Résumé :
La problématique des agressions par décharges électrostatiques (ESD) est un facteur critique
dans la fiabilité des circuits intégrés. Ce document effectue la synthèse des travaux menés au
LAAS-CNRS dans ce domaine. Les points suivants seront plus particulièrement abordés :
- L’étude des mécanismes physiques qui gèrent le comportement d’un composant lors d’une
décharge ESD
- La mise en place d’une méthodologie de conception de structures de protection
- Son application au développement de solutions de protection innovantes
La dernière partie de ce document propose les perspectives de cet axe de recherche qui sont
principalement motivés par les progrès technologiques des circuits intégrés, l’évolution des
normes de robustesse et l’extension de nos travaux au niveau du système.
Mots-clés :
Décharges électrostatiques, ESD, protections ESD, TLP, Régimes fortes injections.
Abstract :
Electrostatic Discharge (ESD) stresses strongly impact on integrated circuits reliability. The
research work led in LAAS-CNRS laboratory on this field is synthesized in this document.
The following topics are detailed :
- physical mechanisms study of device behavior during an ESD stress
- design methodology for ESD protection devices
- novelty ESD protections development
The final part of this report presents an outlook which is closely tied to integrated circuits
technology advance, ESD standard development and system level approach.
Keywords :
ElectroStatic Discharges, ESD, ESD protections, TLP, very high current injection.