Chapitre 2 Semi-conducteurs Electronique analogique Théorie Gilles MARTIN - HEL - IS - Chapitre 2 : Semi-conducteurs 1 L’atome – Structure et constitution • L’atome d’un élément est la plus petite particule d'un élément. Chaque élément possède une structure atomique unique. Chaque atome est constitué d’un noyau (neutrons + protons) autour duquel gravitent des électrons. • Les protons sont des charges positives • Les électrons sont des charges négatives • Les neutrons sont électriquement neutres Gilles MARTIN - HEL - IS - Chapitre 2 : Semiconducteur 2 L’atome – le numéro atomique • C’est le nombre d’électrons et de protons qui distingue les éléments. • Les éléments sont classés dans le tableau de Mendeleïev par leur numéro atomique. Ce numéro équivaut au nombre de protons du noyau. • Dans un atome électriquement neutre, il y a le même nombre de protons que d’électrons. Gilles MARTIN - HEL - IS - Chapitre 2 : Semiconducteur 3 Gilles MARTIN - HEL - IS - Chapitre 2 : Semiconducteur 4 Atome – couche d’électrons et orbites • Les électrons gravitent autour du noyau d'un atome à certaines distances de celui-ci. Les électrons près du noyau possèdent moins d‘énergie que ceux situes sur des orbites plus éloignées. • Dans un atome, les orbites sont regroupées en bandes énergétiques appelées couches. • Un atome donne possède un nombre fixe de couches. Chaque couche possède un nombre maximal fixe d‘électrons. Gilles MARTIN - HEL - IS - Chapitre 2 : Semiconducteur 5 Atome – électrons de valence • La couche la plus éloignée est connue sous le nom de couche de valence et les électrons dans cette couche sont appelés électrons de valence. • Ces électrons contribuent aux réactions chimiques et aux liaisons à l'intérieur de la structure d'un matériau, déterminant ses propriétés électriques. • Les électrons sur les orbites plus éloignées du noyau ont une énergie plus grande et sont moins fortement liés à l'atome que ceux situés plus près du noyau. Gilles MARTIN - HEL - IS - Chapitre 2 : Semiconducteur 6 Propriétés électrique des matériaux • Les différents matériaux peuvent être classes en trois groupes en fonction de leur propriétés électriques : • les conducteurs, • les semi-conducteurs, • les isolants. • Tout matériau est constitué d'atomes. Ces atomes contribuent aux propriétés électriques d'un matériau, dont son habilité à conduire le courant électrique. Gilles MARTIN - HEL - IS - Chapitre 2 : Semiconducteur 7 Les bandes d‘énergie • Lorsqu'un électron de valence acquiert assez d‘énergie additionnelle (chaleur, lumière), il peut quitter la couche de valence. • Il arrive dans la bande de conduction, où il est de se déplacer à travers le matériau et n'est plus lié a aucun atome particulier. Gilles MARTIN - HEL - IS - Chapitre 2 : Semiconducteur 8 Conducteurs • Un conducteur est un matériau qui conduit aisément le courant électrique. • Ces matériaux sont caractérisés par des atomes ayant un ou deux électrons de valence faiblement lié à l'atome. Il peut donc y avoir au sein du matériau beaucoup d’électrons libres, qui en se déplaçant créeront un courant électrique • On peut citer le cuivre, l’argent, l’aluminium comme excellents conducteurs. (Matériau mono-élément) Gilles MARTIN - HEL - IS - Chapitre 2 : Semiconducteur 9 Isolants • Un isolant est un matériau qui ne conduit pas (ou difficilement) le courant électrique sous des conditions normales. • Ces matériaux sont caractérises par des atomes dont les électrons de valence sont solidement rattachés à l'atome. Il y a donc très peu d‘électrons libres pouvant se déplacer et donc conduire un courant. • Les bons isolants sont souvent constitués de plusieurs éléments. Exemples : matière plastique, bois, eau Gilles MARTIN - HEL - IS - Chapitre 2 : Semiconducteur 10 Semi-conducteurs • Un semi-conducteur est un matériau se situant entre le conducteur et l'isolant. A l‘état pur (intrinsèque), il n'est ni un bon conducteur ni un bon isolant. • Les semi-conducteurs à élément unique se caractérisent par des atomes à quatre électrons de valence. • Exemple : Germanium, Silicium, Carbone. Gilles MARTIN - HEL - IS - Chapitre 2 : Semiconducteur 11 Ge vs Si • Le silicium et le germanium possèdent chacun quatre électrons de valence. • Ceux du germanium sont plus éloignés du noyau, il faut donc moins d‘énergie pour qu'ils s‘échappent de l'atome. • Cette propriété rend le germanium plus instable à des températures élevées, raison pour laquelle le silicium est plus largement utilisé. Gilles MARTIN - HEL - IS - Chapitre 2 : Semiconducteur 12 Liaison covalente • Les liaisons entre atomes de Silicium sont des liaisons covalentes, très stables. Chaque atome mettant en commun avec chaque proche voisin des électrons pour former une couche à 8 électrons. La structure est cristalline. • Cette configuration n’est effective qu’au zéro absolu. Au-delà de cette température, l’agitation thermique permet à certains électrons de se libérer de la liaison covalente. Il apparait un trou dans la liaison covalente. Gilles MARTIN - HEL - IS - Chapitre 2 : Semiconducteur 13 Notion de trou • On voit que la perte de l’électron (suite à un gain d’énergie) a provoqué un site vacant, ou trou, dans le cristal. • L’atome considéré est ionisé positivement, mais l’ensemble du cristal reste électriquement neutre. Gilles MARTIN - HEL - IS - Chapitre 2 : Semiconducteur 14 Notion de trou • Le trou créé va participer à la conduction électrique. En effet, supposons que le matériau semi-conducteur considéré soit baigné dans un champ électrique E. Les électrons libres vont dériver dans la direction opposée au champ. • Un électron de liaison voisin du trou va pouvoir le combler, laissant à sa place un nouveau trou qui pourra à son tour être comblé par un autre électron, etc • Le trou se « déplace » donc dans direction du champ Gilles MARTIN - HEL - IS - Chapitre 2 : Semiconducteur 15 Semi-conducteurs extrinsèques • L’utilisation de semi-conducteur dans la plupart des composants électroniques se fait dans un état dit dopé (semi-conducteur extrinsèque) A) Semi-conducteur de type N On introduit volontairement un corps pentavalent (P, As, Sb) dans une proportion d’un atome d’impureté pour 106. L’électron en surplus n’entrant pas dans une liaison covalente n’est que faiblement lié à l’atome pentavalent. Il est libre dans le semi-conducteur et participe à la conduction. Il en est ainsi pour tous les électrons en excès venant de l’impureté pentavalente. Le semi-conducteur extrinsèque ainsi constitué est dit de type N. L’impureté dans ce cas est appelée donneur. Un semi-conducteur de type N est un semi-conducteur qui a été dopé avec des électrons. Gilles MARTIN - HEL - IS - Chapitre 2 : Semiconducteur 16 • Semi-conducteur de type N Les électrons, dans un semi-conducteur de type N sont appelés les porteurs majoritaires et les trous les porteurs minoritaires (il y a quelques trous présents suite a l'apport d‘énergie thermique). Gilles MARTIN - HEL - IS - Chapitre 2 : Semiconducteur 17 Semi-conducteurs extrinsèques B) Semi-conducteurs de type P Introduisons maintenant, en faible quantité, un corps trivalent (B, Al, Ga, In). Une lacune apparaît dans la liaison covalente, à l’endroit de chaque atome accepteur. Cette lacune est comblée par un électron voisin sous l’effet de l’agitation thermique, formant un trou positif dans le cristal, libre de se déplacer à l’intérieur de celui-ci. On trouve donc, à température ambiante, pratiquement autant de trous libres que d’atomes accepteurs. Le semi-conducteur extrinsèque ainsi crée est dit de type P. Un semi-conducteur de type P est un semi-conducteur qui a été dopé avec des trous. Gilles MARTIN - HEL - IS - Chapitre 2 : Semiconducteur 18 • Semi-conducteur de type P Les trous, dans un semi-conducteur de type P, sont appelés les porteurs majoritaires et les électrons les porteurs minoritaires. Gilles MARTIN - HEL - IS - Chapitre 2 : Semiconducteur 19 La jonction PN • Si on prend un bloc de silicium, dont on dope une moitié avec une impureté trivalente et l'autre moitié avec une impureté pentavalente, alors il se forme une frontière entre les deux portions résultantes de type P et de type N, appelée jonction PN. • Lorsque la jonction PN est créée, la région N perd des électrons libres à mesure qu'ils se diffusent à travers la jonction pour combler les trous à proximité. • La région P perd des trous puisqu'ils se recombinent avec des électrons. Gilles MARTIN - HEL - IS - Chapitre 2 : Semiconducteur 20 La jonction PN • Les parties P et N étant initialement neutres, la diffusion des électrons a pour effet de charger positivement la partie N négativement la partie P. • Ces deux couches de charges positives et négatives forment la région d'appauvrissement (Zone de transition). • Cette charge repousse les porteurs majoritaires de chaque partie et arrête la diffusion des électrons au-delà de la zone de transition • Entre les deux parties P et N, les forces entre les charges opposées forment un champ électrique. Il apparaît alors une différence de potentiel appelée aussi barrière de potentiel. • « Barrière » car les électrons ne pourront le traverser sans l'apport d‘énergie supplémentaire Gilles MARTIN - HEL - IS - Chapitre 2 : Semiconducteur 21 Polarisation directe • Lorsqu'une tension UPN positive est appliquée à la jonction, celle-ci est polarisée en direct. La polarisation directe est une condition qui permet le courant à travers la jonction PN. • La polarisation en direct a pour effet de diminuer la hauteur de la barrière de potentiel. Le nombre de porteurs majoritaires capables de franchir la jonction augmente. • À partir d'un certain seuil de tension U0, de l'ordre de 0,7 V pour le silicium, la barrière de potentiel disparaît, les porteurs peuvent alors franchir librement la jonction, celleci devient passante et un courant direct s'établit. • Ce phénomène est réversible. Gilles MARTIN - HEL - IS - Chapitre 2 : Semiconducteur 22 Polarisation inverse • Lorsqu'une tension UPN négative est appliquée à la jonction, celle-ci est polarisée en inverse • La hauteur de la barrière de potentiel augmente, les porteurs majoritaires ne peuvent circuler, la jonction est bloquée. • Cependant, la barrière de potentiel facilite le passage des porteurs minoritaires présents dans chaque élément, il circule alors un courant inverse de N vers P. • Les porteurs minoritaires étant rares, ce courant inverse reste très faible (inférieur au microampère) et souvent négligeable. Gilles MARTIN - HEL - IS - Chapitre 2 : Semiconducteur 23 Claquage inverse • Si on augmente la tension de polarisation inverse suffisamment, pour atteindre une valeur appelée tension de claquage, le courant inverse augmentera de façon drastique et cela endommagera la jonction PN. • La tension de polarisation inverse plus élevée augmente l’énergie des électrons minoritaires libres qui, à mesure qu'ils accélèrent vers la région P, entrent en collision avec les atomes avec suffisamment d‘énergie pour arracher les électrons de la couche de valence. Ils pourront alors être responsable d’un courant électrique. • A mesure qu'ils traversent la région d'appauvrissement, ces électrons à niveau d‘énergie élevé peuvent maintenant devenir des électrons de conduction dans la région N, au lieu de se combiner aux trous. • Ce phénomène est appelé avalanche et produit un courant inverse très élevé qui peut endommager la structure PN, dû à la dissipation de chaleur excessive. Gilles MARTIN - HEL - IS - Chapitre 2 : Semiconducteur 24 Caractéristique courant-tension (direct) • Tant que la tension aux bornes de la jonction PN n'atteint pas environ 0,7V, le courant direct ou avant (IAV est le courant traversant le jonction PN en polarisation directe) augmente très peu. • (Entre le point A et B sur le graphique) • Après le genou, la tension se maintient à environ 0,7V (tension de seuil) et le courant IAV augmente rapidement. • (Le point C correspond au moment ou la tension VAV est approximativement égale à la barrière de potentiel) • La résistance interne du composant est notée r et varie selon ∆ = ∆ Gilles MARTIN - HEL - IS - Chapitre 2 : Semiconducteur 25 Caractéristique courant-tension (inverse) • Lorsque la tension sur la jonction PN est de 0V, il n'y a aucun courant inverse. • A mesure que la tension négative augmente, il n'existe qu'un très faible courant inverse (IAR). • Lorsque la tension est augmentée suffisamment et que la tension inverse aux bornes de la jonction PN (VAR) atteint la valeur de claquage (VBR), le courant commence à augmenter rapidement. Gilles MARTIN - HEL - IS - Chapitre 2 : Semiconducteur 26 Gilles MARTIN - HEL - IS - Chapitre 2 : Semiconducteur 27