Début 1959, retour d’Algérie. Avec un diplôme d’ingénieur ESPCI, candidature au « CENG »,
avec la double volonté de quitter Paris et de faire de la recherche sur les semi-conducteurs.
D’abord un refus du CEA pour cause de non-conformisme politique de mon père. Surprise, je suis
finalement pris, sans doute sur l’intervention de Daniel Dautreppe, qui ne me connaissait pas mais
appréciait le non « politiquement correct »…
J’abouti, le 25 avril 1959, en « Section de Physique du Solide », laboratoire du Pr Néel, directeur
du CENG, mais effectivement animé et dirigé par Daniel Dautreppe – qui, d’ailleurs, sans doute
relation de cause à effet avec le précédent paragraphe, me dispensa des 6 mois de vouvoiement
habituellement appliqués aux nouveaux arrivants.
Dans un laboratoire entièrement dédié au magnétisme, on accepte que je crée un groupe de
recherche sur les semi-conducteurs, sans doute le tout premier à Grenoble ; seule obligation :
comme pour les autres recherches de la section, étudier les défauts créés par irradiation. Le
silicium et le germanium étant déjà très étudiés aux Etats-Unis, mon choix se porte sur
l’antimoniure d’indium (InSb) parce que déjà élaboré…aux Etats-Unis. Beaucoup de travail
expérimental avec mise au point et fabrication – avec les AME - d’une boucle d’irradiation à
l’azote liquide dans Mélusine, porte-échantillons adapté, système de recuit avec enregistrement sur
MECI en mesure de résistivité et d’effet Hall. Le groupe est petit : un ingénieur, Bertrand, qui
nous quittera assez vite, un technicien, Mayousse, un thésard grec, Georgopoulos, qui soutiendra
une thèse brillante en 1962 sur les défauts obéissant au modèle, célèbre à l’époque sur Si et Ge, dit
de James & Lark-Horovitz.
Deux hasards mettront fin à cette étude :
- d’une part, une rencontre avec un chercheur de Normale Sup, spécialiste de résonance
magnétique, et qui avait pu montrer que le taux d’impuretés de l’InSb était tel –plus de 100 ppm
de fer, beaucoup d’autres « cochonneries » - qu’il était vain de vouloir étudier des défauts qui
seraient le seuls résultat de l’irradiation d’un matériau ultra-pur.
- d’autre part mon attirance pour la physico-chimie – et conforté par l’échec InSb-, me fera
accepter la proposition de Jacques Lacour, de la Section d’Electronique – dont je suivais par
ailleurs un cours sur les transistors -, de créer un groupe « Electronique Intégrée », ancêtre des
« puces » d’aujourd’hui, commun aux deux sections Electronique et Physique du Solide, et où je
serais chargé de toute la technologie. Avec l’accord enthousiaste de Dautreppe et Cordelle, le
soutien de Bernard Delapalme, directeur-adjoint du CENG, et celui de Louis Néel en personne, ce
groupe, puis laboratoire, allait être l’un des éléments clés de la création du LETI en 1967, de la
Société EFCIS en 1972, et l’une des composantes majeure DU – seul à l’époque – fabricant
européen de circuits intégrés, aujourd’hui ST Microelectronics (voir le récit de Jean-Louis Pautrat
que j’avais recruté à l’époque pour une thèse sur le silicium),
A partir de mi 1962, consacrant la quasi totalité de mon temps à monter la technologie du groupe
Electronique Intégrée, tout en demeurant rattaché au futur DRF, j’ai laissé la responsabilité du
groupe « semi-conducteurs » d’abord à Roland Schuttler, grand spécialiste des défauts dans les
semi-conducteurs, assez rapidement remplacé par Jean-Claude Pfister (voir le récit de J.L.
Pautrat). C’est au moment de la refonte du CEA en 1971 que le « laboratoire d’Electronique
intégrée » allait être totalement rattaché au LETI, y compris le personnel, jusqu’alors agents du
DRF, qui y travaillait (outre moi-même, Staderini, Mme Peccoud, Denise ( ?), Michel Baudeau)
Je terminerai ce court récit en disant :
- d’abord que je garde un souvenir précieux du temps passé en Physique du Solide, avec un bon
apprentissage, utile par la suite, de la recherche,
- ensuite le respect autant que l’amitié que j’ai éprouvé pour le grand physicien et le très grand
homme et humaniste qu’était Daniel Dautreppe. Aujourd’hui encore le souvenir ne s’en est pas
estompé.