UNIVERSITE DE GRENOBLE Collège Doctoral _____________________________________________________________________________________________________________________________________________________________ ANNEE UNIVERSITAIRE 2010/2011 AVIS DE SOUTENANCE DE THESE [ Pour confirmation des horaire et lieu de Soutenance de la Thèse par le Doctorant et diffusion via Internet par le Bureau de Gestion des Thèses du Service Central de Scolarité à une liste pré-établie de destinataires ] Toutes les rubriques mentionnées doivent être obligatoirement renseignées et leur mise en forme respectée, par le Doctorant. Le 04 Octobre 2011 à 10h30 Soutenance de M. Julien Brochet pour une thèse de DOCTORAT de l’Université de Grenoble, spécialité Micro et Nano Electronique intitulée : Etude du Silicium polymorphe et du Silicium polycristallin pour application de transistors en couches minces pour matrices actives d'écrans OLED et LCD. Lieu : Amphithéâtre Accueil du CEA Grenoble (Entrée 1 Scientifique - 17, rue des Martyrs -GRENOBLE Thèse préparée dans le laboratoire des Technologies / Bâtiment A2 / Pièce 205) - Pôlygone et Composants pour la Visualisation , sous la direction conjointe de M.Pere Roca i Cabarrocas et M.François Templier. R E S U M E D E T H E S E (en 10 lignes maximum) Ce travail de thèse a pour objectifs d’apporter des connaissances au niveau des propriétés électriques de transistors en couches minces (TFTs) à base de silicium polymorphe (pm-Si :H), ainsi qu’au niveau de la structure du matériau polymorphe. Nous nous sommes également intéressés à une nouvelle méthode de cristallisation d’une couche de silicium amorphe par interférométrie laser. Pour mener ces objectifs à bien, nous avons dans un premier temps étudié la dérive de tension de seuil V T des TFTs en pm-Si :H lors de stress électriques à tensions continues positives et négatives et nous avons déterminé les mécanismes responsables de cette dérive. Dans un second temps, nous avons mené une étude sur la structure du matériau polymorphe qui nous a permis de mettre en évidence un ordre à plus grande distance que pour le silicium amorphe. Pour finir, nous avons étudié une nouvelle technique de cristallisation permettant d’obtenir une structure périodique de la couche cristallisée, ce qui présente un fort potentiel pour le développement de matrices actives en silicium polycristallin de grandes dimensions. MEMBRES DU JURY Rapporteur : M. Ralf Wehrspohn Rapporteur : M. Tayeb Mohammed-Brahim Examinateur : M. Hugues Lebrun Examinateur : M. Marc Audier Directeur de thèse : M. Pere Roca i Cabarrocas Co-encadrant de thèse : M. François Templier Fait à Grenoble, le 26 Septembre 2011