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aux pointes (Pte), assurant la distribution optimale
des équipotentielles, mais excluant tout risque
d'amorçage entre lesdites pointes (Pte) et ladite
plaque (P2) maintenue au potentiel "zéro" de la
masse ;
- une plaque isolante (P3), pouvant constituer le
"boîtier" du dispositif objet du Brevet, percée
d'ouvertures chanfreinées circulaires concentriques
aux pointes émettrices (Pte), assurant la diffusion
des électrons émis par lesdites pointes.
Le dessin de la figure 2 de la planche 2/4
représente la configuration optique électronique
destinée à assurer la complète diffusion dans
l'atmosphère ambiante des électrons émis par les
pointes (Pte).
A cette fin, une série de pointes (Pte), de longueur
au moins égale à quatre fois le diamètre des
ouvertures de la plaque (P2), est fixée au support
conducteur (S1), l'ensemble étant porté au potentiel
(-THT) de l'ordre de -3,5 kV ; la plaque conductrice
(P2) portée au potentiel "zéro" (masse, sol, etc..)
ramène donc dans son plan l'équipotentielle "zéro"
correspondante. Ce plan est situé très en arrière de
l'extrémité des pointes émettrices (Pte) : les
mesures expérimentales confirment la nécessité
théorique de disposer la plaque (P2) à mi-distance
entre la plaque conductrice (S1) et l'extrémité libre
des pointes émettrices (Pte) ; cette disposition
assure alors l'émission vers l'extérieur de la quasi-
totalité du flux d'électrons produits (taux supérieur
à 95 0/o).
Le "rabattement" de l'équipotentielle "zéro" au
voisinage très proche de' l'extrémité libre des
pointes (Pte), portée à -3,5 kV, crée à l'extrémité
desdites pointes un champ électrique local très
intense assurant un rendement très élevé à l'émis-
sion vers l'extérieur des électrons extraits du métal.
De plus ce champ local très élevé réduit très
fortement la charge d'espace au voisinage des
pointes et améliore ainsi considérablement la diffu-
sion vers l'espace libre.
Ce même "rabattement" de l'équipotentielle "zé-
ro" autorise au surplus l'utilisation d'un nombre
aussi élevé que nécessaire de pointes émettrices
sans diminution appréciable du champ électrique au
voisinage des pointes, et par là-même dans diminu-
tion du rendement global des pointes, qui demeure
proportionnel au rendement d'une pointe unique et
au nombre de pointes utilisées.
Enfin, la présence de l'écran isolant (P3) et de ses
ouvertures à profil chanfreiné achèvent - par acqui-
sition d'une densité superficielle négative -d'accroî-
tre la diffusion des électrons ayant franchi lesdites
ouvertures.
L'ensemble des éléments (S1), (P1), (P2), (P3) et
des pointes (Pte) placées dans l'axe des ouvertures
desdits éléments, constitue donc un ensemble
optique électronique assurant la production, l'accé-
lération, la focalisation et la diffusion spatiale des
électrons extraits du métal desdites pointes dans
des conditions proches de la prévision théorique.
Un exemple d'application est donné par la mise en
oeuvre du dispositif objet de l'invention dans les
lieux sujets à pollution atmosphérique par les
poussières ou les fumées (tabac ou autres) :
l'injection dans de telles atmosphères d'une quan-
tité suffisante d'ions négatifs (supérieure à 5000
ions/cm3 à 2 mètres des pointes) permet un
"nettoyage" desdites atmosphères par précipitation
5 électrostatique vers le sol, les parois ou tout capteur
disposé à cette fin.
Un autre exemple d'application est donné par la
mise en oeuvre du dispositif objet du Brevet dans le
domaine biothérapique où sont mises à profit les
10 propriétés connues de la molécule d'Oxygène
ionisée négativement.
Ces exemples d'application n'épuisent nullement
l'invention qui peut être utilisée en toutes circons-
tances exigeant la production d'un flux intense
15 d'ions négatifs en milieu gazeux, en l'absence
complète de production de composés toxiques que
sont l'Ozone et les oxydes d'Azote.
Les dessins des figures 5 et 6 représentent un
exemple de réalisation de générateur de forme
20 cylindrique, à émission axiale supérieure :
- un transformateur (Tr) à fort isolement primaire/se-
condaire (supérieur à 100 MO.) permet de disposer
au secondaire d'une tension efficace variable entre
zéro et 300 Volt pour une puissance moyenne
25 consommée de 5 Watt ;
- un multiplicateur de tension (Mult) comporte 12
diodes Sescosem 1N4007 à avalanche contrôlée, de
tension inverse de crête 1200 VOlt, de courant de
crête 1 Ampère, et 12 condensateurs Wima, de type
30 FKP1 , 10 nF, tensions de service 1600 Vcc, 500 Vca;
la très haute tension négative (-THT) obtenue peut
alors varier entre zéro et -3500 V ;
- une résistance de "fuite de masse" (R1) calibrée de
20 MQ à haut isolement entre sorties, connectée
35 entre le primaire et le secondaire du transformateur ;
- une résistance (R3) de protection du secondaire
placée sur l'entrée du multiplicateur, de 22 kO en 1/2
Watt;
- une résistance (R2) de protection de la sortie
40 (-THT), de 10 MCI 1/2 Watt ;
- une embase (SL) circulaire en laiton de 6/10 mm
d'épaisseur, de 160 mm de diamètre, comportant 4
pointes soudées (Pte) de 50 mm de longueur,
constituant le premier élément de l'optique électro-
45 nique ;
- une plaque circulaire (P1) en PVC rigide, de 3 mm
d'épaisseur, de 160 mm de diamètre, assurant le
positionnement des pointes et constituant le second
élément de l'optique électronique ;
50 - une plaque circulaire en laiton de 6/10 mm
d'épaisseur (P2), 160 mm de diamètre, fixée à la
plaque (PL), comportant 4 ouvertures circulaires
concentriques aux pointes, de 11 mm de diamètres,
constituant le troisième élément de l'optique élec-
55 tronique ;
- une plaque circulaire (P3) en PVC rigide, de 3 mm
d'épaisseur, 160 mm de diamètre, comportant 4
ouvertures circulaires concentriques aux pointes, à
bord chanfreiné, de 10 mm de diamètre à la base,
60 constituant le quatrième élément de l'optique élec-
tronique.
Les plaques (S1) et (P1/P2) sont distantes de 25
mm, les plaques (P2) et (P3) sont distantes de 25
mm.
65 Sous une tension de 3,5 kV le flux électronique
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