Conception de transistors MOS haute tension en technologie CMOS

Conception de transistors MOS haute tension en
technologie CMOS 0,18 um sur substrat ”silicium sur
isolant” (SOI pour les nouvelles g´eg´erations de circuits
int´egr´es de puissance
Ga¨etan Toulon
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Ga¨etan Toulon. Conception de transistors MOS haute tension en technologie CMOS 0,18 um
sur substrat ”silicium sur isolant” (SOI pour les nouvelles g´eg´erations de circuits int´egr´es de
puissance. Micro et nanotechnologies/Micro´electronique. Universit´e Paul Sabatier - Toulouse
III, 2010. Fran¸cais.
HAL Id: tel-00566469
https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00566469
Submitted on 16 Feb 2011
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En vue de l’obtention du
Doctorat de l’université Paul Sabatier Toulouse III
Ecole Doctorale : Génie Electrique, Electronique, Télécommunications
Discipline : micro-nanoélectronique
Présenté par
Gaëtan TOULON
Conception de transistors MOS haute tension en technologie
CMOS 0,18 µm sur substrat "silicium sur isolant" (SOI) pour les
nouvelles générations de circuits intégrés de puissance
Soutenue le 18 novembre 2010 devant le jury
Président : P. AUSTIN
Rapporteurs : B. ALLARD
D. FLORES
Examinateur : B. VILLARD
N. KERNEVEZ
Invités : T. PEDRON
Directeur de thèse : F. MORANCHO

Remerciements
Le travail réalisé dans ce manuscrit de thèse s’est déroulé dans l’école Doctorale
GEET. Il a été effectué dans le Laboratoire d’Analyse et d’Architecture des Systèmes (LAAS)
du Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), dans le groupe Intégration de
Systèmes de Gestion de l’Énergie (ISGE). Je remercie les directeurs successifs du LAAS,
Monsieur Raja CHATILA et Monsieur Jean-Louis SANCHEZ, pour la confiance qu’ils m’ont
accordée. Je tiens aussi à remercier Madame Marise BAFLEUR, qui dirige le groupe ISGE,
de m’avoir accueilli en son sein.
Ce travail a été conduit sous la direction de Monsieur Frédéric MORANCHO,
Professeur à l’Université Paul Sabatier. Je tiens à la remercier pour m’avoir proposé ce sujet
de thèse, mais aussi pour sa confiance, son soutien, sa disponibilité et pour toutes les
discussions que nous avons eu pendant toute la durée de ma thèse.
Je tiens également à remercier Messieurs Bruno ALLARD (Professeur des universités
à l’INSA de Lyon) et David FLORES (Chargé de recherche au CNM de Barcelone) pour
avoir accepté d’être les rapporteurs de mes travaux de thèse. Je remercie aussi Messieurs
Patrick AUSTIN (Professeur à l’Université Paul Sabatier de Toulouse), Bruno VILLARD,
Thierry PEDRON (Ingénieurs - ATMEL Rousset) et Madame Nelly KERNEVEZ (Directrice
du partenariat - SOITEC Crolles) pour avoir aimablement accepté d’être membres du jury.
Je souhaite remercier toutes les personnes d’ATMEL avec qui nous avons collaboré,
notamment Monsieur Bruno VILLARD et Madame Elsa HUGONNARD-BRUYERE, grâce à
qui j’ai pu comprendre la technologie CMOS et pour m’avoir fourni de nombreux résultat
expérimentaux.
Je tiens à remercier vivement Monsieur Ignasi CORTES, post-doctorant pendant deux
ans au LAAS et avec qui j’ai travaillé. Ses grandes connaissances, son expérience et sa
sympathie m’ont beaucoup apporté et ont rendu plus riche ce travail.
A titre personnel, je remercie tous mes amis du LAAS. Les anciens qui sont devenus
docteurs : Loïc (le nouveau papa) qui m’a aidé à démarrer sur Sentaurus, Yann, Julie,
Florence, Cédric, Stéphane, mes « collègues de promo », ceux qui ont commencé la thèse en
même temps que moi : Hussein, Hakim (mes collègues de bureau), Elias, Jean-François,
Houda, Ayad, Romaric, les plus jeunes, qui seront eux aussi bientôt docteurs : Emmanuel (ou