBsat => tR ↓ (mais attention ICmax ↑) réduction de la quantité de charges à évacuer + IB C V B – VBE ---------------------RA IB V B – V BE ---------------------R A + RB t VB RA RB t septembre 2007 U.O. Electronique de Puissance 3-3 - Circuits d’aide à la commutation (CALCs ou SNUBBERS) Sur charge selfique: - l’établissement du courant se fait à pleine tension - l’établissement de la tension se fait à plein courant • • ⇒ Snubbers ⇒ risque de sortie de l’aire de sécurité pertes augmentent lorsque fréquence augmente (⇒ échauffement du composant) Modification des formes d’onde durant les commutations afin de réduire les pertes 3-3-1 Aide à la commutation pour l’ouverture (ON → OFF) VCC VCE Icharge Icharge ID (VCC +VD) IC IC VCEsat t Icharge IC IB VCE Icharge ICs ID OFF ICs VCC t Principe: ralentir la montée de VCE au blocage septembre 2007 VCE U.O. Electronique de Puissance 3-3-2 Aide à la commutation pour la fermeture (OFF → ON) VCC IC (VCC +VD) Icharge ID Icharge VCE IC D VCEsat t Icharge DS LS QR RS (VCC +VD -VCEsat) VLs ILs Icharge IC IB ON VCC VCE t Principe: ralentir la montée de IC à la mise en conduction septembre 2007 VCE U.O. Electronique de Puissance 4 - Alimentations à découpage 4-1 - Comparaison alimentation linéaire / alimentation à découpage Rendement d’un régulateur linéaire: Iin Iout 7805 (par ex.) Vin I0 (non régulée) P out V out ⋅ I out Rendement: η = ----------- × 100 % = ------------------------- × 100 % P in V in ⋅ I in Idéalement I0 = 0 En pratique: ⇒ Iin = Iout ⇒ V out η = ----------- × 100 % < 100 % V in Vout max = Vin - Vdéchet qq 100mV 2 limitations: η faible Vout < Vin septembre 2007 Vout (régulée) U.O. Electronique de Puissance 4-1-1 Structure avec transistor BALLAST Iout Q1 R1 Q2 Vin Vout R2 VZ R1 + R2 V out = ( V Z + V BE ) × ------------------R 2 Système contre-réactionné classique: Limitations: • Vout ↑ ⇒ VBE2 ↑ ⇒ IC2 ↑ ⇒ IB1 ↓ ⇒ Iout ↓ ⇒ Vout ↓ puissance dissipée dans le transistor: PD = (Vin - Vout) × Iout exemple: Vin = 15V Vout = 10V Iout = 5A • rendement optimal < 100% dans l’exemple précédent: η = 10/15 = 66% idéalement • stabilité en température dépend de la stabilité de la référence septembre 2007 ⇒ PD = 25W U.O. Electronique de Puissance 182 kΩ 60 kΩ septembre 2007 U.O. Electronique de Puissance 4-1-2 Structure Bandgap Vin VREF I1 R1 I2 R2 Q3 Q1 Q2 R3 Tension générée VREF = VBE 3 (cœfficient de température < 0) + R2 × I2 (cœfficient de température > 0) ⇓ cœfficient de température = 0 septembre 2007 U.O. Electronique de Puissance Vin VREF I2 I1 R1 R2 Q3 Q1 Q2 R3 V REF = V BE 3 + ( R 2 × I 2 ) cœfficient de température > 0 cœfficient de température < 0 ≈ - 2,2 mV/°C V BE 1 – V BE 2 I 2 = -------------------------------------R3 ⇒ R2 V REF = V BE 3 + ------ ⋅ ( V BE 1 – V BE 2 ) R3 VBE 1,24V R2.I2 (Tension de bandgap du Si) VBE 3 R3.I2 VBE 1 VBE 2 T° 0°K VREF = VBE 3 + (R2 × I2) = VBG à T° donnée ⇒ VREF = VBG quelle que soit T° septembre 2007 19-0458; Rev 1; 9/96 Low-Cost, Micropower, Precision, 3-Terminal, 1.2V Voltage Reference The MAX6120 is the lowest-power 1.2V, precision, three-terminal voltage reference offered in a SOT23 package. Ideal for 3V battery-powered equipment where power conservation is critical, the MAX6120 is a low-power alternative to existing two-terminal shunt references. Unlike two-terminal references that throw away battery current and require an external series resistor, the MAX6120 has a 70µA maximum supply current (typically only 50µA) that is independent of the input voltage. This feature translates to maximum efficiency at all battery voltages. The MAX6120 operates from a supply voltage as low as 2.4V, and initial accuracy is ±1% for the SOT23 package. Output voltage temperature coefficient is typically only 30ppm/°C, and is guaranteed to be less than 100ppm/°C in the SOT23 package. For a guaranteed output voltage temperature coefficient of less than 50ppm/°C, see the MAX6520 data sheet. ____________________________Features ♦ 3-Pin SOT23 Package ♦ Supply Current Independent of Input Voltage Over Temperature ♦ 50µA Supply Current ♦ 2.4V to 11V Input Voltage Range ♦ 30ppm/°C Typical Tempco (SOT23) ♦ ±1% Initial Accuracy (SOT23) ______________Ordering Information PART MAX6120ESA MAX6120EUR TEMP. RANGE -40°C to +85°C -40°C to +85°C PIN-PACKAGE 8 SO 3 SOT23-3 ________________________Applications Battery-Powered Systems Portable and Hand-Held Equipment Data-Acquisition Systems _________________Pin Configurations Instrumentation and Process Control TOP VIEW VIN 1 __________Typical Operating Circuit MAX6120 3 GND VOUT 2 V+ 2.4V to 11V SOT23 VIN MAX6120 0.1µF VOUT VOUT 1.2V VOUT 1 N.C. 2 N.C. 3 MAX6120 GND 4 8 VIN 7 N.C. 6 N.C. 5 N.C. GND SO 0V ________________________________________________________________ Maxim Integrated Products For free samples & the latest literature: http://www.maxim-ic.com, or phone 1-800-998-8800 1 MAX6120 _______________General Description U.O. Electronique de Puissance 4-2 - Résumé sur les alimentations alimentations linéaires alimentations à découpage Avantages: Avantages: • pas d’ondulation en sortie • simplicité de mise en œuvre • fiabilité • pas de perturbation de l’électronique environnante • bon rendement • bon rapport Puissance / (Volume . Poids) • bonne réponse transitoire aux appels d’énergie • élévation de tension possible (Vout > Vin) • bonne immunité aux perturbations du réseau Inconvénients: Inconvénients: • faible rendement • abaissement de tension uniquement (Vout < Vin) • volume important et poids élevé pour les fortes puissances septembre 2007 • ondulation en sortie • émission de signaux parasites (rayonnement et conduction) • problèmes de Compatibilité ElectroMagnétique U.O. Electronique de Puissance 4-3 - Convertisseurs à découpage sans transformateur Principe de base: V2 V1 V2 V1 R θ×T V2 T V2 = V1 × θ Filtrage de la sortie nécessaire: → capacité en parallèle avec la charge → capacité connectée directement en parallèle avec la source ⇒ courant ∞ à la première fermeture de l’interrupteur ⇒ inductance pour limiter le courant → le courant dans une inductance ne peut être coupé brusquement ⇒ 2nd interrupteur fonctionnant en alternance avec le premier Structure de convertisseur de tension “minimale”: condensateur de filtrage en sortie + combinaison de (2 interrupteurs + 1 inductance) septembre 2007 ⇒ 3 structures de base t U.O. Electronique de Puissance 4-3-1 Convertisseur BUCK IQ VQ L Q Vin ID D VL VD IL Iout + C charge V out ----------- = θ V in Vout VL (Vin - Vout) t -(Vout + VD) IL Iout θ×T T t VQ (Vin + VD) t IQ t VD t -Vin ID t Q passant D bloquée Q bloqué D passante septembre 2007 U.O. Electronique de Puissance Méthode de calcul de la fonction de transfert: ETUDE EN RÉGIME ÉTABLI • Inductances: Fonctionnement répétitif de période en période ⇒ I L(t 0) = I L(t 0 + T) t 1 I L(t) = --- × V L(t) dt L ∫ t0 + T ⇒ 1 --- × L ∫ t0 + T V L(t) dt = 0 ⇒ 1 --- × T t0 ∫ V L(t) dt = 0 t0 0 ⇒ tension moyenne aux bornes d’une inductance = 0 en régime établi NB: si il existe une composante continue sur VL (par ex. >0), le courant IL “dérive” (par ex. ↑) • Condensateurs: Fonctionnement répétitif de période en période ⇒ V C(t 0 ) = V C(t 0 + T ) t 1 V C(t) = ---- × I C(t) dt C ∫ t0 + T ⇒ 1 ---- × C ∫ t0 + T I C(t) dt = 0 t0 ⇒ 1 --- × T ∫ t0 0 ⇒ courant moyen dans un condensateur = 0 en régime établi NB: si il existe une composante continue sur IC (par ex. >0), la tension VC “dérive” (par ex. ↑) septembre 2007 I C(t) dt = 0 U.O. Electronique de Puissance Evolution du courant dans l’inductance à la mise en route (Vout = 0) L IL Iout ID + Vin Vout pente = IL Vin/L (maximale) Iout courant moyen dans l’inductance = constante θ×T T t |pente| = (Vout +VD)/L (minimale) Stabilité du système: Vout ⇒ ⇒ ⇒ Remarque: V in – V out vitesse de croissance de IL ------------------------- ↑ L V out + V D vitesse de décroissance de IL ------------------------- ↓ L IL ↑ ⇒ Iout ↑ et donc Vout ↑ tension moyenne du condensateur = constante montage BUCK = alimentation de type DIRECT (énergie transmise de l’entrée vers la sortie lorsque le transistor est passant) septembre 2007 U.O. Electronique de Puissance 4-3-2 Convertisseur BOOST VL D IL IQ L Vin Q V Q VD Iout ID + C charge V out 1 ----------- = -----------1–θ V in Vout VL Vin t (Vin - Vout - VD) IL θ×T T t VQ (Vout + VD) t IQ t VD t -Vout ID t Q passant D bloquée Q bloqué D passante septembre 2007 19-0227; Rev 2; 5/96 NUAL KIT MA ATION EET H S A EVALU T WS DA FOLLO Regulated 5V Charge-Pump DC-DC Converter ____________________________Features ♦ Regulated 5V ±4% Charge Pump ♦ Output Current Guaranteed over Temperature 20mA (VIN ≥ 2V) 50mA (VIN ≥ 3V) ♦ 2V to 3.6V Input Range ♦ No Inductors; Very Low EMI Noise ♦ Ultra-Small Application Circuit (0.1in2) ♦ Uses Small, Inexpensive Capacitors ♦ 500kHz Internal Oscillator ♦ Logic-Controlled 1µA Max Shutdown Supply Current ♦ Shutdown Disconnects Load from Input ♦ 8-Pin DIP and SO Packages ________________________Applications Two Battery Cells to 5V Conversion _______________Ordering Information PART Local 3V-to-5V Conversion TEMP. RANGE PIN-PACKAGE MAX619CPA 0°C to +70°C 8 Plastic DIP MAX619CSA 0°C to +70°C 8 SO MAX619C/D 0°C to +70°C MAX619EPA -40°C to +85°C 8 Plastic DIP Minimum Component DC-DC Converters MAX619ESA -40°C to +85°C 8 SO Remote Data-Acquisition Systems MAX619MJA -55°C to +125°C 8 CERDIP Portable Instruments & Handy-Terminals Battery-Powered Microprocessor-Based Systems 5V Flash Memory Programmer Compact 5V Op-Amp Supply Dice* * Dice are specified at TA = +25 °C. Regulated 5V Supply from Lithium Backup Battery Switching Drive Voltage for MOSFETs in Low-Voltage Systems __________________Pin Configuration __________Typical Operating Circuit TOP VIEW INPUT 2V to 3.6V 10µF C1+ 1 7 SHDN MAX619 C2+ 4 DIP/SO OUTPUT 5V, 20mA MAX619 ON/OFF SHDN C1+ 6 GND 5 C2- OUT 10µF 8 C1- IN 2 OUT 3 IN C2+ 0.22µF 0.22µF C1- GND C2- ________________________________________________________________ Maxim Integrated Products 1 For free samples & the latest literature: http://www.maxim-ic.com, or phone 1-800-998-8800 MAX619 _______________General Description The MAX619 step-up charge-pump DC-DC converter delivers a regulated 5V ±4% output at 50mA over temperature. The input voltage range is 2V to 3.6V (two battery cells). The complete MAX619 circuit fits into less than 0.1in2 of board space because it requires only four external capacitors: two 0.22µF flying capacitors, and 10µF capacitors at the input and output. Low operating supply current (150µA max) and low shutdown supply current (1µA max) make this device ideal for small, portable, and battery-powered applications. When shut down, the load is disconnected from the input. The MAX619 is available in 8-pin DIP and SO packages. Regulated 5V Charge-Pump DC-DC Converter MAX619 IN C3 10µF MAX619 P IC POWER S1A C2+ * P OUT S2A C4 C2 0.22µF IN S1B C2- VIN/VOUT CONTROL LOGIC S2B C1+ 10µF FB SWITCH CONTROL BUS VREF S1C C1 0.22µF SHDN SD S2C C1S1D GND * SWITCHES SHOWN IN TRIPLER MODE, DISCHARGE CYCLE Figure 1. Block Diagram ________________________________________________________________________________________ 5 U.O. Electronique de Puissance 4-3-3 Convertisseur BUCK-BOOST VQ IQ ID D Iout Q VD Vin L VL IL + C charge V out –θ ----------- = -----------1–θ V in Vout IC VL Vin t (Vout - VD) θ×T IL T t VQ (Vin - Vout + VD) t IQ t VD t Vout - Vin IC charge Iout décharge Q passant D bloquée t Q bloqué D passante septembre 2007 U.O. Electronique de Puissance IL1 L1 VL1 Vin IC1 Q + 4-3-4 Convertisseur SEPIC (Single Ended Primary Inductor Converter) D C1 VC1 VL2 L2 IL2 Iout + C2 VC2 charge V out θ ----------- = -----------1–θ V in Vout IC2 VL1 Vin t -Vout θ×T IL1 T VL2 t Vin t -Vout IL2 t IC1 IL1 t Vout - Vin -IL2 IC2 IL1 + IL2 - Iout t -Iout Q passant Q bloqué septembre 2007 U.O. Electronique de Puissance 4-4 - Convertisseurs à découpage avec transformateur 4-4-1 Convertisseur FORWARD I1 V1 V 2 Vin VD3 I3 V3 D3 I2 L D1 N 2 V in × ------- N 1 N 2 – V in × ------- N 3 V2 t T I2 I t in I mag T t t I3 I mag t in N 1 × 1 + ------- N 3 θ×T out V3 t VL IL I out t – V out V V out N2 ----------- = ------ × θ V in N1 N 2 I 2 × ------- N 1 N 3 V in × ------- N 1 V × N-------2 – V in N1 out Vout Q V Q I1 θ×T C charge in N 1 – V in × ------- N 3 –V + VL D2 V1 V IL t VQ VD3 V in t – V in N 3 – V × 1 + ------- in N 1 septembre 2007 t U.O. Electronique de Puissance 4-4-2 Convertisseur FLYBACK D I1 V1 V2 Vin C Vout charge I2 Q V Q V1 V + VD I1 V out N2 θ ----------- = ------ × -----------V in N1 1 – θ I 1 max in N 1 – V out × ------- N 2 t V2 θ×T t T θ×T N 2 V in × ------- N 1 t I2 – V out VQ N 1 × ------V + V in out N 2 VD t t N 2 – V out + V in × ------- N 1 septembre 2007 N1 – I 1 max × ------N 2 T t