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ELECTRONIQUE RF & NL 1
ELECTRONIQUE RF & Non Linéaire
I - Rappel sur le transistor bipolaire
1. Polarisation
2. Représentation faible signal
3. Schéma équivalent hautes fréquences
II - Stabilité et Oscillateurs
1. Rappel
2. Modélisation
3. Etude de la stabilité des SLI
4. Oscillateurs
III –Récepteurs Superhétérodynes
1. Principe
2. Fréquence image
3. Amplificateur FI
G. JACQUEMOD

ELECTRONIQUE RF & NL 2
ELECTRONIQUE RF & Non Linéaire
IV –Amplificateurs de Puissance
1. Introduction
2. Amplificateur simple Classe A
3. Etage à charge couplée magnétiquement
4.
G. JACQUEMOD

ELECTRONIQUE RF & NL 3
RAPPEL SUR LE TRANSISTOR BIPOLAIRE
I - Polarisation
3 Régimes de fonctionnement :
1) Bloqué : les 2 jonctions polarisées en inverse : VBE<0 et VCB>0
2) Actif : une jonction en direct : VBE>0 et VCB>0 (linéaire)
3) saturé : les 2 jonctions en direct : VBE>0 et VCB<0
ACTIF Amplification : Fonctionnement classique Signaux de
faibles amplitudes : LINEARISATION = Signal faible devant la
grandeur continue appliquée ou faible devant kT/q
VBE VCE
IB
IC
Caractéristique d’entrée
VBE
VCE
IB
IC

ELECTRONIQUE RF & NL 4
RAPPEL SUR LE TRANSISTOR BIPOLAIRE
Régime saturé :
kT
qV
II BE
SB exp#
CàmV
q
kT
UT 2526
Le courant de saturation : ICsat dépend « uniquement » des composants
extérieurs - Inverseur RTL
VeVs
RC
RB
VCC
B
BEe
BRVV
I
)6,0(#0VVVsiIBEeB 
B
BEe
BC RVV
II 
CECCCC VIRV 
C
CC
C
C
CEsatCC
Csat
C
CECC
CR
V
I
RVV
I
RVV
I #
B
BEesat
C
CC
Csat RVV
R
V
I
BE
C
B
CCesat V
R
R
VV 
IC, Vs
VCC VCC /RC
VBE Vesat Ve

ELECTRONIQUE RF & NL 5
RAPPEL SUR LE TRANSISTOR BIPOLAIRE
II - Représentation faible signal
Représentation par la matrice hybride
vbe vce
ib
ic
B
C
E
cebc
cebbe
vhihi
vhihv
2221
1211
vbe vce
ibic
~
h11
h12vce
h21ib
22
1
h
ste
CE
ce CV
B
BE
v
b
be I
V
i
v
h
0
11
Développement limité
d’ordre 1
0#
0
12
b
i
ce
be
v
v
h
BF, fonctionnement
unidirectionnel du T. Bip.
0
22
0
21 #
bce i
ce
c
v
b
cv
i
h
i
i
h