Présentation rapide de la thèse

Collège Doctoral
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ANNEE UNIVERSITAIRE 2010/2011
A
AV VI IS S D DE E S SO OU UT TE EN NA AN NC CE E D DE E T TH HE ES SE E
[ Pour confirmation des horaire et lieu de Soutenance de la Thèse par le Doctorant
et diffusion via Internet par le Bureau de Gestion des Thèses du Service Central de Scolarité à une liste pré-établie de destinataires ]
Toutes les rubriques mentionnées doivent être obligatoirement renseignées et leur mise en forme respectée, par le Doctorant.
Le 04 Octobre 2011 à 10h30
Soutenance de M. Julien Brochet pour une thèse de DOCTORAT de l’Université de Grenoble, spécialité Micro et
Nano Electronique intitulée : Etude du Silicium polymorphe et du Silicium polycristallin pour application de
transistors en couches minces pour matrices actives d'écrans OLED et LCD.
Lieu : Amphithéâtre Accueil du CEA Grenoble (Entrée 1 / Bâtiment A2 / Pièce 205) - Pôlygone
Scientifique - 17, rue des Martyrs -GRENOBLE
Thèse préparée dans le laboratoire des Technologies et Composants pour la Visualisation
, sous la direction conjointe de M.Pere Roca i Cabarrocas et M.François Templier.
R E S U M E D E T H E S E (en 10 lignes maximum)
Ce travail de thèse a pour objectifs d’apporter des connaissances au niveau des propriétés électriques de transistors en
couches minces (TFTs) à base de silicium polymorphe (pm-Si :H), ainsi qu’au niveau de la structure du matériau polymorphe.
Nous nous sommes également intéressés à une nouvelle méthode de cristallisation d’une couche de silicium amorphe par
interférométrie laser. Pour mener ces objectifs à bien, nous avons dans un premier temps étudié la dérive de tension de seuil VT
des TFTs en pm-Si :H lors de stress électriques à tensions continues positives et négatives et nous avons déterminé les
mécanismes responsables de cette dérive. Dans un second temps, nous avons mené une étude sur la structure du matériau
polymorphe qui nous a permis de mettre en évidence un ordre à plus grande distance que pour le silicium amorphe. Pour finir,
nous avons étudié une nouvelle technique de cristallisation permettant d’obtenir une structure périodique de la couche
cristallisée, ce qui présente un fort potentiel pour le développement de matrices actives en silicium polycristallin de grandes
dimensions.
M E M B R E S D U J U R Y
Rapporteur : M. Ralf Wehrspohn
Rapporteur : M. Tayeb Mohammed-Brahim
Examinateur : M. Hugues Lebrun
Examinateur : M. Marc Audier
Directeur de thèse : M. Pere Roca i Cabarrocas
Co-encadrant de thèse : M. François Templier
Fait à Grenoble, le 26 Septembre 2011
UNIVERSITE DE GRENOBLE