© Pour la Science - n° 387 - Janvier 2010
Électronique [69
conducteur entre deux couches d’un
autre, créant deux jonctions de type
n/p. Un courant appliqué à la couche cen-
trale par un mince fil, appelé électrode
de grille, contrôle le passage du courant
à travers le transistor.
Son successeur, le transistor à effet
de champ (
FET
pour field-effect transistor)
est celui utilisé aujourd’hui dans les ordi-
nateurs. Un transistor à effet de champ
est constitué d’un canal conduisant ou ne
conduisant pas le courant en fonction de
l’action d’un champ électrique sur un canal
fait d’un semi-conducteur de type p(ou n)
noyé dans un substrat de type n(ou p)
(voir l’encadré page 70). La porte, c’est-à-
dire l’électrode de contrôle, est séparée
du centre du canal par une mince couche
d’isolant. Le courant d’électrons passe de
l’électrode source au fil servant à drai-
ner le courant (le drain) à travers le tran-
sistor en fonction de la charge électrique
de la porte. Une porte chargée positive-
ment, par exemple, attire les électrons à
la surface du canal, créant dans le semi-
conducteur un canal de conduction où
passe le courant.
Le circuit intégré,
une révolution
Les premiers transistors commerciaux
étaient difficiles d’emploi, car ils devaient
être câblés individuellement. L’inven-
tion du circuit intégré en 1960 a déclenché
une nouvelle révolution dans l’industrie
informatique. Elle a rendu possible la fabri-
cation de la puce électronique, c’est-à-dire
la création et l’interconnexion de très nom-
breux transistors sur une très petite sur-
face de silicium, ce qui a énormément
réduit le coût à l’unité des transistors.
Les progrès rapides et réguliers dans
l’intégration de toujours plus de transis-
tors ont donné lieu à la célèbre «loi de
Moore». En 1965, l’Américain Gordon
Moore remarqua que le nombre de com-
posants présents dans un circuit intégré
doublait chaque année. Cette croissance
rapide a rendu possibles les ordinateurs
puissants et bon marché d’aujourd’hui.
Une puce actuelle peut contenir environ
un milliard de transistors…
La densification des puces est d’abord
due aux progrès de la miniaturisation. Le
coût de traitement d’une galette de sili-
cium dépend en effet très peu des struc-
tures créées, mais beaucoup du nombre
de galettes traitées simultanément. Ainsi,
l’augmentation du nombre de circuits
intégrés produits par unité de surface
de silicium a fait rapidement chuter le
coût de chaque unité. Cette logique a
conduit G. Moore à une autre observa-
tion remarquable: le coût de l’unité de
surface de circuit intégré est constant et
vaut près de 2,5 milliards de dollars par
hectare. Le coût à l’unité d’un transistor
est ainsi d’environ 0,002 centime, soit dix
fois moins que celui d’une agrafe pour
feuilles de papier…
Dès que, dans les années 1970, on sut
créer des milliers de transistors sur une
même puce, le microprocesseur, c’est-à-
dire un «ordinateur sur puce», fut inventé.
Il devint alors possible d’incorporer de
petits ordinateurs de bord, capables d’exé-
cuter des programmes, dans les moteurs
automobiles, les lave-linge, les montres,
les cartes à puce, etc.
On peut constater tous les jours
l’énorme impact de la miniaturisation, de
l’intégration et du faible coût de l’électro-
nique intégrée. La qualité de vie d’un grand
nombre de personnes s’est améliorée grâce,
par exemple, aux appareils auditifs. L’uti-
lisation des cartes de paiement n’est pos-
sible que parce que des circuits intégrés
valident les transactions en temps réel, et
il va sans dire que les ordinateurs et télé-
phones portables, les systèmes de géolo-
calisation, les baladeurs, etc., comportent
tous des microprocesseurs.
Ce succès industriel sans précédent
n’empêche pas que l’on cherche à rem-
placer les transistors par d’autres types de
commutateurs qui seraient plus efficaces
encore. Cette quête se poursuit, mais, mal-
gré certains avantages obtenus en labo-
ratoire, aucune solution alternative n’a
pour l’instant convaincu.
Inventée une dizaine d’années après
l’avènement du transistor, la diode à effet
tunnel a par exemple l’avantage de fonc-
tionner à des fréquences plus élevées que
le transistor. On a donc vite pensé pou-
voir l’employer pour augmenter la vitesse
des portes logiques. Dans ce type de diode,
des dopants de type pet de type nsont en
quantités importantes de part et d’autre
d’une jonction p-n, ce qui y multiplie les
électrons et les trous. Soumis à une certaine
tension, ces derniers sont susceptibles de
traverser la barrière par effet tunnel, un
phénomène quantique. En effet, lorsque
la diode est utilisée, une plage de tension
est atteinte au sein de laquelle l’effet tun-
nel se produit. Une augmentation de la ten-
sion produit alors une diminution du
courant: tout se passe comme si la diode
avait une résistance négative.
Il n’est pas difficile de construire à
partir d’un tel élément un circuit bistable,
c’est-à-dire ne pouvant se trouver que dans
deux états. Quand un tel circuit bistable est
connecté à une source d’électricité, il évo-
lue spontanément de façon à adopter une
valeur soit haute, soit basse de la tension.
Deux tensions seulement sont possibles.
On a souvent suggéré d’utiliser les
deux états stables des circuits à résistance
4. DES CENTAINES DE CIRCUITS INTÉGRÉS ont été gravés sur une galette de silicium de la taille
d’une assiette. Chaque circuit intégré peut contenir près de un milliard de transistors.
IBM
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