
Le tracé de l’équation Ip = f(Vp) est de la forme suivante :
Fig.2 : équation Ip = f(Vp)
Sur cette courbe, on peut reconnaître la courbe de la diode (vers le bas du fait du signe – dans
l’équation) et décalé vers le haut de la valeur ICC du courant généré par l’irradiance lumineuse.
Points caractéristiques sur cette courbe pour une cellule en silicium cristallin :
Tension à vide (Ip = 0 A) Voc = 0,6 V (puissance P = 0W)
Courant de court-circuit (Vp=0V) = ICC (variable suivant l’irradiance, puissance P=0W)
Tension en charge Vpm = 0,5 V au point de fonctionnement ou la puissance est maximum
Courant Ipm (variable suivant l’irradiance) au point de fonctionnement ou la puissance est maximum
Puissance maximum Pmax = Ipm . Vpm
Noter que, en faisant varier Vpm de de 0 à Voc ( ou Ip de 0 à ICC) , la puissance part de 0W pour
monter à un maximum Pmax puis redescendre à 0W
Le rendement de conversion de l’énergie lumineuse en énergie électrique d’une cellule
photovoltaïque de surface S, de puissance Pmax sous une irradiance lumineuse Irrad est le suivant :
!"" #$%&' ($
)
**%+' $,
On défini aussi un facteur de forme (ou fill factor), noté FF, représentant la qualité d’une cellule
photovoltaïque :
-- ./$ /$
.0!
Les facteurs de forme typiques pour différentes technologies photovoltaïques sont les suivant :
Technologie silicium cristallin (m-Si) : ff = 0,83
Technologie silicium amorphe a-Si : ff = 0,7
Technologie Tellure de Cadmium (CdTe) : ff = 0,76
Technologie Cuivre Indium Sélénium (CIS) : ff = 0,78